【技术实现步骤摘要】
本公开涉及电力电子功率器件领域，特别涉及一种晶体管及其制备方法。
技术介绍
1、高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor，hemt)是一种异质结场效应晶体管，广泛应用于无线通讯、汽车电子等领域。
2、相关技术提供了一种晶体管，晶体管结构包括：沟道层、势垒层和p-gan层。
3、在晶体管制作过程中，p-gan层的刻蚀会造成对势垒层的损伤大，影响晶体管质量。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶体管及其制备方法，能够明显提高p-gan层刻蚀选择比，以及避免势垒层被刻蚀，提升晶体管的稳定性。所述技术方案如下：
2、一方面，提供了一种晶体管，所述晶体管包括：沟道层、势垒层、刻蚀阻挡层和p-gan层；
3、所述势垒层、所述刻蚀阻挡层和所述p-gan层依次层叠在所述沟道层上，所述p-gan层开设有延伸到所述刻蚀阻挡层的台阶结构。
4、可选地，所述刻蚀阻挡层为inxalygazn层，其中，x、y和z均大于0。
5、可选地，所述x为0.1，所述y为0.2，所述z为0.7。
6、可选地，所述刻蚀阻挡层的厚度为1～10nm。
7、另一方面，一种晶体管制备方法，所述晶体管制备方法包括：
8、制作沟道层；
9、在所述沟道层上制作势垒层；
10、在所述势垒层上制作刻蚀阻挡层；
11、在所述刻蚀阻挡层上制作p-gan
12、对所述p-gan层进行图形化处理，使所述p-gan层开设有延伸到所述刻蚀阻挡层的台阶结构。
13、可选地，所述对所述p-gan层进行图形化处理，包括：
14、在所述p-gan层上生长sio2介质层；
15、在所述sio2介质层形成光刻胶掩膜层；
16、在所述光刻胶掩膜层遮挡下，对sio2介质层进行刻蚀；
17、在刻蚀后的所述sio2介质层遮挡下，对所述p-gan层进行刻蚀。
18、可选地，在刻蚀后的所述sio2介质层遮挡下，对所述p-gan层进行刻蚀，包括：
19、设置主刻蚀程序和过刻蚀程序的刻蚀条件；
20、在所述主刻蚀程序和所述过刻蚀程序的刻蚀条件下，在刻蚀后的所述sio2介质层遮挡下，对所述p-gan层进行刻蚀。
21、可选地，所述主刻蚀程序的刻蚀条件如下：刻蚀压力为2～4mt，刻蚀功率为140～160w，偏压功率为70～90w，cl2的气体流量为40～60sccm，ar的气体流量为1～10sccm；
22、所述过刻蚀程序的刻蚀条件如下：刻蚀压力为4～6mt，刻蚀功率为140～160w，偏压功率为20～40w，bcl3的气体流量为20～40sccm，n2的气体流量为10～20sccm，sf6的气体流量为10～20sccm。
23、可选地，所述刻蚀阻挡层为inxalygazn层，其中，x、y和z均大于0。
24、可选地，所述x为0.1，所述y为0.2，所述z为0.7。
25、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
26、在本公开实施例中，通过在外延结构的势垒层和p-gan层之间加入刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层在刻蚀过程中刻蚀速率较慢，提高p-gan层对刻蚀阻挡层的选择比；同时防止势垒层在p-gan层刻蚀过程中被刻蚀，提升了晶体管的稳定性。
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1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：沟道层(101)、势垒层(102)、刻蚀阻挡层(103)和p-GaN层(104)；
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层(103)为InxAlyGazN层，其中，x、y和z均大于0。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述x为0.1，所述y为0.2，所述z为0.7。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层(103)的厚度为1～10nm。
5.一种晶体管制备方法，其特征在于，所述晶体管制备方法包括：
6.根据权利要求5所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述对所述p-GaN层进行图形化处理，包括：
7.根据权利要求6所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述在刻蚀后的所述SiO2介质层遮挡下，对所述p-GaN层进行刻蚀，包括：
8.根据权利要求7所述的晶体管制备方法，其特征在于，
9.根据权利要求6至8任一项所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为InxAlyGazN层，其中，x、y和z均
10.根据权利要求9所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述x为0.1，所述y为0.2，所述z为0.7。
...【技术特征摘要】
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：沟道层(101)、势垒层(102)、刻蚀阻挡层(103)和p-gan层(104)；
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层(103)为inxalygazn层，其中，x、y和z均大于0。
3.根据权利要求2所述的晶体管，其特征在于，所述x为0.1，所述y为0.2，所述z为0.7。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述刻蚀阻挡层(103)的厚度为1～10nm。
5.一种晶体管制备方法，其特征在于，所述晶体管制备方法包括：
6...
【专利技术属性】
技术研发人员：莫中友，王珺楠，李泽尧，
申请(专利权)人：京东方华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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