【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及半导体装置。
技术介绍
1、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effecttransistor(mosfet))内置反并联地连接的二极管。在二极管动作时，优选提高反向恢复特性。
2、作为提高二极管动作时的反向恢复特性的方法，已知向漂移层中导入重金属等，控制漂移层中的少数载流子的寿命。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；半导体部，设于所述第一电极与所述第二电极之间；栅极电极，设于所述半导体部内，且从所述第二电极向所述第一电极延伸；以及构造体，设于所述栅极电极与所述第一电极之间，且在所述半导体部内从所述栅极电极侧向所述第一电极侧延伸。所述半导体部包含：第一导电型的第一层，设于所述第一电极上，且与所述第一电极电连接；所述第一导电型的第二层，设于所述第一层上，且包含重金属；所述第一导电型的第三层，设于所述第二层上，且包含比所述第二层的浓度低的浓度的所述重金属；第二导电型的第四层，设于所述第三层上，经由栅极绝缘膜而与所述栅极电极相向，且与所述第二电极电连接；以及所述第一导电型的第五层，设于所述第四层上，且与所述第二电极电连接。所述构造体包含：硅化物层，与所述第二层相接；绝缘层，设于所述硅化物层上；导电体，设于所述绝缘层上，从所述栅极电极下向所述绝缘层延伸，且与所述栅极电极电气分离；以及绝缘膜，设于所述导电体与所述第二层之间、所述导电体与所述第三层之间。所述硅化物层的底面及至少侧面
2、根据实施方式，能够提供提高了二极管动作时的反向恢复特性的半导体装置。
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1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
6.一种半导体装置，其特征在于，具备：
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
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