【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包含金属化合物的薄膜沉积用组合物、金属化合物的制备方法、利用其的含金属薄膜的制造方法以及由其制造的含金属薄膜。
技术介绍
1、近年来，对液晶显示、有机发光二极管等的薄膜型显示器电子元件的需求剧增，随之产生了对具有低电力、高像素、高可靠性且表现出优异性能的薄膜物质的需求。
2、过去，作为利用于显示器电子元件的薄膜物质中用得最广泛的是硅，然而现在，使用电荷移动性更高且与多晶硅相比更易于实施低温工艺的金属氧化物。由于金属氧化物具有宽的能带隙和优异的透光性，因此有望成为可以改善均匀性和移动性的物质，而这些正是传统硅的缺点。
3、特别是，第13族金属氧化物可以用作透明氧化物半导体材料，还可以作为电极、导电涂布材料等来应用。在第13族金属中，铟和镓具有优异的耐磨性能，并且具有与铝电线接触时电阻低的特性，因此广为利用。
4、当利用溅射(sputter)靶材通过溅射形成如上所述的金属薄膜时，沉积的薄膜的成分由溅射靶材决定，因此均匀地调节薄膜的成分存在局限性，并且当大面积沉积时，难以保持均匀的薄膜成分和均匀的厚度。
5、因此，为了克服所述问题，利用诸如原子层沉积法(atomic layer deposition，ald)、化学气相沉积法(chemical vapor deposition，cvd)和脉冲激光沉积法(pulsedlaser deposition，pld)的方式以替代溅射(spittering)方式进行制造。过去利用的作为金属前体的氯化铟(iii)在利用原子层沉积法、化
6、因此，作为可以解决上述问题的物质，需要开发高品质的金属前体，其不含有卤素，并且对高温的热稳定性优异，且挥发性高。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的目的在于，提供一种薄膜沉积用组合物，其包含表现出优异的挥发性和热稳定性的金属化合物。
3、本专利技术的另一个目的在于，提供一种金属化合物的制备方法。
4、本专利技术的另一个目的在于，提供一种薄膜的制造方法，其能够利用所述薄膜沉积用组合物表现出提高的沉积速率和再现性。
5、本专利技术提供一种高品质的含金属薄膜，其采用所述薄膜沉积用组合物，以具有规定成分并表现出均匀厚度。
6、用于解决问题的手段
7、本专利技术提供一种薄膜沉积用组合物，其包含由下述化学式1表示的金属化合物。
8、[化学式1]
9、
10、[在所述化学式1中，
11、m为in或ga；
12、为单键或双键；
13、ra至rc彼此独立地为c1-c7烷基；
14、r1至r8彼此独立地为氢或c1-c7烷基；
15、当所述为双键时，则r1、r3、r5和r7不存在。]
16、所述化学式1的m可以是in或ga，为单键或双键，ra至rc彼此独立地为c1-c4烷基，r1至r8彼此独立地为氢或c1-c4烷基。
17、根据本专利技术的一个实施例的所述金属化合物可以由下述化学式2表示。
18、[化学式2]
19、
20、[在所述化学式2中，
21、m为in或ga；
22、为单键或双键；
23、r为c1-c7烷基；
24、r11至r14彼此独立地为氢或c1-c7烷基。]
25、所述化学式2的m可以是in或ga，为单键或双键，r为c1-c4烷基，r11至r14彼此独立地为氢或c1-c4烷基。
26、根据一个实施例的所述金属化合物可以由下述化学式3表示。
27、[化学式3]
28、
29、[在所述化学式3中，
30、m为in或ga；
31、r为c1-c3烷基；
32、r21至r24彼此独立地为氢或c1-c4烷基。]
33、本专利技术提供根据一个实施例的由下述化学式1表示的金属化合物的制备方法，具体包括以下步骤：通过使由下述化学式11至15表示的化合物反应来制备由下述化学式1表示的化合物。
34、[化学式1]
35、
36、[化学式11]
37、mx3
38、[化学式12]
39、ramgxa
40、[化学式13]
41、rbmgxb
42、[化学式14]
43、rcmgxc
44、[化学式15]
45、
46、[在所述化学式1和化学式11至15中，
47、m为in或ga；
48、为单键或双键；
49、ra至rc彼此独立地为c1-c7烷基；
50、r1至r8彼此独立地为氢或c1-c7烷基；
51、x、xa、xb和xc彼此独立地为卤素；
52、当所述为双键，则r1、r3、r5和r7不存在。]
53、根据本专利技术的一个实施例的金属化合物的制备方法，在制造所述化学式1的步骤之后，还可以包括：投入极性溶剂并搅拌的步骤。
54、相对于由化学式1表示的化合物，投入的极性溶剂的量可以是2至5当量。
55、本专利技术提供根据一个实施例的利用金属化合物或包含其的薄膜沉积用组合物的含金属薄膜的制造方法。
56、所述含金属薄膜的制造方法，可以包括：步骤a)，使安装于腔室内的基板升温，步骤b)，向所述腔室内注入所述金属化合物或包含其的薄膜沉积用组合物，将其吸附到基板上，以及步骤c)，将反应气体注入到吸附有所述金属化合物或包含其的薄膜沉积用组合物的基板，以制造含金属薄膜；并且所述基板的温度可以是100至450℃。
57、本专利技术提供利用根据本专利技术的一个实施例的金属化合物或包含其的薄膜沉积用组合物来制造的含金属薄膜。
58、所述含金属薄膜的金属含量可以是20至60重量％。
59、专利技术的效果
60、本专利技术的包含金属化合物的薄膜沉积用组合物，通过包含具有特定结构的金属化合物来表现出高挥发性，并且可以具有优异的热稳定性和保存稳定性。
61、根据本专利技术的一个实施例的金属化合物的制备方法，可以通过简单工艺获得高收率，而且可以以高纯度制备化学式1的化合物。
62、本专利技术的含金属薄膜的制造方法，可以通过采用本专利技术的所述薄膜沉积用组合物来表现出提高的沉积速率，并且可以为立体装置提供均匀的台阶覆盖率。此外，利用本专利技术的所述薄膜沉积用组合物来制造的含金属薄膜可以具有均匀成分和均匀厚度，并且可以表本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种薄膜沉积用组合物，其特征在于，所述薄膜沉积用组合物包含由下述化学式1表示的金属化合物，
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
6.一种由下述化学式1表示的金属化合物的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的金属化合物的制备方法，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的金属化合物的制备方法，其特征在于，
9.一种含金属薄膜的制造方法，其特征在于，所述制造方法利用由下述化学式1表示的金属化合物或包含其的薄膜沉积用组合物，
10.根据权利要求9所述的含金属薄膜的制造方法，其特征在于，
11.根据权利要求10所述的含金属薄膜的制造方法，其特征在于，
12.一种含金属薄膜，其特征在于，所述含金属薄膜利用由下述化学式1表示的金属化合物或包含其的薄膜沉积用组合物来制造
13.根据权利要求12所述的含金属薄膜，其特征在于，
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种薄膜沉积用组合物，其特征在于，所述薄膜沉积用组合物包含由下述化学式1表示的金属化合物，
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积用组合物，其特征在于，
6.一种由下述化学式1表示的金属化合物的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的金属化合物的制备方法，其特征在于，
8....
【专利技术属性】
技术研发人员：权容熙，卞泰锡，全相勇，李相赞，任永宰，李相益，
申请(专利权)人：DNF有限公司，
类型：发明
国别省市：
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