【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是指一种硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法。
技术介绍
1、在硅片加工过程中，要加入掺杂剂进行调整硅片的电阻率，其中，掺杂剂加入较多的硅片被称为重掺的硅片，重掺的硅片因为掺杂较多的掺杂剂需要进行背封处理，以防止在后续的外延生长过程中，掺杂剂会扩散到气体中并部分随着气体进入新长的外延层中。
2、在对硅片进行背封处理后还需要对硅片进行边缘刻蚀，以防止在后续的外延生长过程中出现边缘的缺陷或位错。在对硅片进行边缘刻蚀时，是通过对硅片的两个相对的表面进行挤压固定，对硅片边缘留出需要刻蚀的宽度后，再对硅片边缘进行刻蚀，但是在对硅片进行挤压固定时，挤压压力无法控制，挤压压力过大，会对硅片造成损伤，产生碎片，挤压压力过小，就会导致不需要被刻蚀的地方被刻蚀，影响硅片品质。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种硅片边缘刻蚀设备和硅片边缘刻蚀方法，用以解决现有技术中对硅片进行边缘刻蚀时，挤压固定硅片的压力无法控制的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：
3、本专利技术实施例提供一种硅片边缘刻蚀设备，包括：
4、在竖直方向上相对设置的上承载台和下承载台，硅片位于所述下承载台朝向所述上承载台的一侧，所述上承载台能够在竖直方向上移动和/或所述下承载台能够在竖直方向上移动；
5、控制器，所述控制器与所述上承载台连接和/或与所述下承载台连接，所述控制器用于获取所述硅片的厚度，并根据所述厚度控制
6、一些实施例中，所述硅片边缘刻蚀设备，还包括：
7、厚度检测组件，所述厚度检测组件设置于所述上承载台和所述下承载台的侧边，且所述厚度检测组件与所述控制器连接；
8、所述厚度检测组件用于检测所述硅片的厚度，并向所述控制器发送所述硅片的厚度。
9、一些实施例中，在将所述硅片放置于所述下承载台朝向所述上承载台的一侧之前，所述控制器还用于控制所述下承载台位于第一预设高度，以及控制所述上承载台位于第二预设高度，其中，所述第二预设高度高于所述第一预设高度，且所述第一预设高度与所述第二预设高度之间的高度差值大于所述硅片的厚度。
10、一些实施例中，所述控制器具体用于根据所述高度差值和所述硅片的厚度确定移动距离；
11、以及，所述控制器还具体用于以下至少一项：
12、控制所述上承载台在竖直方向上向下移动所述移动距离；
13、控制所述下承载台在竖直方向上向上移动所述移动距离；
14、控制所述上承载台在竖直方向上向下移动第一距离，控制所述下承载台在竖直方向上向上移动第二距离，其中，所述移动距离等于所述第一距离和所述第二距离之和。
15、一些实施例中，所述上承载台朝向所述硅片的第一承载面的尺寸小于所述硅片的上表面的尺寸；
16、所述下承载台朝向所述硅片的第二承载面的尺寸小于所述硅片的下表面的尺寸；
17、通过所述第一承载面和所述第二承载面，暴露出所述硅片的边缘。
18、一些实施例中，所述硅片边缘刻蚀设备，还包括：
19、喷头，所述喷头设置于所述硅片边缘，且所述喷头用于向所述硅片边缘喷射刻蚀液。
20、一些实施例中，所述下承载台通过真空吸附的方式固定所述硅片。
21、一些实施例中，所述上承载台和所述下承载台同轴设置；
22、所述硅片的中心轴位于所述上承载台和所述下承载台的轴线上。
23、一些实施例中，所述第一承载面的边缘上设置有密封圈；
24、所述第二承载面的边缘上设置有密封圈。
25、本专利技术实施例还提供一种硅片边缘刻蚀方法，应用于如上中任一项所述的硅片边缘刻蚀设备，所述方法包括：
26、获取硅片的厚度；
27、将所述硅片放置在所述下承载台朝向所述上承载台的一侧；
28、根据所述厚度控制所述上承载台在竖直方向上移动和/或控制所述下承载台在竖直方向上移动，以使所述上承载台与所述下承载台之间的距离等于所述硅片的厚度；
29、其中，所述上承载台和所述下承载台在竖直方向上相对设置。
30、本专利技术的实施例具有以下有益效果：
31、本专利技术实施例提供的硅片边缘刻蚀设备，先将硅片设置于下承载台朝向上承载台的一侧，即设置于下承载台的上方，控制器获取该硅片的厚度，根据该厚度控制上承载台在竖直方向上移动和/或控制下承载台在竖直方向上移动，以使得上承载台与下承载台之间的距离等于该硅片的厚度，在此种情况下，使得上承载台和下承载台均刚好与硅片表面接触，且上承载台、下承载台与硅片之间也不会产生过大的压力，即通过距离的移动能够更好的控制上承载台、下承载台与硅片之间的压力，能够避免上承载台、下承载台与硅片之间的过大压力发生碎片，也能够通过上承载台和下承载台固定住硅片，防止硅片在后续加工过程中发生偏移，还能够通过上承载台覆盖住硅片上表面不需被刻蚀的区域，避免这些不需被刻蚀的区域产生刻蚀。
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1.一种硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，在将所述硅片放置于所述下承载台朝向所述上承载台的一侧之前，所述控制器还用于控制所述下承载台位于第一预设高度，以及控制所述上承载台位于第二预设高度，其中，所述第二预设高度高于所述第一预设高度，且所述第一预设高度与所述第二预设高度之间的高度差值大于所述硅片的厚度。
4.根据权利要求3所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，所述控制器具体用于根据所述高度差值和所述硅片的厚度确定移动距离；
5.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上承载台朝向所述硅片的第一承载面的尺寸小于所述硅片的上表面的尺寸；
6.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，还包括：
7.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，所述下承载台通过真空吸附的方式固定所述硅片。
8.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，所述上承载台和所述下
9.根据权利要求5所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，所述第一承载面的边缘上设置有密封圈；
10.一种硅片边缘刻蚀方法，其特征在于，应用于如权利要求1-9中任一项所述的硅片边缘刻蚀设备，所述方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，在将所述硅片放置于所述下承载台朝向所述上承载台的一侧之前，所述控制器还用于控制所述下承载台位于第一预设高度，以及控制所述上承载台位于第二预设高度，其中，所述第二预设高度高于所述第一预设高度，且所述第一预设高度与所述第二预设高度之间的高度差值大于所述硅片的厚度。
4.根据权利要求3所述的硅片边缘刻蚀设备，其特征在于，所述控制器具体用于根据所述高度差值和所述硅片的厚度确定移动距离；
5.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦鹏，孙介楠，郭宏雁，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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