【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶圆处理，具体涉及一种防止晶圆高温作业氧化方法。
技术介绍
1、在半导体制造和封装行业中，晶圆临时键合是一项关键工艺，用于实现器件片背面减薄晶圆键合后，背面通常会进行研磨、抛光、背面金属化等工艺制程。常见的背面电极金属是金电极或银电极，而金电极或银电极是通过蒸镀或溅射工艺实现。因银电极这类电极的耐氧化性较金电极弱，在后续的高温解键合过程中，由于高温环境的影响，电极容易与氧气或其他氧化性物质发生反应，导致银层发生氧化变色，进而造成电阻率等的变化，影响器件性能和良品率。
2、现有的晶圆解键合工艺中，尽管采取了各种措施来减少银层的高温氧化问题，但依然存在保护效果不理想、持久性不足等问题。尤其是在高温热滑移解键合技术中，如何有效抑制银层在高温下的氧化变色现象，同时保证解键合过程顺利进行且不对晶圆本身及其镀银层造成损害，是当前亟待解决的技术难题。
技术实现思路
1、因此，本专利技术所要解决的技术问题是如何防止晶圆在解键合时，晶圆的背面电极发生氧化现象。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种防止晶圆高温作业氧化方法，所述方法包括：
3、配置浸泡液体，所述浸泡液体包括液体及其挥发物；
4、将目标吸盘放置于所述液体及其挥发物中浸泡至目标时长，所述目标吸盘具有贯穿设置的多个空隙，所述液体及其挥发物在所述目标时长内能够留存于所述空隙中和/或所述目标吸盘上；
5、将所述目标吸盘取出并对所述目标吸盘进行处理；
6、
7、在其中一个实施例中，所述对所述目标吸盘进行处理包括：将所述吸盘放置于烘箱中进行烘烤，以使所述吸盘的表面能够保持干燥。
8、在其中一个实施例中，所述烘箱内的温度范围为大于等于100℃，且小于等于150℃。
9、在其中一个实施例中，所述烘烤时间为大于等于5分钟，且小于等于15分钟。
10、在其中一个实施例中，所述将目标吸盘放置于所述液体及其挥发物中浸泡至目标时长包括：
11、提供用于放置所述目标吸盘的治具，所述治具包括具有多个放置槽的放置框体、及连接所述放置框体的手柄；
12、将所述目标吸盘固定于所述放置槽内；
13、提拉所述手柄，以使所述放置框体整体浸泡至所述液体及其挥发物内，以使所述液体及其挥发物的液面高于所述目标吸盘的顶端，或使所述液体及其挥发物的液面与所述目标吸盘的顶端齐平。
14、在其中一个实施例中，所述方法还包括：
15、将所述目标吸盘放置于所述液体及其挥发物中浸泡前，对所述目标吸盘进行清洗，以将所述目标吸盘的空隙内的杂质去除。
16、在其中一个实施例中，所述对所述目标吸盘进行清洗具体为：
17、将所述目标吸盘放置于清洗设备的清洗池内，所述清洗池内放置有清洗液；
18、启动所述清洗设备。
19、在其中一个实施例中，所述清洗设备为超声或兆声清洗设备。
20、在其中一个实施例中，所述目标吸盘为碳化硅吸盘。
21、本专利技术提供的技术方案，具有以下优点：通过将目标吸盘放置于液体中进行浸泡，并浸泡目标时长，使得目标吸盘的空隙中和/或目标吸盘上能够有液体及其挥发物留存，然后将目标吸盘取出对吸盘进行处理，而后进行解键合作业；在解键合过程中，留存在目标吸盘的空隙中和/或目标吸盘上的液体及其挥发物能够先与空气发生氧化还原反应，从而消耗空气中的氧气，进而将电极与吸盘间残留的少量空气中的氧气消耗完，以防止空气中的氧气与晶圆的电极在解键合高温阶段发生氧化还原反应，提高晶圆的处理效率以及晶圆的合格率。
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1.一种防止晶圆高温作业氧化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述目标吸盘进行处理包括：将所述吸盘放置于烘箱中进行烘烤，以使所述吸盘的表面能够保持干燥。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烘箱内的温度范围为大于等于100℃，且小于等于150℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烘烤时间为大于等于5分钟，且小于等于15分钟。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述将目标吸盘放置于所述液体及其挥发物中浸泡至目标时长包括：
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述目标吸盘进行清洗具体为：
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述清洗设备为超声或兆声清洗设备。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述目标吸盘为多孔吸盘。
【技术特征摘要】
1.一种防止晶圆高温作业氧化方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述目标吸盘进行处理包括：将所述吸盘放置于烘箱中进行烘烤，以使所述吸盘的表面能够保持干燥。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烘箱内的温度范围为大于等于100℃，且小于等于150℃。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述烘烤时间为大于等于5分钟，且小于等于15分钟。
5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈达，蔡维伽，杨世波，方耀鑫，
申请(专利权)人：吾拾微电子苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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