【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及半导体制造和半导体器件领域，并且在特定实施例中，涉及用极紫外(euv)图案化处理衬底的方法。
技术介绍
1、光刻法通常用于在半导体处理期间将薄膜图案化，其中光子从光源发射到光敏光致抗蚀剂上以引发光致抗蚀剂中的化学反应。此后，使光致抗蚀剂显影，并去除光致抗蚀剂的暴露或未暴露部分以形成图案或掩模。
2、半导体器件的缩放已经实现了显著的技术进步，包括先进的光刻技术，如浸没式光刻。极紫外(euv)辐射可以用于在需要减小特征尺寸的先进集成电路中提供改善的图案分辨率。常见的euv光致抗蚀剂是基于聚合物的化学放大抗蚀剂(car)，其使用消耗大量络合物前体的基于液体的旋涂技术沉积在衬底上。最近，基于无机的抗蚀剂已经受到关注，因为它们可以使用euv辐射进行图案化，并且可以提供半导体制造所需的高抗蚀刻性和蚀刻选择性。然而，基于无机的抗蚀剂的处理和显影提出了新的挑战。
技术实现思路
1、根据一个实施例，一种用于处理衬底的方法包括：在处理室中接收具有暴露的金属氧化物抗蚀剂的第一衬底，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包括暴露部分和未暴露部分；使选择性气体从暴露的金属氧化物抗蚀剂上流过，其中该选择性气体增加了暴露的金属氧化物抗蚀剂的暴露部分与未暴露部分之间对显影气体的选择性；以及使显影气体从处理室中的暴露的金属氧化物抗蚀剂上流过。
2、根据另一个实施例，一种用于处理衬底的方法包括：在衬底上形成金属氧化物抗蚀剂；将金属氧化物抗蚀剂暴露于极紫外光图案；使第一选择性气体从处理室中
3、根据又另一个实施例，一种用于处理衬底的方法包括：在衬底上形成金属氧化物抗蚀剂；将金属氧化物抗蚀剂暴露于极紫外光图案；使第一显影气体从处理室中的金属氧化物抗蚀剂上流过；用第一选择性气体从处理室吹扫第一显影气体，该第一选择性气体具有与第一显影气体不同的分子结构；在吹扫第一显影气体之后，使第二显影气体从处理室中的金属氧化物抗蚀剂上流过；以及使用金属氧化物抗蚀剂的剩余部分作为掩模来蚀刻衬底。
4、应当理解，前面的一般性描述和以下详细描述均仅为示例性和说明性的，并且不限制所要求保护的本披露。
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1.一种用于处理衬底的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性气体包括氢氧化物基团、胺基团、有机羧酸、或路易斯酸。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性气体包括水蒸气、三氯化硼、氯、甲醇、乙醇、异丙醇、乙酰丙酮、或乙酸。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包括锡(Sn)、锑(Sb)、铪(Hf)、锆(Zr)、或锌(Zn)。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包括Sn、Sb、Hf、Zr、或Zn的金属醇盐或甲基丙烯酸盐(MAA)。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包括聚合物膜。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包含金属和键合至该金属的基团，其中该基团由选自-OR、-OR’、-OAr和-OOCR的列表的化学式表示，其中R是烷基，R’是烯基，并且Ar是芳基。
8.如权利要求1所述的方法，其中，该显影气体包括溴化氢(HBr)或氯化氢(HCl)。
9.如权利要求1所述的方法
10.一种用于处理衬底的方法，该方法包括：
11.如权利要求10所述的方法，其中，该第一选择性气体和该第二选择性气体是相同的气体。
12.如权利要求10所述的方法，其中，该第一选择性气体和该第二选择性气体是不同的气体。
13.如权利要求10所述的方法，其中，该第一选择性气体包括三氯化硼。
14.如权利要求10所述的方法，其中，该显影气体包括溴化氢，并且该第二选择性气体包括水蒸气。
15.一种用于处理衬底的方法，该方法包括：
16.如权利要求15所述的方法，其中，该第一显影气体和该第二显影气体是相同的气体。
17.如权利要求16所述的方法，其中，该相同的气体包括溴化氢。
18.如权利要求15所述的方法，其中，该第一选择性气体包括水蒸气。
19.如权利要求15所述的方法，其中，该第一选择性气体包括三氯化硼。
20.如权利要求15所述的方法，其进一步包括，在使该第一显影气体流动之前，使第二选择性气体从该处理室中的该金属氧化物抗蚀剂上流过，其中该第二选择性气体增加了该暴露的金属氧化物抗蚀剂对该第一显影气体的第二选择性。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理衬底的方法，该方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性气体包括氢氧化物基团、胺基团、有机羧酸、或路易斯酸。
3.如权利要求1所述的方法，其中，该选择性气体包括水蒸气、三氯化硼、氯、甲醇、乙醇、异丙醇、乙酰丙酮、或乙酸。
4.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包括锡(sn)、锑(sb)、铪(hf)、锆(zr)、或锌(zn)。
5.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包括sn、sb、hf、zr、或zn的金属醇盐或甲基丙烯酸盐(maa)。
6.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包括聚合物膜。
7.如权利要求1所述的方法，其中，该暴露的金属氧化物抗蚀剂包含金属和键合至该金属的基团，其中该基团由选自-or、-or’、-oar和-oocr的列表的化学式表示，其中r是烷基，r’是烯基，并且ar是芳基。
8.如权利要求1所述的方法，其中，该显影气体包括溴化氢(hbr)或氯化氢(hcl)。
9.如权利要求1所述的方法，其中，该显影气体包括乙酸、三氟乙酸、六氟乙酰丙酮、乙酰丙酮、三氯化硼(bcl3)、或...
【专利技术属性】
技术研发人员：哈马德·哈吉巴巴埃纳贾法巴迪，高明辉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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