【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微波器件在片校准，更进一步涉及一种探针用多端口校准片。
技术介绍
1、随着5g、卫星通信等新一代通信技术的迅猛发展以及半导体制造工艺的不断进步，射频收发芯片的集成度和复杂性显著提高。特别是波束赋形芯片等多端口射频收发芯片，其测试端口数量日益增多，测试频率范围也从射频频段扩展到微波毫米波频段。这些变化对微波探针的校准技术提出了更高的要求。
2、现有的微波校准片多以双端口校准为主，而对于多端口（三端口及以上）的校准片多以双端口校准片直接组合进行使用，未做一体化设计，这样就会使得校准片尺寸较大，校准性能也未能达到最优效果。
3、对于本领域的技术人员来说，如何改善校准片性能，是目前需要解决的技术问题。
技术实现思路
1、本专利技术的核心是提供一种探针用多端口校准片，通过校准图形的设计，改善校准片性能，提升校准过程的准确性，具体方案如下：
2、一种探针用多端口校准片，包括衬底、校准图形和对齐标记图形，所述衬底的表面设置至少一组所述校准图形，每组所述校准图形对应设有一个所述对齐标记图形；所述对齐标记图形用于校准探针针脚的相对位置，每组所述校准图形适配于相同规格的探针针脚；
3、每个所述校准图形包括地金属导体和信号金属导体；所述地金属导体环绕包围所述信号金属导体；所述地金属导体和所述信号金属导体之间形成间隔区域作为开路结构；所述校准图形呈中心对称设置。
4、可选地，还包括薄膜电阻，所述薄膜电阻设置在一些所述校准图形当中，用
5、可选地，同一组当中的各个所述校准图形的图形样式各不相同。
6、可选地，所述校准图形包括open、short、load、thru四种形式的图形样式。
7、可选地，thru形式的图形样式包括直线型、折线型、斜线型、圆弧型。
8、可选地，thru形式的直线型、折线型、斜线型图形样式中，连接两个针脚的所述信号金属导体周围的所述间隔区域的两端宽度大于中间宽度。
9、可选地，一个所述衬底设置一个open形式、一个short形式、一个load形式的所述校准图形，三个thru形式的所述校准图形；
10、open形式的所述校准图形设置四个矩形所述间隔区域和四个矩形所述信号金属导体；四个所述信号金属导体分别位于所述地金属导体的边缘中间；
11、short形式的所述校准图形设置四个矩形所述间隔区域和四个矩形所述信号金属导体；四个所述信号金属导体分别位于所述地金属导体的边缘中间；所述信号金属导体与所述地金属导体设置短路导体金属；
12、load形式的所述校准图形设置四个矩形所述间隔区域和四个矩形所述信号金属导体；四个所述信号金属导体分别位于所述地金属导体的边缘中间；所述信号金属导体与所述地金属导体设置薄膜电阻；
13、其中一个thru形式所述校准图形设置一个横向哑铃形所述间隔区域和一个横向哑铃形所述信号金属导体；另一个thru形式所述校准图形设置一个竖向哑铃形所述间隔区域和一个竖向哑铃形所述信号金属导体；另一个thru形式所述校准图形设置四个圆弧形所述间隔区域和四个圆弧形所述信号金属导体。
14、可选地，一个所述衬底设置一个open形式、一个short形式、一个load形式的所述校准图形，四个thru形式的所述校准图形；
15、open形式的所述校准图形设置四个矩形所述间隔区域和四个矩形所述信号金属导体；四个所述信号金属导体分别位于所述地金属导体的顶角；
16、short形式的所述校准图形设置四个矩形所述间隔区域和四个矩形所述信号金属导体；四个所述信号金属导体分别位于所述地金属导体的顶角；所述信号金属导体与所述地金属导体设置短路导体金属；
17、load形式的所述校准图形设置四个矩形所述间隔区域和四个矩形所述信号金属导体；四个所述信号金属导体分别位于所述地金属导体的顶角；所述信号金属导体与所述地金属导体设置薄膜电阻；
18、其中一个thru形式所述校准图形设置两个横向哑铃形所述间隔区域和两个横向哑铃形所述信号金属导体；另一个thru形式所述校准图形设置两个折线型所述间隔区域和两个折线型所述信号金属导体；另一个thru形式所述校准图形的所述信号金属导体设置四个触点，其中触点1、触点3斜向导通，触点2、触点4分别与所述地金属导体设置薄膜电阻；另一个thru形式所述校准图形的所述信号金属导体设置四个触点，其中触点2、触点4斜向导通，触点1、触点3分别与所述地金属导体设置薄膜电阻。
19、可选地，thru形式中斜线型的空端口设置50ω的负载；
