【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光通信，具体是利用光子晶体和性能优异的ito/ag/ito多层电极来构建超薄gaas太阳能电池结构。
技术介绍
1、光子晶体(photonic crystals,pc)是一类具有周期性介电常数变化的材料，通过其独特的结构特性，可以有效控制光子的传播行为。光子晶体的基本原理类似于半导体中的电子能带结构，利用周期性结构在空间中形成光学“能带”，从而在某些频率范围内产生光子带隙，即特定频率的光在晶体中无法传播。这种特性使得光子晶体在操控光的传输、反射和透射方面具有巨大的潜力。局域表面等离激元(localized surface plasmons，lsps)是由光激发引起的金属纳米颗表面上的局部电子振荡现象，这种振荡局限于纳米颗粒表面，并产生强烈的局域电磁场增强效应。
2、《apl materials》刊载了“ultrathin and easy-processing photonic crystalabsorbing layers to enhance light absorption efficiency of solar cells”一文。wan团队通过使用六角柱孔散射体，并分别讨论其内填充空气和二氧化硅的情况，研究发现光子晶体结构能够显著提高电池吸收层的吸收率。《energies》刊载了“application oftio2/ag/tio2 as an ohmic contact to an algaas layer in a gaas solar cell”一文。vitanov团队在gaas太阳能电池
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术的不足，通过对太阳能电池的光吸收率和光伏性能进行分析和选择，设计出一种超薄gaas太阳能电池结构。该结构通过采用前端ito/ag/ito透明电极和后端光子晶体的双重策略，使得吸收层厚度仅为500nm的gaas太阳能电池在可见光范围内的吸收率达到95％以上，最终光电转换效率达到了35.12％。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种基于光子晶体和ITO/Ag/ITO透明电极的高效超薄GaAs太阳能电池，其特征在于，底层为Al基底1，第二层为AlGaAs光子晶体2，其结构为四方晶格，晶格常数为a，圆柱的半径为R，厚度为h，被SiO2包裹，第三层为Al0.3Ga0.7As电子传输层3，第四层为GaAs吸收层4，第五层为Al0.75Ga0.25As空穴传输层5，顶层为SiO2和ITO/Ag/ITO透明电极6。
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体和ITO/Ag/ITO透明电极的高效超薄GaAs太阳能电池，其特征在于，所述AlGaAs光子晶体2的晶格常数a为450nm，半径R为120nm，厚度h为130nm。
3.根据权利要求1所述的基于光子晶体和ITO/Ag/ITO透明电极的高效超薄GaAs太阳能电池，其特征在于，所述ITO/Ag/ITO透明电极中的Ag纳米球阵列是镶嵌在ITO中部的，其周期为80nm，半径为25nm。
4.根据权利要求1所述的基于光子晶体和ITO/Ag/ITO透明电极的高效超薄GaAs太阳能电池，其特征在于，所述的GaAs吸收层4中的P型掺杂浓度和N型
...【技术特征摘要】
1.一种基于光子晶体和ito/ag/ito透明电极的高效超薄gaas太阳能电池，其特征在于，底层为al基底1，第二层为algaas光子晶体2，其结构为四方晶格，晶格常数为a，圆柱的半径为r，厚度为h，被sio2包裹，第三层为al0.3ga0.7as电子传输层3，第四层为gaas吸收层4，第五层为al0.75ga0.25as空穴传输层5，顶层为sio2和ito/ag/ito透明电极6。
2.根据权利要求1所述的基于光子晶体和ito/ag/ito透明电极的高效超薄gaas太阳能电池，其特征在于，所述a...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。