【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种基板处理方法及基板处理装置。
技术介绍
1、在整个基板制造工艺过程中，湿法清洗/刻蚀工艺用于通过使用高纯化学品清洗或刻蚀来去除晶片上的颗粒或缺陷。单片湿法清洗工艺因其良好的可重复性、均一性和稳定性而被广泛应用于基板制造。目前单片湿法清洗工艺主要通过将基板固定在基板卡盘上，基板卡盘旋转的同时，化学药液通过喷嘴喷吐于基板表面进行湿法清洗/刻蚀工艺。
2、基板制造过程对基板表面的缺陷控制要求十分严苛，需要控制到几十甚至十几纳米。而单片湿法清洗/刻蚀工艺过程中的缺陷控制与化学药液的液膜覆盖完整性有着密切的联系，完整的液膜覆盖能保证基板表面不会吸附腔体内环境中的颗粒，同时避免基板表面的裸硅与空气中的水汽和氧发生反应产生水痕等缺陷。
3、湿法清洗工艺过程会应用到小流量的化学药液，如异丙醇(ipa)或氮气雾化水(nano spray co2 diw)等，由于其相对于氟化氢(hf)、标准清洗液(sc1/sc2，盐酸、双氧水和水的混合物)等化学药液的流量小很多，在应用于湿法清洗过程时，更容易产生液膜覆盖不完整的情况。因此，氟化氢与异丙醇(ipa)或氮气雾化水(nano spray co2 diw)搭配使用时，氟化氢处理完的基板，表面氧化硅被刻蚀以后，裸硅易在异丙醇(ipa)或氮气雾化水(nano spray co2 diw)的步骤因液膜覆盖不完整而与腔体中的水汽和氧气反应产生水痕。
4、因此，提供一种基板处理方法及基板处理装置，实属必要。
技术实现思路<
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种基板处理方法及基板处理装置，用于解决现有技术中化学药液的液膜覆盖不完整的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，一种基板处理方法，包括以下步骤：
3、基板保持持续旋转；第一喷嘴在基板的中心区域的上方持续喷吐水；
4、在基板清洗过程中，第一喷嘴开始从基板中心区域的第一中心位置向边缘区域的第一边缘位置移动，第二喷嘴开始向旋转的基板喷吐化学液并自基板边缘区域的第二边缘位置向中心区域的第二中心位置移动；
5、第一喷嘴与第二喷嘴在基板的中心区域与边缘区域之间交错进行往复移动直至基板清洗完成；
6、基板清洗完成后，第二喷嘴停止喷吐化学液，第一喷嘴继续保持喷吐水并回到基板中心区域。
7、可选地，在第二喷嘴开始喷吐化学液前，第一喷嘴在基板中心喷吐水直到基板的表面被水完全覆盖。可选地，基板清洗完成后，第二喷嘴离开基板。
8、可选地，第二喷嘴一边停止喷吐化学液，一边离开基板。
9、可选地，第二喷嘴在基板上方的移动范围大于第一喷嘴。
10、可选地，所述第二中心位置为基板的旋转中心，所述第一中心位置与第二中心位置不同。
11、可选地，所述第一中心位置与第二中心位置均为基板的旋转中心。
12、可选地，第一喷嘴喷吐水的流速大于第二喷嘴喷吐化学液的流速。
13、可选地，第二喷嘴喷吐的化学液为氮气雾化水。
14、可选地，在基板清洗过程中，第一喷嘴与第二喷嘴在基板的中心区域与边缘区域之间完成单程移动的时间相同。
15、可选地，在基板清洗过程中，第一喷嘴移动时间t后，第二喷嘴才开始移动，所述时间t小于第一喷嘴移动完成单程移动的时间。
16、可选地，在基板清洗过程中，第一喷嘴与第二喷嘴按照各自路径同步开始移动。
17、可选地，基板的表面具有疏水性。
18、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术还提供一种基板处理装置，包括：
19、承载装置，用于放置基板；
20、驱动部，用于驱动所述承载装置旋转；
21、第一摆臂与第二摆臂；
22、第一喷嘴和第二喷嘴，分别设于所述第一摆臂与第二摆臂末端；
23、臂驱动机构，用于驱动所述第一摆臂和第二摆臂进行旋转运动，从而带动所述第一喷嘴和第二喷嘴进行旋转运动；
24、分别与第一喷嘴和第二喷嘴连通的第一管路和第二管路，所述第一管路和第二管路上分别设有开关阀；
25、处理器，与所述驱动部、臂驱动机构和开关阀连接；
26、存储器，与所述处理器耦合，所述存储器存储有处理器可执行指令，所述指令在被所述处理器执行时使所述处理器执行如上所述的方法。
27、如上所述，本专利技术的基板处理方法及装置，在基板处理过程中，水持续不间断地喷吐，保证了基板表面液膜覆盖的完整性，避免因裸硅暴露在腔体内形成水痕的风险。
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1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在第二喷嘴开始喷吐化学液前，第一喷嘴在基板中心喷吐水直到基板的表面被水完全覆盖。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，基板清洗完成后，第二喷嘴离开基板。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，第二喷嘴一边停止喷吐化学液，一边离开基板。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，第二喷嘴在基板上方的移动范围大于第一喷嘴。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一边缘位置距离基板的旋转中心比第二边缘位置距离基板的旋转中心更近。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二中心位置为基板的旋转中心，所述第一中心位置与第二中心位置位置不同。
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一中心位置与第二中心位置均为基板的旋转中心。
9.据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，第一喷嘴喷吐水的流速大于第二喷嘴喷吐化学液
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，第二喷嘴喷吐的化学液为氮气雾化水。
11.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在基板清洗过程中，第一喷嘴与第二喷嘴在基板的中心区域与边缘区域之间完成单程移动的时间相同。
12.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在基板清洗过程中，第一喷嘴移动时间t后，第二喷嘴才开始移动，所述时间t小于第一喷嘴移动完成单程移动的时间。
13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在基板清洗过程中，第一喷嘴与第二喷嘴按照各自路径同步开始移动。
14.据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，基板的表面具有疏水性。
15.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种基板处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在第二喷嘴开始喷吐化学液前，第一喷嘴在基板中心喷吐水直到基板的表面被水完全覆盖。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，基板清洗完成后，第二喷嘴离开基板。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，第二喷嘴一边停止喷吐化学液，一边离开基板。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，第二喷嘴在基板上方的移动范围大于第一喷嘴。
6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一边缘位置距离基板的旋转中心比第二边缘位置距离基板的旋转中心更近。
7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二中心位置为基板的旋转中心，所述第一中心位置与第二中心位置位置不同。
8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，所述第一中...
【专利技术属性】
技术研发人员：李兴，徐园园，胡海波，王晖，
申请(专利权)人：盛美半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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