【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及例如用于在半导体制造工艺中将半导体晶圆彼此接合的半导体晶圆的接合装置及接合方法。
技术介绍
1、作为以往的半导体制造工艺的一部分的混合接合例如具有等离子体处理工序、清洗工序、干燥工序及接合工序。
2、在等离子体处理工序中，使大气压等离子体或真空等离子体作用于半导体晶圆而使半导体晶圆的表面活化。在清洗工序中，例如，一边使半导体晶圆绕中心轴旋转，一边滴下清洗液（纯水或药液）来清洗半导体晶圆的表面。在干燥工序中，一边使半导体晶圆绕中心轴高速旋转，一边利用离心力使半导体晶圆的表面的水滴飞散。在接合工序中，使从等离子体处理工序经过干燥工序的上下2张半导体晶圆彼此相对并通过接合装置接合。
3、在此，在以往的接合装置中，将半导体晶圆载置在彼此相对地配置的平面状的工作台上，利用中心推杆（杆）按压彼此相对的一对半导体晶圆中的一方的中心，从而将半导体晶圆彼此接合（参照专利文献1）。
4、现有技术文献
5、专利文献
6、专利文献1：日本专利第7148197号公报
7、专利技术所要解决的课题
8、但是，在利用杆按压半导体晶圆的过程中，应力集中作用于半导体晶圆，并且半导体晶圆挠曲，产生半导体晶圆的品质恶化的技术问题。特别是sic晶圆硬且脆，因此在sic晶圆挠曲的过程中有时会产生致命的品质劣化。
9、此外，sic晶圆是指由硅（si）和碳（c）构成的化合物半导体材料。
技术实现思路
1、因此，鉴于上述课
2、用于解决课题的技术方案
3、第一技术方案为一种半导体晶圆的接合装置，用于在真空环境下不使用中心推杆而将在相对配置的一对工作台上彼此相对的半导体晶圆彼此接合，其中，在一对所述工作台设置有接触面积减小部，所述接触面积减小部用于减小与所述半导体晶圆的接触面积，所述半导体晶圆被所述接触面积减小部支承。
4、在该情况下，所述接触面积减小部优选由多个突状部件构成。
5、在该情况下，所述突状部件的前端部优选由曲面形成，所述曲面用于减小突状部件的前端部与所述半导体晶圆的接触面积。
6、在该情况下，优选在所述一对工作台的至少一方具备密封部件，所述密封部件用于在所述半导体晶圆的接合时维持真空环境，在一对所述工作台相互接近时，所述密封部件彼此接触，从而调整所述半导体晶圆彼此的分离距离。
7、第二技术方案是一种半导体晶圆的接合方法，用于在真空环境下不使用中心推杆而将在相对配置的一对工作台上彼此相对的半导体晶圆彼此接合，其中，在一对所述工作台设置有接触面积减小部，所述接触面积减小部用于减小与所述半导体晶圆的接触面，通过利用所述接触面积减小部支承所述半导体晶圆而将所述半导体晶圆彼此接合。
8、在该情况下，优选利用多个突状部件作为所述接触面积减小部。
9、在该情况下，优选与所述半导体晶圆接触的所述突状部件的前端部形成为曲面状。
10、在该情况下，优选在一对所述工作台的至少一方具备密封部件，所述密封部件用于在所述半导体晶圆的接合时维持真空环境，在一对所述工作台相互接近时，所述密封部件彼此接触，从而调整所述半导体晶圆彼此的分离距离。
11、专利技术效果
12、根据本专利技术，能够通过简易的结构，在半导体制造工艺中的半导体晶圆彼此的接合时防止半导体晶圆的劣化。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体晶圆的接合装置，用于在真空环境下不使用中心推杆而将在相对配置的一对工作台上彼此相对的半导体晶圆彼此接合，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的接合装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的接合装置，其中，
4.一种半导体晶圆的接合方法，用于在真空环境下不使用中心推杆而将在相对配置的一对工作台上彼此相对的半导体晶圆彼此接合，其中，
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆的接合方法，其中，
6.根据权利要求5所述的半导体晶圆的接合方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶圆的接合装置，用于在真空环境下不使用中心推杆而将在相对配置的一对工作台上彼此相对的半导体晶圆彼此接合，其中，
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的接合装置，其中，
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的接合装置，其中，
...【专利技术属性】
技术研发人员：长田厚，王笑寒，
申请(专利权)人：矽赫微科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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