【技术实现步骤摘要】
本申请的实施方式涉及全息光学，尤其涉及一种拼接式全息膜及其制作方法。
技术介绍
1、全息技术是利用干涉和衍射原理记录并再现的技术，包括平面全息和体全息，其中体全息光学元件是一种只对符合布拉格条件的入射光发生衍射，而对不符合布拉格条件的入射光直接透过的衍射光学元件，在显示等领域具有广阔的应用前景。体全息光学元件为薄膜型光学元件，也可以称为全息膜，全息膜通常采用全息拍摄的方法制作。在制作全息膜的过程中，通常是以一束平行光和一束发散光照射制作全息膜的材料，平行光束与发散光束发生干涉在制作全息膜的材料上形成干涉条纹，其中平行光束需要光束通过准直透镜进行准直获得。因此，待制作的全息膜的幅面大小将直接决定光路中准直透镜的尺寸，在一些需要大幅面全息膜的应用场景中，需要使用大口径的准直透镜。
2、然而，大口径的准直透镜通常价格比较昂贵，这样不仅提高了大幅面全息膜的制作成本，也阻碍了大幅面全息膜的应用。
3、因此相关技术提出了一种体全息光学元件，包括基材层和位于基材层上的全息信息层，该全息信息层包括像素单元阵列。在制作该体全息光学元件的过程中，是以两束细光束照射制作全息膜的材料，两束细光束发生干涉在全息信息层上形成干涉条纹，从而形成一个像素单元，通过移动制作全息膜的材料，使所形成的像素单元离开两束细光束照射的区域，而将全息信息层中未形成像素单元的区域移动至两束细光束照射的区域，进行像素单元的制作，直至遍历整个全息信息层形成像素单元阵列。
4、虽然，这种体全息光学元件的制作可以避免大口径的准直透镜的使用，从而可以
技术实现思路
1、本申请的实施方式提供的拼接式全息膜及其制作方法，可解决或部分解决现有技术中的上述不足或现有技术中的其他不足。
2、根据本申请第一方面提供一种拼接式全息膜，包括：基材；以及全息信息层，位于所述基材上，包括拼接单元阵列，所述拼接单元阵列中的拼接单元错位排列。
3、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元阵列中的所述拼接单元随机错位排列。
4、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元的形状包括矩形，所述矩形拼接单元的边长大于30um并小于1000um。
5、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元阵列中的所述拼接单元的尺寸相同或者不同。
6、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间的错位量不大于所述拼接单元最小边长的10％。
7、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间的错位量相同或者不同。
8、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间具有拼接间隙，所述拼接间隙的宽度不大于所述拼接单元最小边长的10％。
9、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间的拼接间隙的宽度相同或者不同。
10、在本申请的一个实施方式中，所述拼接单元阵列中的所有拼接单元对于平行入射的光具有同一个焦点。
11、在本申请的一个实施方式中，所述全息信息层包括在可见光范围内透明的光致聚合物。
12、在本申请的一个实施方式中，所述基材包括在可见光范围内透明的玻璃或塑料。
13、根据本申请第二方面提供一种拼接式全息膜的制作方法，用于制作第一方面所述的拼接式全息膜，所述方法包括：使可移动平台沿着水平方向和/或竖直方向移动，以使放置在所述可移动平台上的目标材料的目标区域移动至光照位置；其中，所述目标材料包括基材和位于所述基材上的全息信息层；使目标光束通过厘米级的准直透镜进行准直得到平行光束，以所述平行光束与发散光束照射所述目标区域，所述平行光束与所述发散光束发生干涉在所述目标区域的全息信息层形成拼接单元；以及继续执行使所述可移动平台沿着水平方向和/或竖直方向移动的步骤，直至遍历所述目标材料在所述全息信息层形成拼接单元阵列，其中，通过控制所述可移动平台每次沿着水平方向和/或竖直方向移动的距离，使所述拼接单元阵列中的所述拼接单元错位排列。
14、在本申请的一个实施方式中，还包括：通过控制所述平行光束与所述发散光束每次发生干涉形成的光斑的尺寸，来控制所述拼接单元阵列中的所述拼接单元的尺寸。
15、在本申请的一个实施方式中，还包括：通过控制所述可移动平台每次沿着水平方向和/或竖直方向移动的距离，使所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间具有拼接间隙。
16、根据本申请的实施方式的拼接式全息膜及其制作方法，通过在全息信息层形成拼接单元阵列，可以将大幅面全息膜的制作转换为多个小幅面拼接单元的制作，从而可以避免在制作全息膜的过程中使用大口径的准直透镜，可以降低全息膜的制作成本，有利于促进全息膜的应用；通过使拼接单元阵列中的拼接单元错位排列，可以减弱衍射效应，抑制彩虹条纹现象，获得更好的显示效果。
17、本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施方式的关键或重要特征，也不用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种拼接式全息膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中的所述拼接单元随机错位排列。
3.根据权利要求1或2所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元的形状包括矩形，所述矩形拼接单元的边长大于30um并小于1000um。
4.根据权利要求3所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中的所述拼接单元的尺寸相同或者不同。
5.根据权利要求3所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间的错位量不大于所述拼接单元最小边长的10％。
6.根据权利要求5所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间的错位量相同或者不同。
7.根据权利要求5所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间具有拼接间隙，所述拼接间隙的宽度不大于所述拼接单元最小边长的10％。
8.根据权利要求7所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间的拼接间隙的宽度相同
9.根据权利要求1或2所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中的所有拼接单元对于平行入射的光具有同一个焦点。
10.一种拼接式全息膜的制作方法，其特征在于，用于制作权利要求1至9中任一项所述的拼接式全息膜，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种拼接式全息膜，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中的所述拼接单元随机错位排列。
3.根据权利要求1或2所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元的形状包括矩形，所述矩形拼接单元的边长大于30um并小于1000um。
4.根据权利要求3所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中的所述拼接单元的尺寸相同或者不同。
5.根据权利要求3所述的拼接式全息膜，其特征在于，所述拼接单元阵列中相邻两个所述拼接单元之间的错位量不大于所述拼接单元最小边长的10％。
6.根据权利要求5所述的拼接式全息膜，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄虎钧，吴尚亮，
申请(专利权)人：宁波舜宇车载光学技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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