【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及分析化学，尤其涉及一种晶相杂质的分析方法。
技术介绍
1、高钾血症是一种在慢性肾脏病（ckd）、心力衰竭（hf）和/或糖尿病患者中常见的电解质紊乱疾病，会对患者的神经肌肉、胃肠道功能造成损害，也会导致心律失常，严重可危及生命。ckd患者的持续高钾血与全因死亡率增加有关，hf住院患者中的高血钾与短期和长期死亡率增加有关。
2、现有的高血钾治疗药物为用于增加胃肠道钾排泄的药物，包括聚苯乙烯磺酸钠（sps）、聚苯乙烯磺酸钙（cps）、帕替罗姆钙（patiromer，veltassa™），其中patiromer是一种相对较新的治疗性钾结合树脂，sps和cps仅获批用于短期治疗高钾血症，但均无特异性，可能引起低镁血症、低钙血症、钠过量等，相关的药物与药物之间相互作用限制了与其他药物的联合使用。故可迅速且特异性降低血钾并维持正常血钾水平，具有可接受的安全性特征的新型口服药物仍尚未满足的临床需求。
3、环硅酸锆钠（sodium zirconium cyclosilicate，lokelma®，szc）为阿斯利康原研的治疗成人高血钾症的药物，2018年在欧盟和美国获批上市，2019年获批进口国内，2020年在日本上市剂型为散剂。scz是一种不吸收不溶解的非聚合物无机结晶性粉末，具有均匀的微孔结构，是高选择性的无机阳离子交换剂，以钠和氢离子作为交换，在肠道中捕获钾，经粪便排出体外，因而可减少过量血钾，纠正高钾血症。该粉末对钾离子具有高度亲和力，不受其它阳离子（如钙离子和镁离子）存在的影响。钾离子交换从上消化道
4、scz通过氢氧化钠、二氧化硅胶体、醋酸锆和纯化水在高温高压条件下通过水热合成工艺而制得。在scz的合成过程中可能因搅拌不充分而生成晶相杂质，如晶相杂质a（cpa）和晶相杂质b（cpb），与scz高度特异性的交换钾离子不同，cpa对交换的离子没有选择性，cpb对钾的交换容量较小（<1meq/g），且cpb的存在会降低scz的钾交换容量（kec），从而影响药效。但是目前尚无公开的文献报道过检测scz中晶相杂质如cpa和cpb的方法。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种晶相杂质的分析方法，采用本专利技术提供的方法能够简便快速且准确的检测环硅酸锆钠中晶相杂质如cpa和cpb的含量。
2、为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：
3、本专利技术提供了一种晶相杂质的分析方法，包括以下步骤：
4、获取待测环硅酸锆钠样品的x-射线衍射图谱；
5、根据晶相杂质的标准曲线或标准方程与所述待测环硅酸锆钠样品的x-射线衍射图谱，得到待测环硅酸锆钠样品中晶相杂质的含量；
6、所述标准曲线根据标准曲线样品中晶相杂质和环硅酸锆钠质量的比值，以及标准曲线样品的x-射线衍射图谱中晶相杂质和环硅酸锆钠特征衍射峰衍射强度的比值拟合得到；所述标准方程为所述标准曲线对应的线性方程；
7、所述标准曲线样品为空白环硅酸锆钠样品与晶相杂质对照品的混合物。
8、优选地，所述待测环硅酸锆钠样品为粉末状样品，所述待测环硅酸锆钠样品的x-射线衍射图谱为粉末x-射线衍射图谱，所述待测环硅酸锆钠样品的粉末x-射线衍射图谱的获取方法包括：采用x-射线衍射仪对粉末状的待测环硅酸锆钠样品进行扫描，得到待测环硅酸锆钠样品的粉末x-射线衍射图谱；
9、所述标准曲线样品为粉末状样品，所述标准曲线样品的x-射线衍射图谱为粉末x-射线衍射图谱，所述标准曲线样品的粉末x-射线衍射图谱的获取方法包括：采用x-射线衍射仪对粉末状的标准曲线样品进行扫描，得到标准曲线样品的粉末x-射线衍射图谱。
10、优选地，所述晶相杂质包括晶相杂质a和/或晶相杂质b；分析所述晶相杂质a时，所述扫描的2θ角范围为1~25°；分析所述晶相杂质b时，所述扫描的2θ角范围为10~20°。
11、优选地，在所述晶相杂质a的检测条件下进行扫描时，所述晶相杂质a的特征衍射峰2θ角包括6.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角包括11.9°±0.2°、13.8°±0.2°、15.5°±0.2°和17.0°±0.2°。
12、优选地，在所述晶相杂质b的检测条件下进行扫描时，所述晶相杂质b的特征衍射峰2θ角包括14.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角包括13.9°±0.2°和15.5°±0.2°。
13、优选地，所述扫描的条件包括：使用bruker d8 x-射线衍射仪，采用cu kα靶，管压为40.0kv，管流为40.0ma；前置索拉狭缝为4.1°，次级索拉狭缝为4°，发散狭缝为0.6mm，探测器为lynxeye_xe_t阵列探测器，θ~2θ联动连续扫描。
14、优选地，分析所述晶相杂质a时，所述扫描的速率为1°/分钟，扫描的2θ角范围为5°~18°；所述晶相杂质a的特征衍射峰2θ角为6.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角为15.5°±0.2°。
15、优选地，分析所述晶相杂质b时，所述扫描的速率为0.04°/分钟，扫描的2θ角范围为13.5°~16°；所述晶相杂质b的特征衍射峰2θ角为14.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角为15.5°±0.2°。
16、优选地，所述扫描的步宽为0.02°。
