System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸_技高网

阵列基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:44665449 阅读:18 留言:0更新日期:2025-03-19 20:22
本申请适用于显示设备技术领域,提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,其中,阵列基板的制作方法包括:在衬底上形成依次层叠设置的薄膜晶体管、第一绝缘层和第一导电层;采用半色调掩膜板对第一导电层进行图案化,半色调掩膜板包括半遮光部,薄膜晶体管在衬底上的正投影位于半遮光部在衬底上的正投影内。本申请通过采用半色调掩膜板对第一导电层进行图案化,利用半色调掩膜板的半遮光部来覆盖薄膜晶体管所在位置处的表面,半色调掩膜板的半遮光部能对薄膜晶体管起到一定的遮光作用,同时也能够将光刻胶进行曝光,相较于相关技术中的制作方法,本申请无需为薄膜晶体管额外设置遮光层,节省了加工工序,降低了加工制作成本。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于显示设备,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置


技术介绍

1、随着技术的发展,电子纸显示装置已逐渐融入人们的日常生活,电子纸显示装置具有便于阅读、携带方便、节约资源、能耗低、传播速度快等优点,因此具有广阔的发展前景。

2、电子纸显示装置至少包括阵列基板,相关技术中,在电子纸显示装置的阵列基板的制作过程中,需要为阵列基板中的薄膜晶体管单独设置一层遮光层以提升其稳定性,制作工艺复杂,成本较高。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置,以解决目前的需要为阵列基板中的薄膜晶体管单独设置一层遮光层以提升其稳定性,制作工艺复杂,成本较高的问题。

2、本申请实施例的第一方面提供了一种阵列基板的制作方法,包括:在衬底上形成依次层叠设置的薄膜晶体管、第一绝缘层和第一导电层;采用半色调掩膜板对所述第一导电层进行图案化,所述半色调掩膜板包括半遮光部,所述薄膜晶体管在所述衬底上的正投影位于所述半遮光部在所述衬底上的正投影内。

3、在一个实施例中,所述采用半色调掩膜板对所述第一导电层进行图案化具体包括:在所述第一导电层上设置光刻胶层;采用半色调掩膜板对所述光刻胶层进行曝光和显影;对所述第一导电层进行刻蚀;移除所述光刻胶层。

4、在一个实施例中,所述光刻胶层包括彼此连接的第一胶层和第二胶层,所述薄膜晶体管在所述衬底上的正投影位于所述第一胶层在所述衬底上的正投影内,所述移除所述光刻胶层具体包括:移除所述第一胶层;对所述第一导电层进行表面处理;移除所述第二胶层。

5、在一个实施例中,沿垂直于所述衬底表面的方向,所述第一胶层的厚度尺寸小于所述第二胶层的厚度尺寸。

6、在一个实施例中,所述对所述第一导电层进行表面处理具体包括:采用等离子体对所述第一导电层的表面进行轰击。

7、在一个实施例中,所述等离子体包括氢离子。

8、在一个实施例中,所述第一导电层采用透光材料制作。

9、在一个实施例中,所述第一导电层的制作材料包括氧化铟锡。

10、本申请实施例的第一方面提供的阵列基板的制作方法,通过采用半色调掩膜板对第一导电层进行图案化,利用半色调掩膜板的半遮光部来覆盖薄膜晶体管所在位置处的表面,半色调掩膜板的半遮光部能对薄膜晶体管起到一定的遮光作用,同时也能够将光刻胶进行曝光,相较于相关技术中的制作方法,本申请无需为薄膜晶体管额外设置遮光层,节省了加工工序,降低了加工制作成本。

11、本申请实施例的第二方面提供了一种阵列基板,所述阵列基板采用如上述的制作方法制作而成。

12、本申请实施例的第二方面提供的阵列基板,采用半色调掩膜板对第一导电层进行图案化,利用半色调掩膜板的半遮光部来覆盖薄膜晶体管所在位置处的表面,半色调掩膜板的半遮光部能对薄膜晶体管起到一定的遮光作用,同时也能够将光刻胶进行曝光,相较于相关技术中的制作方法,本申请无需为薄膜晶体管额外设置遮光层,节省了加工工序,降低了加工制作成本。

13、本申请实施例的第三方面提供了一种显示装置,包括如第二方面所述的阵列基板。

14、可以理解的是,上述第三方面的有益效果可以参见上述第一方面以及第二方面的相关描述,在此不再赘述。

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【技术保护点】

1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述采用半色调掩膜板对所述第一导电层(140)进行图案化具体包括:

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,经曝光和显影后的光刻胶层(150)包括彼此连接的第一胶层(151)和第二胶层(152),所述薄膜晶体管(120)在所述衬底(110)上的正投影位于所述第一胶层(151)在所述衬底(110)上的正投影内,所述移除所述光刻胶层(150)具体包括:

4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,沿垂直于所述衬底(110)表面的方向,所述第一胶层(151)的厚度尺寸小于所述第二胶层(152)的厚度尺寸。

5.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述对所述第一导电层(140)进行表面处理具体包括:

6.如权利要求5所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述等离子体包括氢离子。

7.如权利要求1至6任一项所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一导电层(140)采用透光材料制作。

8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述第一导电层(140)的制作材料包括氧化铟锡。

9.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板采用如权利要求1至8任一项所述的制作方法制作而成。

10.一种显示装置,其特征在于,包括:根据权利要求9所述的阵列基板(100)。

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【技术特征摘要】

1.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述采用半色调掩膜板对所述第一导电层(140)进行图案化具体包括:

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,经曝光和显影后的光刻胶层(150)包括彼此连接的第一胶层(151)和第二胶层(152),所述薄膜晶体管(120)在所述衬底(110)上的正投影位于所述第一胶层(151)在所述衬底(110)上的正投影内,所述移除所述光刻胶层(150)具体包括:

4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,沿垂直于所述衬底(110)表面的方向,所述第一胶层(151)的厚度尺寸小于所述第二胶层(152)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘振张捷张合静林春燕许哲豪叶利丹
申请(专利权)人:惠科股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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