【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开了一种具备mosfet的半导体装置，该mosfet具有将沟槽内部的电极上下分割而成的分裂栅极构造。专利文献1记载的专利技术通过在半导体装置的外周部处扩大沟槽的宽度，从而提高位于外周部的沟槽端部的耐压。另外，记载了如下内容：即使在将半导体开关元件设为mosfet以外的igbt的情况下，也能够应用该专利技术。
2、专利文献1：日本特开2021-128948号公报
3、专利文献1记载的半导体装置没有充分考虑载流子的运动。作为例子，考虑在关断开关时沟槽端部处的空穴密度的增加。具体而言，在关断开关时，空穴以高密度流入沟槽端部，从而在沟槽端部的空穴密度增加。于是，空间电荷伴随空穴密度的增加而增加，因此电场增加而发生雪崩。特别是该现象在双极器件中的igbt(insulated gate bipolartransistor：绝缘栅双极晶体管)中显著地发生。在将专利文献1记载的专利技术应用于igbt的情况下，在位于外周部的沟槽端部处沟槽的宽度变宽，因此沟槽与沟槽间的区域变窄，空穴密度容易增加。因此，电场伴随空穴密度的增加而增加，雪崩耐压降低。
技术实现思路
1、本公开是为了解决上述的问题所做出的，目的在于提供一种通过降低沟槽端部的空穴密度来抑制电场的增加，并提高雪崩耐压的半导体装置。
2、本公开的半导体装置，存在构成半导体开关元件的活性区域、和所述活性区域的外侧的设置有栅电极的外周区域，其中，所述半导体开关元
3、根据本公开的半导体装置，通过降低沟槽端部的空穴密度来抑制电场的增加，从而能够提高雪崩耐压。
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1.一种半导体装置，存在构成半导体开关元件的活性区域、和所述活性区域的外侧的设置有栅电极的外周区域，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
9.根据权利要求1～8中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，存在构成半导体开关元件的活性区域、和所述活性区域的外侧的设置有栅电极的外周区域，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，
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【专利技术属性】
技术研发人员：小西和也，迫纮平，川畑直之，中村勇，大塚翔瑠，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：
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