【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种多闪存芯片堆叠封装结构，属于集成电路先进高堆叠存储器封装。
技术介绍
1、在芯片成品制造环节中，目前市场对于传统打线封装的依赖仍居高不下，传统的芯片堆叠数量少，往往只有4颗或8颗，因此最终产品的存储密度低，且传统堆叠结构简单，芯片较厚，很难容纳多颗芯片，若要扩大存储容量，需要更大的封装尺寸，但是随着信息数据大爆炸时代的来临，市场对于使用多芯片堆叠技术来实现同尺寸器件中的高存储密度的需求也日益增加，特别是在移动设备、智能家居、汽车电子等领域。
技术实现思路
1、本技术目的是为了克服现有技术的不足而提供一种多闪存芯片堆叠封装结构。
2、为达到上述目的，本技术采用的技术方案是：一种多闪存芯片堆叠封装结构，包含基板、左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体；所述左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体均通过环氧树脂封装在基板上；所述左侧闪存芯片堆叠体具有多层，多层所述左侧闪存芯片堆叠体通过daf膜依次阶梯堆叠在基板上；所述右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体相同，且右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体对称设置。
3、优选的，所述左侧闪存芯片堆叠体分为第一闪存芯片堆叠组、第二闪存芯片堆叠组、第三闪存芯片堆叠组和第四闪存芯片堆叠组；所述第一闪存芯片堆叠组、第二闪存芯片堆叠组、第三闪存芯片堆叠组和第四闪存芯片堆叠组均通过daf膜依次阶梯堆叠在基板上，相邻所述闪存芯片堆叠组的堆叠方向相反。
4、优选的，所述第一闪存芯片堆叠组、第二闪存芯片堆叠组、第
5、优选的，所述基板的底面上均匀设置有多个锡球。
6、由于上述技术方案的运用，本技术与现有技术相比具有下列优点：
7、1、将更多的闪存芯片堆叠在一起，减少了电路板的数量和尺寸，提高了存储的集成度；同时更多闪存芯片紧密的结构，也减小了封装体积。
8、2、由于多闪存芯片的堆叠，可以实现更高的带宽和更快的传输速度，从而提高了整个系统的性能。
9、3、隐形切割技术(sdbg)，多芯片堆叠拾取贴合技术，超低稳定线弧控制技术和负压设备环境异物控制技术的应用使得多闪存芯片堆叠封装产品顺利量产。
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1.一种多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：包含基板(1)、左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体；所述左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体均通过环氧树脂(8)封装在基板(1)上；所述左侧闪存芯片堆叠体具有多层，多层所述左侧闪存芯片堆叠体通过DAF膜(3)依次阶梯堆叠在基板(1)上；所述右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体相同，且右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体对称设置。
2.根据权利要求1所述的一种多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：所述左侧闪存芯片堆叠体分为第一闪存芯片堆叠组(2)、第二闪存芯片堆叠组(5)、第三闪存芯片堆叠组(6)和第四闪存芯片堆叠组(7)；所述第一闪存芯片堆叠组(2)、第二闪存芯片堆叠组(5)、第三闪存芯片堆叠组(6)和第四闪存芯片堆叠组(7)均通过DAF膜(3)依次阶梯堆叠在基板(1)上，相邻所述闪存芯片堆叠组的堆叠方向相反。
3.根据权利要求2所述的一种多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：所述第一闪存芯片堆叠组(2)、第二闪存芯片堆叠组(5)、第三闪存芯片堆叠组(6)和第四闪存芯片堆叠组(7)均包括四层闪存芯片，每个闪
4.根据权利要求1所述的一种多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：所述基板(1)的底面上均匀设置有多个锡球(9)。
...【技术特征摘要】
1.一种多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：包含基板(1)、左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体；所述左侧闪存芯片堆叠体和右侧闪存芯片堆叠体均通过环氧树脂(8)封装在基板(1)上；所述左侧闪存芯片堆叠体具有多层，多层所述左侧闪存芯片堆叠体通过daf膜(3)依次阶梯堆叠在基板(1)上；所述右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体相同，且右侧闪存芯片堆叠体与左侧闪存芯片堆叠体对称设置。
2.根据权利要求1所述的一种多闪存芯片堆叠封装结构，其特征在于：所述左侧闪存芯片堆叠体分为第一闪存芯片堆叠组(2)、第二闪存芯片堆叠组(5)、第三闪存芯片堆叠组(6)和第四闪存芯片堆叠组(7)；所述第一闪存芯片堆叠组(2)、...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩磊磊，
申请(专利权)人：太极半导体苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：
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