【技术实现步骤摘要】
本公开属于光刻领域，例如euv光刻，用于衬底比如半导体衬底的图案化。
技术介绍
1、极紫外(euv)光刻是用于先进半导体处理的使能技术。但是它仍很贵，每光子的成本很高。因此，需要剂量减少,“剂量”是指抗蚀剂完全曝光所需的光子量。
技术实现思路
1、本文描述了用于光刻图案化半导体衬底的系统，包括电磁(em)辐射源、光学组件和曝光室，曝光室包括衬底支撑件和电极组件；em辐射源配置用于产生电磁辐射；光学组件被构造和布置用于将em辐射导向衬底支撑件；衬底支撑件被构造和布置用于支撑半导体衬底；电极组件被构造和布置用于将电场施加到包含在半导体衬底中的em敏感层。
2、在一些实施例中，电极组件被构造和布置用于将电场侧向施加到em敏感层。
3、在一些实施例中，电极组件包括两个电极，这两个电极邻近衬底支撑件定位。
4、在一些实施例中，电极组件包括两个电极，每个电极包括多个指状物，多个指状物一起形成相互交叉的图案。
5、在一些实施例中，来自多个指状物中的指状物相互平行。
6、在一些实施例中，电极组件被构造和布置用于将电场横向施加到em敏感层。
7、在一些实施例中，电极组件包括第一电极和第二电极，其中第一电极电连接到衬底支撑件，并且其中第二电极与衬底基本平行定位，在衬底和em辐射源之间。
8、在一些实施例中，电极组件包括第一电极和第二电极，其中第一电极电连接到衬底，并且其中第二电极与衬底基本平行定位，在衬底和em辐射源之
9、在一些实施例中，em辐射源包括极紫外(euv)源。
10、本文还描述了一种方法，该方法包括：提供包括电磁(em)辐射源、光学组件和曝光室的系统，曝光室包括衬底支撑件和电极组件；将衬底定位在衬底支撑件上，衬底包括em敏感层；将衬底暴露于em辐射；以及当将衬底暴露于em辐射时，通过包括第一电极和第二电极的电极对将电场施加到em敏感层。
11、在一些实施例中，em辐射包括极紫外(euv)辐射。
12、在一些实施例中，当将衬底暴露于em辐射时，电场增强二次电子产生。
13、在一些实施例中，电场包括dc场。
14、在一些实施例中，电场包括ac场。
15、在一些实施例中，电场基本平行于em敏感层施加。
16、在一些实施例中，电场基本垂直于em敏感层施加。
17、在一些实施例中，电场包括相对于em敏感层倾斜的分量。
18、在一些实施例中，em敏感层包括euv抗蚀剂以及底层、胶层和电子反射器层中的至少一个。
19、提供本
技术实现思路
是为了以简化的形式介绍一些概念。这些概念在以下公开的示例实施例的详细描述中被进一步详细描述。本
技术实现思路
不旨在标识所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护的主题的范围。
【技术保护点】
1.一种用于光刻图案化半导体衬底的系统，包括电磁(EM)辐射源、光学组件和曝光室，曝光室包括衬底支撑件和电极组件；
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电极组件被构造和布置用于将电场侧向施加到所述EM敏感层。
3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述电极组件包括两个电极，所述两个电极邻近所述衬底支撑件定位。
4.根据权利要求2所述的系统，其中，所述电极组件包括两个电极，每个电极包括多个指状物，所述多个指状物一起形成相互交叉的图案。
5.根据权利要求4所述的系统，其中，来自所述多个指状物中的指状物相互平行。
6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电极组件被构造和布置用于将电场横向施加到所述EM敏感层。
7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述电极组件包括第一电极和第二电极，其中第一电极电连接到所述衬底支撑件，并且其中第二电极与衬底基本平行定位，在衬底和所述EM辐射源之间。
8.根据权利要求6所述的系统，其中，所述电极组件包括第一电极和第二电极，其中第一电极电连接到衬底，并且其中第二电极与衬底基
9.根据权利要求1至8中任一项所述的系统，其中，所述EM辐射源包括极紫外(EUV)源。
10.一种方法，包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述EM辐射包括极紫外(EUV)辐射。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，当将衬底暴露于EM辐射时，电场增强二次电子产生。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的方法，其中，所述电场包括DC场。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的方法，其中，所述电场包括AC场。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的方法，其中，所述电场基本平行于所述EM敏感层施加。
16.根据权利要求10至14中任一项所述的方法，其中，所述电场基本垂直于所述EM敏感层施加。
17.根据权利要求10至14中任一项所述的方法，其中，所述电场包括相对于所述EM敏感层倾斜的分量。
18.根据权利要求10至17中任一项所述的方法，其中，所述EM敏感层包括EUV抗蚀剂以及底层、胶层和电子反射器层中的至少一种。
...【技术特征摘要】
1.一种用于光刻图案化半导体衬底的系统，包括电磁(em)辐射源、光学组件和曝光室，曝光室包括衬底支撑件和电极组件；
2.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电极组件被构造和布置用于将电场侧向施加到所述em敏感层。
3.根据权利要求2所述的系统，其中，所述电极组件包括两个电极，所述两个电极邻近所述衬底支撑件定位。
4.根据权利要求2所述的系统，其中，所述电极组件包括两个电极，每个电极包括多个指状物，所述多个指状物一起形成相互交叉的图案。
5.根据权利要求4所述的系统，其中，来自所述多个指状物中的指状物相互平行。
6.根据权利要求1所述的系统，其中，所述电极组件被构造和布置用于将电场横向施加到所述em敏感层。
7.根据权利要求6所述的系统，其中，所述电极组件包括第一电极和第二电极，其中第一电极电连接到所述衬底支撑件，并且其中第二电极与衬底基本平行定位，在衬底和所述em辐射源之间。
8.根据权利要求6所述的系统，其中，所述电极组件包括第一电极和第二电极，其中第一电极电连接到衬底，并且其中第二电极与衬底基本平行定...
【专利技术属性】
技术研发人员：F·达沃迪，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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