【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体设备，更具体地说，是涉及一种半导体设备的温控装置。
技术介绍
1、半导体设备的温度受控装置，例如用于输送反应源的气体管路需要在反应源输送过程中使反应源具有一定的温度以满足工艺要求，或者因排气管路中的物质容易在排放过程沉积在管路中而需要排气管路内具有一定的温度以使物质气化排出，或者腔体内因工艺需求需要保持一定的温度。因此需要对这些温度受控装置进行温度监测以及控制。
2、现有技术将加热元件和温控开关串联设在加热套管中，加热套管套设于管路或腔体，通过控制加热元件发热实现对管路或腔体的加热，而温控开关感应温度异常，例如超温会断开使得加热元件停止发热。
3、然而，温控开关受加热元件的发热影响，灵敏度会降低，影响温度感应的灵敏度，导致无法对温度受控装置进行有效的温度监测和控制。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体设备的温控装置，以减小或避免加热元件对诸如温控开关的温度保护元件灵敏度的不利影响。
2、为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：本专利技术提供一种半导体设备的温控装置，包括：
3、加热电路以及由内到外依次套设的耐热层和隔离层，所述耐热层用于套设于所述半导体设备的温度受控装置；
4、所述加热电路包括若干个依次串联的子加热电路；
5、每个所述子加热电路均包括相互串联的加热元件和温度响应元件，所述温度响应元件用于响应所感测到的温度以使所述子加热电路连通或断开；
6、所
7、所述加热元件和所述温度响应元件之间由所述耐热层的至少部分，和/或所述隔离层中的至少部分所分隔。
8、进一步地，所述加热元件和所述温度响应元件设置于所述温度受控装置周向方向的同一侧，且所述加热元件和所述温度响应元件错位排布；或者，所述加热元件和所述温度响应元件设置于所述温度受控装置的周向方向的相对两侧。
9、进一步地，所述子加热电路还包括在所述加热元件和所述温度响应元件之间电连接的连接导线，所述连接导线贯穿至少部分所述耐热层,和/或贯穿至少部分所述隔离层后，再电连接所述温度响应元件。
10、进一步地，各所述子加热电路沿第一方向顺次排列，所述连接导线沿所述第一方向延伸一定长度后，朝向所述第一方向的反方向延伸一定长度，再电连接所述温度响应元件。
11、进一步地，所述子加热单元还包括电连接所述加热元件的引入导线和电连接所述温度响应元件的引出导线，所述引出导线贯穿至少部分所述隔离层和/或至少部分所述耐热层后，与相邻所述子加热单元中所述加热元件的引入导线电连接。
12、进一步地，所述加热元件包括加热电阻，所述温度响应元件包括温控开关，所述温度受控装置包括管路或腔体。
13、进一步地，还包括顺次套设于所述隔离层外的测温层和保温层，所述保温层包括具有孔隙结构的玻纤织物，所述具有孔隙结构的玻纤织物包括玻璃纤维针刺毡。
14、进一步地，还包括介质保温层，所述耐热层套设于所述介质保温层外，所述介质保温层配置为允许所述加热元件产生的热量经过并对所述半导体设备的温度受控装置产生加热效果。
15、进一步地，所述介质保温层包括保温套管和容纳于所述保温套管内的热介质，所述热介质包括具有一定温度的水、导热油或者液态金属。
16、进一步地，所述介质保温层包括真空套管、设于所述真空套管内的热辐射元件，以及与所述真空套管密封连接并电连接所述热辐射元件的热辐射控制装置，以通过所述热辐射控制装置驱动所述热辐射元件形成热辐射，所述热辐射元件包括镍铬合金元件或者钨元件。
17、进一步地，所述介质保温层和所述耐热层之间设置有防漏层，所述防漏层设有检漏装置。
18、进一步地，还包括：加热控制装置，电连接所述加热电路。
19、本专利技术提供的半导体设备的温控装置的有益效果在于：半导体设备的温控装置包括加热电路以及由内到外依次套设的耐热层和隔离层，所述耐热层用于套设于所述半导体设备的温度受控装置外壁，所述加热电路包括若干个依次串联的子加热电路，每个所述子加热电路均包括相互串联的加热元件和温度响应元件，所述温度响应元件用于响应所感测到的温度以使所述子加热电路连通或断开，所述加热元件设于所述耐热层，所述温度响应元件设于所述隔离层，所述加热元件和所述温度响应元件之间由所述耐热层的至少部分，和/或所述隔离层中的至少部分所分隔。该半导体设备的温控装置能够减少或避免所述加热元件对所述温度响应元件灵敏度产生不利影响，从而对温度受控装置进行有效的温度监测和控制，保证半导体设备安全、可靠运行。
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1.一种半导体设备的温控装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述加热元件和所述温度响应元件设置于所述温度受控装置周向方向的同一侧，且所述加热元件和所述温度响应元件错位排布；或者，所述加热元件和所述温度响应元件分别设置于所述温度受控装置的周向方向的相对两侧。