20、所述校准图形为共面波导结构，共面波导的尺寸选择接近50ω。
21、可选地，所述衬底采用gaas制成，厚度为620um、介电常数为12.9；
22、所述地金属导体和所述信号金属导体为采用金制成，厚度为4um；
23、所述薄膜电阻为镍铬合金，厚度为0.035um，对应的方形薄膜电阻阻值为50ω±1ω；
24、所述对齐标记图形采用厚度为4um的金制成。
25、本专利技术提供一种探针用多端口校准片，校准图形和对齐标记图形设置于衬底的表面，至少一组校准图形，每组校准图形对应设有一个所述对齐标记图形，通过对齐标记图形校准探针针脚的相对位置，校准位置后，探针针脚可以对一组当中的各个校准图形进行校准检测，减小整个校准片尺寸，提升性能；校准图形包括地金属导体和信号金属导体，其中地金属导体环绕包围信号金属导体；地金属导体和信号金属导体之间形成间隔区域作为开路结构；本专利技术将地金属导体环绕包围信号金属导体，使接地的性能更好，提升校准过程的准确性。校准图形呈中心对称设置，可以同时对多个探针构成的组合进行校准操作，便于校准操作。
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1.一种探针用多端口校准片，其特征在于，包括衬底（1）、校准图形（2）和对齐标记图形（3），所述衬底（1）的表面设置至少一组所述校准图形（2），每组所述校准图形（2）对应设有一个所述对齐标记图形（3）；所述对齐标记图形（3）用于校准探针针脚的相对位置，每组所述校准图形（2）适配于相同规格的探针针脚；
2.根据权利要求1所述的探针用多端口校准片，其特征在于，还包括薄膜电阻（23），所述薄膜电阻（23）设置在一些所述校准图形（2）当中，用于跨过所述间隔区域（24）以连接于所述地金属导体（21）和所述信号金属导体（22）。
3.根据权利要求1所述的探针用多端口校准片，其特征在于，同一组当中的各个所述校准图形（2）的图形样式各不相同。
4.根据权利要求2所述的探针用多端口校准片，其特征在于，所述校准图形（2）包括Open、Short、Load、Thru四种形式的图形样式。
5.根据权利要求4所述的探针用多端口校准片，其特征在于，Thru形式的图形样式包括直线型、折线型、斜线型、圆弧型。
6.根据权利要求5所述的探针用多端口校准片
7.根据权利要求6所述的探针用多端口校准片，其特征在于，一个所述衬底（1）设置一个Open形式、一个Short形式、一个Load形式的所述校准图形（2），三个Thru形式的所述校准图形（2）；
8.根据权利要求6所述的探针用多端口校准片，其特征在于，一个所述衬底（1）设置一个Open形式、一个Short形式、一个Load形式的所述校准图形（2），四个Thru形式的所述校准图形（2）；
9.根据权利要求7或8所述的探针用多端口校准片，其特征在于，Thru形式中斜线型的空端口设置50Ω的负载；
10.根据权利要求2所述的探针用多端口校准片，其特征在于，所述衬底（1）采用GaAs制成，厚度为620um、介电常数为12.9；
...【技术特征摘要】
1.一种探针用多端口校准片，其特征在于，包括衬底（1）、校准图形（2）和对齐标记图形（3），所述衬底（1）的表面设置至少一组所述校准图形（2），每组所述校准图形（2）对应设有一个所述对齐标记图形（3）；所述对齐标记图形（3）用于校准探针针脚的相对位置，每组所述校准图形（2）适配于相同规格的探针针脚；
2.根据权利要求1所述的探针用多端口校准片，其特征在于，还包括薄膜电阻（23），所述薄膜电阻（23）设置在一些所述校准图形（2）当中，用于跨过所述间隔区域（24）以连接于所述地金属导体（21）和所述信号金属导体（22）。
3.根据权利要求1所述的探针用多端口校准片，其特征在于，同一组当中的各个所述校准图形（2）的图形样式各不相同。
4.根据权利要求2所述的探针用多端口校准片，其特征在于，所述校准图形（2）包括open、short、load、thru四种形式的图形样式。
5.根据权利要求4所述的探针用多端口校准片，其特征在于，thru形式的图形样式包括直线...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙学良，袁婷婷，陈高鹏，
申请(专利权)人：烟台睿创微纳技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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