【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体而言，涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
1、mini-led（mini-light-emitting diode，次毫米发光二极管）器件是指芯片长边尺寸介于100μm ~300μm之间的led器件。由于其优异的发光效率以及mini-led显示技术的迅速发展，mini-led显示产品已开始应用于超大屏高清显示，如监控指挥、高清演播、高端影院、医疗诊断、广告显示、会议会展、办公显示、虚拟现实等商用领域。
2、目前，随着mini-led显示产品价格降低及像素尺寸下探的需求考虑，mini-led芯片的厚度越来越小。但厚度的减小也意味着制备难度的增加，且对于目前的制备工艺来说，继续降低mini-led芯片的厚度已经很困难，因此，厚度的减少对后端工艺制程提出了更高的要求。
技术实现思路
1、本申请在于提供一种发光二极管芯片及其制备方法，旨在降低发光二极管芯片制备中导致的破片等不良情况，并减薄发光二极管芯片的厚度，降低制备成本。
2、本申请实施例第一方面提供一种发光二极管芯片的制备方法，所述制备方法包括：
3、提供包含外延层的复合衬底，所述复合衬底包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，所述外延层设置在所述第一衬底背离所述第二衬底的一侧，所述第二衬底的厚度大于所述第一衬底的厚度；
4、对所述外延层进行图形化工艺，形成多个发光单元；
5、在所述发光单元背离所述复合衬底的一侧形成电极；
6、将所述复合
7、通过划片裂片工艺分离所述中间结构体，形成多个发光二极管芯片。
8、可选地，在所述提供包含外延层的复合衬底的步骤之中，所述制备方法包括：
9、提供原始衬底，在所述原始衬底的一侧形成所述外延层；
10、减薄所述原始衬底，以形成所述第一衬底；
11、在所述第一衬底背离所述外延层的一侧绑定所述第二衬底，以形成所述复合衬底。
12、可选地，在所述提供包含外延层的复合衬底的步骤之中，所述制备方法包括：
13、提供所述第一衬底；
14、在所述第一衬底的一侧绑定所述第二衬底，以形成所述复合衬底；
15、在所述第一衬底背离所述第二衬底的一侧形成外延层。
16、可选地，对所述第一衬底朝向所述第二衬底的一侧表面进行图形化处理。
17、可选地，所述第一衬底的厚度为大于或等于10μm，且小于或等于60μm。
18、可选地，所述第二衬底的厚度为大于或等于200μm，且小于或等于750μm。
19、可选地，所述第一衬底为单层结构或多层结构。
20、可选地，所述第一衬底的材料与所述第二衬底的材料相同；
21、或者，所述第一衬底的材料与所述第二衬底的材料不相同。
22、可选地，所述第一衬底和所述第二衬底的材料包括：蓝宝石、氮化镓和氧化铝、碳化硅等。
23、本申请实施例第二方面提供一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片由本申请实施例第一方面提供的发光二极管芯片的制备方法制备得到。
24、有益效果：
25、本申请提供一种发光二极管芯片及其制备方法，通过提供外延层的复合衬底，其中复合衬底包括层叠设置的第一衬底和第二衬底，且第二衬底的厚度大于第一衬底的厚度，随后在复合衬底上对外延层进行图形化工艺形成多个发光单元，以及形成电极，接着将第二衬底与第一衬底剥离，形成包括第一衬底及多个发光单元的中间结构体，最后再通过划片裂片工艺分离中间结构体，形成多个发光二极管芯片；这样，通过复合衬底设计剥离工艺的方案代替了传统的研磨工艺，可以在减薄发光二极管芯片衬底厚度的同时，显著减少因研磨工艺导致的破片等不良情况，降低发光二极管芯片的制备成本。
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1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在所述提供包含外延层的复合衬底的步骤之中，所述制备方法包括：
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在所述提供包含外延层的复合衬底的步骤之中，所述制备方法包括：
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
9.根据权利要求8所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：
10.一种发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片由所述权利要求1-9任一项所述的发光二极管芯片的制备方法制备得到。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在所述提供包含外延层的复合衬底的步骤之中，所述制备方法包括：
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，在所述提供包含外延层的复合衬底的步骤之中，所述制备方法包括：
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
5.根据权利要求1所述的发...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊志军，陈泽丹，马俊杰，杨山伟，李雪峤，
申请(专利权)人：京东方晶芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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