3.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述子加热电路还包括在所述加热元件和所述温度响应元件之间电连接的连接导线，所述连接导线贯穿至少部分所述耐热层,和/或贯穿至少部分所述隔离层后，再电连接所述温度响应元件。
4.根据权利要求3所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，各所述子加热电路沿第一方向顺次排列，所述连接导线沿所述第一方向延伸一定长度后，朝向所述第一方向的反方向延伸一定长度，再电连接所述温度响应元件。
5.根据权利要求3所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述子加热单元还包括电连接所述加热元件的引入导线和电连接所述温度响应元件的引出导线，所述引出导线贯穿至少部分所述隔离层和/或至少部分所述耐热层后，与相邻
6.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述加热元件包括加热电阻，所述温度响应元件包括温控开关，所述温度受控装置包括管路或腔体。
7.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，还包括顺次套设于所述隔离层外的测温层和保温层，所述保温层包括具有孔隙结构的玻纤织物，所述具有孔隙结构的玻纤织物包括玻璃纤维针刺毡。
8.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，还包括介质保温层，所述耐热层套设于所述介质保温层外，所述介质保温层配置为允许所述加热元件产生的热量经过并对所述半导体设备的温度受控装置产生加热效果。
9.根据权利要求8所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述介质保温层包括保温套管和容纳于所述保温套管内的热介质，所述热介质包括具有一定温度的水、导热油或者液态金属。
10.根据权利要求8所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述介质保温层包括真空套管、设于所述真空套管内的热辐射元件，以及与所述真空套管密封连接并电连接所述热辐射元件的热辐射控制装置，以通过所述热辐射控制装置驱动所述热辐射元件形成热辐射，所述热辐射元件包括镍铬合金元件或者钨元件。
11.根据权利要求8所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述介质保温层和所述耐热层之间设置有防漏层，所述防漏层设置有检漏装置。
12.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，还包括加热控制装置，电连接所述加热电路。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的温控装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述加热元件和所述温度响应元件设置于所述温度受控装置周向方向的同一侧，且所述加热元件和所述温度响应元件错位排布；或者，所述加热元件和所述温度响应元件分别设置于所述温度受控装置的周向方向的相对两侧。
3.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述子加热电路还包括在所述加热元件和所述温度响应元件之间电连接的连接导线，所述连接导线贯穿至少部分所述耐热层,和/或贯穿至少部分所述隔离层后，再电连接所述温度响应元件。
4.根据权利要求3所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，各所述子加热电路沿第一方向顺次排列，所述连接导线沿所述第一方向延伸一定长度后，朝向所述第一方向的反方向延伸一定长度，再电连接所述温度响应元件。
5.根据权利要求3所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述子加热单元还包括电连接所述加热元件的引入导线和电连接所述温度响应元件的引出导线，所述引出导线贯穿至少部分所述隔离层和/或至少部分所述耐热层后，与相邻所述子加热单元中所述加热元件的引入导线电连接。
6.根据权利要求1所述的半导体设备的温控装置，其特征在于，所述加热元件包括加热电阻，所述温度响应元件包括温控开关，所述温度受控...
【专利技术属性】
技术研发人员：汪一鸣，
申请(专利权)人：申集半导体科技徐州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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