17、优选地，所述标准曲线样品中晶相杂质对照品的质量分数为1~25%。
18、本专利技术提供了一种晶相杂质的分析方法，包括以下步骤：获取待测环硅酸锆钠样品的x-射线衍射图谱；根据晶相杂质的标准曲线或标准方程与所述待测环硅酸锆钠样品的x-射线衍射图谱，得到待测环硅酸锆钠样品中晶相杂质的含量；所述标准曲线根据标准曲线样品中晶相杂质和环硅酸锆钠质量的比值，以及标准曲线样品的x-射线衍射图谱中晶相杂质和环硅酸锆钠特征衍射峰衍射强度的比值拟合得到；所述标准方程为所述标准曲线对应的线性方程；所述标准曲线样品为空白环硅酸锆钠样品与晶相杂质对照品的混合物。采用本专利技术提供的方法能够简便快速且准确的检测环硅酸锆钠中晶相杂质如cpa和cpb的含量，同时还具有线性范围宽、线性关系良好、精密度好、耐用性好、检测灵敏度高的优势。
19、进一步地，本专利技术所述待测环硅酸锆钠样品可以为粉末状样品，所述待测环硅酸锆钠样品的x-射线衍射图谱为粉末x-射线衍射图谱，所述待测环硅酸锆钠样品的粉末x-射线衍射图谱的获取方法包括：采用x-射线衍射仪对粉末状的待测环硅本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶相杂质的分析方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述待测环硅酸锆钠样品为粉末状样品，所述待测环硅酸锆钠样品的X-射线衍射图谱为粉末X-射线衍射图谱，所述待测环硅酸锆钠样品的粉末X-射线衍射图谱的获取方法包括：采用X-射线衍射仪对粉末状的待测环硅酸锆钠样品进行扫描，得到待测环硅酸锆钠样品的粉末X-射线衍射图谱；
3.根据权利要求2所述的分析方法，其特征在于，所述晶相杂质包括晶相杂质A和/或晶相杂质B；分析所述晶相杂质A时，所述扫描的2θ角范围为1~25°；分析所述晶相杂质B时，所述扫描的2θ角范围为10~20°。
4.根据权利要求3所述的分析方法，其特征在于，在所述晶相杂质A的检测条件下进行扫描时，所述晶相杂质A的特征衍射峰2θ角包括6.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角包括11.9°±0.2°、13.8°±0.2°、15.5°±0.2°和17.0°±0.2°。
5.根据权利要求3所述的分析方法，其特征在于，在所述晶相杂质B的检测条件下进行扫描时，所述晶相杂质B的特征衍射峰2θ角包括
6.根据权利要求2~5任一项所述的分析方法，其特征在于，所述扫描的条件包括：使用Bruker D8 X-射线衍射仪，采用Cu Kα靶，管压为40.0kV，管流为40.0mA；前置索拉狭缝为4.1°，次级索拉狭缝为4°，发散狭缝为0.6mm，探测器为LynxEye_XE_T阵列探测器，θ~2θ联动连续扫描。
7.根据权利要求6所述的分析方法，其特征在于，分析所述晶相杂质A时，所述扫描的速率为1°/分钟，扫描的2θ角范围为5°~18°；所述晶相杂质A的特征衍射峰2θ角为6.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角为15.5°±0.2°。
8.根据权利要求6所述的分析方法，其特征在于，分析所述晶相杂质B时，所述扫描的速率为0.04°/分钟，扫描的2θ角范围为13.5°~16°；所述晶相杂质B的特征衍射峰2θ角为14.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角为15.5°±0.2°。
9.根据权利要求7或8所述的分析方法，其特征在于，所述扫描的步宽为0.02°。
10.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述标准曲线样品中晶相杂质对照品的质量分数为1~25%。
...【技术特征摘要】
1.一种晶相杂质的分析方法，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的分析方法，其特征在于，所述待测环硅酸锆钠样品为粉末状样品，所述待测环硅酸锆钠样品的x-射线衍射图谱为粉末x-射线衍射图谱，所述待测环硅酸锆钠样品的粉末x-射线衍射图谱的获取方法包括：采用x-射线衍射仪对粉末状的待测环硅酸锆钠样品进行扫描，得到待测环硅酸锆钠样品的粉末x-射线衍射图谱；
3.根据权利要求2所述的分析方法，其特征在于，所述晶相杂质包括晶相杂质a和/或晶相杂质b；分析所述晶相杂质a时，所述扫描的2θ角范围为1~25°；分析所述晶相杂质b时，所述扫描的2θ角范围为10~20°。
4.根据权利要求3所述的分析方法，其特征在于，在所述晶相杂质a的检测条件下进行扫描时，所述晶相杂质a的特征衍射峰2θ角包括6.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角包括11.9°±0.2°、13.8°±0.2°、15.5°±0.2°和17.0°±0.2°。
5.根据权利要求3所述的分析方法，其特征在于，在所述晶相杂质b的检测条件下进行扫描时，所述晶相杂质b的特征衍射峰2θ角包括14.6°±0.2°，环硅酸锆钠的特征衍射峰2θ角包括13.9°±0.2...
【专利技术属性】
技术研发人员：东广振，田洪，王皖，邵琪，袁灿，况斌，
申请(专利权)人：北京华睿鼎信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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