System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种电解法制备氰化亚金钾的方法技术_技高网

一种电解法制备氰化亚金钾的方法技术

技术编号:44670646 阅读:11 留言:0更新日期:2025-03-19 20:25
本发明专利技术涉及氰化亚金钾生产技术领域,公开了一种电解法制备氰化亚金钾的方法,步骤一:选择金原料,压成金片后冲孔处理,将冲孔后的金片预处理,将预处理后的金片放入阳极槽内,对预处理数据进行处理,得到金片表面状态值;若金片表面状态值大于等于金片表面状态阈值,则进入步骤一,对金片进入进行二次预处理;若金片表面状态值小于金片表面状态阈值,则进入步骤二;步骤二:向阳极槽内倒入阳极液、阴极槽内倒入阴极液,进行电解;其中,阳极槽内阳极接正电荷,阴极槽内阴极接负电荷;步骤三:过滤电解液,将过滤后的阳极电解液进行加热浓缩,除去多余的水分,并将初次结晶得到的氰化亚金钾进行重结晶处理,洗涤干燥后得到产品。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氰化亚金钾生产,具体涉及一种电解法制备氰化亚金钾的方法


技术介绍

1、目前,氰化亚金钾俗称金盐,化学式为kau(cn)2,氰化亚金钾是镀金及合金工艺中一种十分重要的化学试剂,主要用于电镀和化学镀金,镀层细致光亮,耐蚀性强,导电性好,易于焊接,广泛应用于精密仪器仪表、印制板、集成电路、电子管壳、电接点等要求电参数性能长期稳定的零件电镀,以及首饰、钟表零件、艺术品、装饰品等产品的电镀。在镀液中还可添ni、co等其他金属离子来提高镀层的耐腐蚀性或改善其他性能。这就使氰化亚金钾具有很大的需求。

2、如专利申请号201911177041.7公开的一种电解法制备氰化亚金钾的方法的制备过程中,缺少对金片清洗后清洗状态的识别,不能优先保证进入电解阶段的金片表面符合要求,造成制备的氰化亚金钾质量不佳,具有较大的局限性。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种电解法制备氰化亚金钾的方法,在冲孔后金片的预处理过程中对金片清洗后的处理液杂质状态及金片表面杂质状态进行识别,即通过对处理液的清洗效果及金片表面被清洗效果两个方向进行处理,精准度高。

2、本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现:

3、一种电解法制备氰化亚金钾的方法,包括以下步骤:步骤一:选择金原料,压成金片后冲孔处理,将冲孔后的金片预处理,将预处理后的金片放入阳极槽内;

4、获取预处理数据,对预处理数据进行处理,得到金片表面状态值;

5、若金片表面状态值大于等于金片表面状态阈值,则进入步骤一,对金片进入进行二次预处理;

6、若金片表面状态值小于金片表面状态阈值,则进入步骤二;

7、步骤二:向阳极槽内倒入阳极液、阴极槽内倒入阴极液,进行电解;

8、其中,阳极槽内阳极接正电荷,阴极槽内阴极接负电荷;

9、步骤三:过滤电解液,将过滤后的阳极电解液进行加热浓缩,除去多余的水分,并将初次结晶得到的氰化亚金钾进行重结晶处理,洗涤干燥后得到产品。

10、作为本专利技术进一步的方案:金片预处理后的预处理数据包括金片表面杂质基数和清洗溶液内置基数。

11、作为本专利技术进一步的方案:将金片表面杂质基数记为zbs;

12、将清洗溶液内置基数记为zys;

13、通过公式zby=μ*zbs+zys)计算得到金片表面状态值zby,其中,μ为预设比例系数。

14、作为本专利技术进一步的方案:金片表面杂质基数的获取过程为:

15、将金片表面划分为若干个金片表面子单元,获取金片表面子单元内所有杂质异点;

16、通过多金片表面子单元内所有杂质异点进行处理得到杂质覆盖均值与多杂单元比;

17、将杂质覆盖均值与多杂单元比进行乘积计算,得到金片表面杂质基数。

18、作为本专利技术进一步的方案:杂质覆盖均值的获取过程为:

19、将所有杂质异点按顺时针的顺序进行连接,得到杂质覆盖区域;

20、将杂质覆盖区域的面积值与金片表面子单元的面积值进行比值计算,得到金片表面子单元的杂质覆盖比;

21、将所有金片表面子单元的杂质覆盖比求和取均值,得到杂质覆盖均值。

22、作为本专利技术进一步的方案:多杂单元比的获取过程为:

23、若金片表面子单元的杂质覆盖比位于金片表面子单元的杂质覆盖比的预设范围内,则将金片表面子单元记为少杂金片表面子单元;

24、若金片表面子单元的杂质覆盖比位于金片表面子单元的杂质覆盖比的预设范围外,则将金片表面子单元记为多杂金片表面子单元

25、获取多杂金片表面子单元的数量,将多杂金片表面子单元的数量与金片表面子单元的数量进行比值计算,得到多杂单元比。

26、作为本专利技术进一步的方案:清洗溶液内置基数的获取过程为:

27、对金片清洗完成后的处理液进行搅匀,对搅匀后的处理液进行拍照得到处理液悬浮图像,将处理液悬浮图像划分为若干个悬浮子单元;

28、通过悬浮子单元中的杂质进行处理得到杂质基数;

29、将所有悬浮子单元的杂质基数进行求和得到清洗溶液内置基数。

30、作为本专利技术进一步的方案:悬浮子单元的杂质基数的获取过程为:

31、将悬浮子单元中杂质的个数与悬浮子单元面积值进行比值计算,得到悬浮液杂质数量比;

32、对悬浮子单元中每个杂质画一个最小半径的外接圆,使每个独立的杂质完全内置在外接圆内,将悬浮子单元中所有外接圆的面积进行求和,得到悬浮子单元中的杂质区域面积;

33、将悬浮子单元中的杂质区域面积与悬浮子单元面积值进行比值计算,得到悬浮液杂质面积比;

34、将悬浮液杂质数量比与悬浮液杂质面积比进行乘积计算,得到悬浮子单元的杂质基数。

35、本专利技术的有益效果:本专利技术在冲孔后金片的预处理过程中对金片清洗后的处理液杂质状态及金片表面杂质状态进行识别,即通过对处理液的清洗效果及金片表面被清洗效果两个方向进行处理,得到金片表面状态值,通过金片表面状态值完成对金片预处理状态的识别,从而有效保证进入电解过程中金片的质量,提高氰化亚金钾的制备质量。

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【技术保护点】

1.一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,金片预处理后的预处理数据包括金片表面杂质基数和清洗溶液内置基数。

3.根据权利要求2所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,将金片表面杂质基数记为Zbs;

4.根据权利要求1所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,金片表面杂质基数的获取过程为:

5.根据权利要求4所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,杂质覆盖均值的获取过程为:

6.根据权利要求5所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,多杂单元比的获取过程为:

7.根据权利要求1所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,清洗溶液内置基数的获取过程为:

8.根据权利要求1所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,悬浮子单元的杂质基数的获取过程为:

【技术特征摘要】

1.一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,金片预处理后的预处理数据包括金片表面杂质基数和清洗溶液内置基数。

3.根据权利要求2所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,将金片表面杂质基数记为zbs;

4.根据权利要求1所述的一种电解法制备氰化亚金钾的方法,其特征在于,金片表面杂质基数的获取过程为:

【专利技术属性】
技术研发人员:杨永进顾志华
申请(专利权)人:江苏苏大特种化学试剂有限公司
类型:发明
国别省市:

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