【技术实现步骤摘要】
各种示例实施例涉及半导体存储器件、用于制造该半导体存储器件的方法和/或包括该半导体存储器件的电子系统。
技术介绍
1、由于电子系统需要或期望能够存储高容量数据的半导体存储器件，因此已经研究了能够增加半导体存储器件的数据存储容量的方法。作为能够增加半导体存储器件的数据存储容量的方法之一，提出了一种包括三维地布置的存储单元而不是二维地布置的存储单元的半导体存储器件。
技术实现思路
1、各种示例实施例可以提供具有减小尺寸的半导体存储器件。
2、备选地或附加地，各种示例实施例可以提供包括具有减小尺寸的半导体存储器件的电子系统。
3、备选地或附加地，各种示例实施例可以提供用于制造具有减小尺寸的半导体存储器件的方法。
4、示例实施例不限于上述那些实施例，并且本领域技术人员从以下描述中将清楚地理解本文中未提及的本公开的附加目的。
5、根据一些示例实施例，一种半导体存储器件包括：外围电路结构；以及单元结构，在外围电路结构上，并且包括单元衬底和栅电极。外围电路结构包括：外围电路板，包括面向单元结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一电路元件，在外围电路板的第一表面上；第一层间绝缘层，覆盖外围电路板的第一表面；第一布线，在第一层间绝缘层中电连接到第一电路元件；电容器介电层，覆盖外围电路板的第二表面；第一电容器电极，在电容器介电层中；第二电容器电极，在电容器介电层中与第一电容器电极间隔开；以及第一连接通孔，通过穿过外围电路板将第一电容器电极与第一布线
6、备选地或附加地，根据一些示例实施例，一种半导体存储器件包括：第一外围电路结构；以及单元结构，堆叠在第一外围电路结构上，并且包括存储单元。第一外围电路结构包括：第一外围电路板，包括面向单元结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一电路元件，在第一外围电路板的第一表面上；以及第一电容器，在第一外围电路板的第二表面上。
7、备选地或附加地，根据一些示例实施例，一种电子系统包括：主板；半导体存储器件，在主板上，并且包括外围电路结构和单元结构，该单元结构堆叠在外围电路结构上；以及控制器，在主板上电连接到半导体存储器件。外围电路结构包括：外围电路板，包括面向单元结构的第一表面和与第一表面相对的第二表面；第一电路元件，在外围电路板的第一表面上；以及电容器，被配置为在外围电路板的第二表面上向第一电路元件提供操作电压。
8、备选地或附加地，根据一些示例实施例，用于制造半导体存储器件的方法包括：形成包括具有彼此相对的第一表面和第二表面的外围电路板的预外围电路结构、在外围电路板的第一表面上的电路元件、穿过外围电路板的一部分的连接通孔、以及电连接到电路元件或连接通孔的第一布线；将预外围电路结构接合到半导体芯片上；通过蚀刻外围电路板的第二表面的一部分来暴露连接通孔的一部分；以及在外围电路板的第二表面上形成与连接通孔电连接的电容器。
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1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极不被所述电容器介电层暴露。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极在与所述外围电路板的所述第二表面平行的方向上彼此间隔开。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第1-1电极至第1-n电极的至少一部分和所述第2-1电极至第2-n电极的至少一部分具有沿与所述外围电路板的所述第二表面平行的方向延伸的线形。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第1-1电极至第1-n电极的至少一部分和所述第2-1电极至第2-n电极的至少一部分具有梳状。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第1-1电极至第1-n电极的至少一部分和所述第2-1电极至第2-n电极的至少一部分包括：
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路结构还包括：
9.根据权利要求1
10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，其中，所述第二电路元件被配置为：在所述第二电路元件的比所述第一电路元件的操作电压低的操作电压下操作。
11.一种半导体存储器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述单元结构包括第一接合金属，并且
13.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述第一外围电路结构还包括：
14.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述第一电容器包括：
15.根据权利要求11所述的半导体存储器件，还包括：
16.根据权利要求11所述的半导体存储器件，还包括：
17.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述存储单元中的至少一些存储单元是易失性存储单元。
18.根据权利要求11所述的半导体存储器件，其中，所述存储单元中的至少一些存储单元是非易失性存储单元。
19.一种电子系统，包括：
20.根据权利要求19所述的电子系统，其中，所述电容器包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极不被所述电容器介电层暴露。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一电容器电极和所述第二电容器电极在与所述外围电路板的所述第二表面平行的方向上彼此间隔开。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中
5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第1-1电极至第1-n电极的至少一部分和所述第2-1电极至第2-n电极的至少一部分具有沿与所述外围电路板的所述第二表面平行的方向延伸的线形。
6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第1-1电极至第1-n电极的至少一部分和所述第2-1电极至第2-n电极的至少一部分具有梳状。
7.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述第1-1电极至第1-n电极的至少一部分和所述第2-1电极至第2-n电极的至少一部分包括：
8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述外围电路结构还包括：
9.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：金鹤善，尹康五，李东镇，李载德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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