【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构建方法。
技术介绍
1、集成电路（芯片）制造是按照设计的要求，经过氧化、光刻、刻蚀、扩散、外延生长、薄膜沉积、电镀等半导体制造工艺，将设计版图上的图形转移到硅片上。其中，光刻技术负责将版图上的图形精准的实现在硅片上，是集成电路制造中的关键工艺。
2、光刻工艺过程可以采用光学模型和光刻胶模型，再借助数学公式来表达模拟，从而能够通过模拟对光刻工艺过程的结果进行预知并校正，降低试错成本。光照射在掩模版上发生衍射，相应级次的衍射光被投影透镜收集并汇聚在光刻胶表面，这一成像过程是一个光学过程，能够通过光学模型模拟；投影在光刻胶上的图像激发光化学反应，烘烤后局部光刻胶发生的显影反应，这是光刻胶化学反应过程，能够通过光刻胶模型模拟。采用计算与仿真的方法搭建光刻过程中的光学模型和光刻胶模型就可以实现模拟晶圆曝光后的形貌。其中光刻胶模型的主要参数有8个，需要大量的数据拟合确定，并且需要使用一些不参与模型迭代的特殊的图形去验证模型的可靠性，才可以得到一个高精度的模型。
3、在实际采用光学模型和光刻胶模型在对psm光罩（相位转移光罩）进行计算与仿真模拟，以对光罩上的图案进行校正时，针对回字形类型的特殊图形的仿真模拟，有可能会出现实际晶圆上不存在漏光现象，但模型模拟时出现漏光现象的问题。针对上述问题，申请人查阅大量本
的相关资料，但并没有发现有相关文献有记载存在上述问题，更没有相关文献有记载如何避免出现上述问题。因此目前所采用的光刻胶模型的模型精度还
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种光刻胶模型优化及构建方法和光刻模型构建方法，以解决现有技术中针对在使用psm光罩的场景中，构建的光刻胶阈值模型所出现的在进行仿真模拟时出现漏光现象，而实际晶圆上不存在漏光现象的问题，以提高模型精度和可靠度。
2、根据本专利技术的第一方面，提供一种光刻胶模型优化方法，包括：
3、获取已完成迭代优化的光刻胶阈值模型，将获取到的光刻胶阈值模型的模型参数数据中的成像光强曲率系数降低，得到第二模型参数数据；
4、对第二模型参数数据进行迭代优化，得到第三模型参数数据，根据第三模型参数数据生成修正后的光刻胶阈值模型。
5、根据本专利技术的第二方面，提供一种光刻胶模型构建方法，包括：
6、构建初始光刻胶阈值模型和光刻胶阈值模型优化平台；
7、根据预先收集的cdu量测数据和光刻胶阈值模型优化平台对初始光刻胶阈值模型的模型参数数据进行迭代优化，得到迭代优化后的第一模型参数数据，其中，所述迭代优化的目标为对初始光刻胶阈值模型的模型参数数据进行拟合以找到最佳光刻胶成像面；
8、将第一模型参数数据中的成像光强曲率系数降低，得到第二模型参数数据；
9、根据cdu量测数据和光刻胶阈值模型优化平台对第二模型参数数据进行迭代优化，得到第三模型参数数据，其中，所述迭代优化的目标为对第二模型参数数据进行拟合以找到最佳光刻胶成像面；
10、根据第三模型参数数据形成光刻胶阈值模型。
11、根据本专利技术的第三方面，提供一种光刻模型构建方法，根据迭代优化后的光学模型和修正的光刻胶阈值模型形成得到光刻模型，其中，修正的光刻胶阈值模型是采用上述第一方面所述的光刻胶阈值模型修正方法修正后得到的光刻胶阈值模型，或是采用上述第二方面所述的光刻胶阈值模型构建方法构建出的光刻胶阈值模型。
12、根据本专利技术的第四方面，提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述第一方面所述的光刻胶模型优化方法、上述第二方面所述的光刻胶模型构建方法或第三方面所述的光刻模型构建方法的步骤。
13、本专利技术的方法通过在建模光刻胶阈值模型时，对光刻胶阈值模型进行第一次迭代优化后，对得到的光刻胶阈值模型的参数数据中的成像光强曲率参数的系数进行降低，并再次进行第二次迭代优化，以提高得到的光刻胶阈值模型的精度。得到的光刻胶阈值模型在进行模拟时能够兼顾考虑到相位转移光罩的特性，从而能够有效避免模型模拟出漏光现象。与传统的仅进行一次迭代优化而建立的光刻胶阈值模型相比，通过本专利技术的方法得到的修正的光刻胶阈值模型能够在保持模型精度的前提下更加准确地预测出晶圆上回字形类型的特殊图形所出现的漏光现象，从而避免了出现模型仿真不正确出现漏光的情况。同时，本专利技术所构建的更精确的光刻胶阈值模型在验证优化效果时可以仅需要使用回字形图形的数据进行验证，无需其他更为复杂的特殊图形的数据来进行验证，其数据获取难度低。经验证，本专利技术建立的修正的光刻胶阈值模型能够更加精确地预测不同尺寸的以回字形图形为代表的拐角比较多比较密集的这一类图形的仿真模拟情况。
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1.一种光刻胶模型优化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻胶模型优化方法，其特征在于，将成像光强曲率系数降低包括将所述成像光强曲率的系数设置为原本的50%-60%。
3.根据权利要求1所述的光刻胶模型优化方法，其特征在于，将成像光强曲率系数降低包括将所述成像光强曲率的系数设置为原本的50%。
4.一种光刻胶模型构建方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的光刻胶模型构建方法，其特征在于，第二模型参数数据中的成像光强曲率系数被降低为第一模型参数数据中的成像光强曲率系数的50%-60%。
6.根据权利要求4所述的光刻胶模型构建方法，其特征在于，将成像光强曲率系数降低包括将所述成像光强曲率的系数设置为原本的50%。
7.根据权利要求4所述的光刻胶模型构建方法，其特征在于，所述构建初始光刻胶阈值模型实现为将获取到的迭代优化后的光学模型输出形成为初始光刻胶阈值模型。
8.根据权利要求7所述的光刻胶模型构建方法，其特征在于，所述迭代优化后的光学模型是通过以下方法得到：
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10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现权利要求1至9中任一项所述方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶模型优化方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的光刻胶模型优化方法，其特征在于，将成像光强曲率系数降低包括将所述成像光强曲率的系数设置为原本的50%-60%。
3.根据权利要求1所述的光刻胶模型优化方法，其特征在于，将成像光强曲率系数降低包括将所述成像光强曲率的系数设置为原本的50%。
4.一种光刻胶模型构建方法，其特征在于，包括：
5.根据权利要求4所述的光刻胶模型构建方法，其特征在于，第二模型参数数据中的成像光强曲率系数被降低为第一模型参数数据中的成像光强曲率系数的50%-60%。
6.根据权利要求4所述的光刻胶模型构建方法，其特征在于，将成像光强曲率系数降低包括将所述成像光强曲率的系数设置为原本的50%。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜晓晴，曾辉，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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