【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体器件清洗，具体涉及一种用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法。
技术介绍
1、石英基板作为半导体器件制造过程中的关键材料之一，其表面质量直接关系到最终产品的性能和可靠性。为了达到高规格、高精度的技术指标，石英基板需要经过一系列精密的加工工艺，如研磨、抛光等。在这些加工过程中，特别是使用高目数的氧化铝进行研磨之后，石英基板表面不可避免地会残留大量的氧化铝颗粒。
2、这些残余的氧化铝颗粒如果未能得到及时有效的清洗，在后续的加工步骤中可能会成为新的表面缺陷源，影响石英基板的质量，进而降低产品良率。
3、当前，半导体行业内的清洗工艺主要集中在氧化铈抛光后的晶圆清洗，采用化学试剂配合超声波或毛刷等方式来实现。然而，对于氧化铝研磨后石英基板的清洗，现有技术存在一定的局限性，尤其是缺乏专门针对此类情况的有效解决方案。传统的清洗方法无法充分适应氧化铝颗粒的特点，导致清洗效果不佳，或者因为使用了接触式的清洁工具(如毛刷)而增加了二次污染的风险。
技术实现思路
1、为了解决
技术介绍
中存在的至少一个方面的技术问题，本申请提供了一种用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，可以有效地去除不同粒径范围内的氧化铝颗粒，并减少对石英基板表面的物理接触，避免了引入新的污染物，实现了对氧化铝研磨后石英基板的高效、低损清洗。
2、本申请所采用的技术方案为：
3、本申请实施例提供一种用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，包括:
4、将氧化铝研磨后的石
5、对所述石英基板进行超纯水喷淋处理，以清洗所述石英基板表面的残余碱性溶液；
6、将所述石英基板浸泡于超纯水中，采用鼓泡气处理工艺对所述石英基板表面的氧化铝颗粒进行第二次脱离处理；
7、排出用于浸泡所述石英基板的超纯水，通过水流流动产生的拉力对所述石英基板表面的氧化铝颗粒进行第三次脱离处理；
8、将所述石英基板浸泡在氢氟酸溶液中，并对所述石英基板进行超声辅助清洗，以实现对所述氧化铝颗粒的第四次脱离处理以及石英基板表面氧化层的脱离处理；
9、对所述石英基板进行二次超纯水喷淋、二次鼓泡气处理及二次超纯水排出，以去除所述石英基板上的氢氟酸溶液。
10、根据本申请实施例提供的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，首先将氧化铝研磨后的石英基板浸没在含有特定浓度和成分的碱性清洗剂的碱性溶液中，利用碱性环境使氧化铝颗粒松动，并通过超声波振动加速颗粒从石英基板表面脱离，碱性溶液能够与氧化铝发生化学反应，形成沉淀，从而削弱其与石英基板的粘附力，超声波振动时形成的冲击波可以有效地促进氧化铝颗粒的脱落；经过第一步清洗后，用超纯水对石英基板进行喷淋处理，以去除残留在表面的碱性溶液，超纯水具有极高的纯净度，不会引入新的杂质，高压喷淋可以有效冲洗掉残留的碱性溶液，防止其与后续工序中的化学品发生不良反应，同时避免碱性溶液对设备或操作人员造成损害；然后将石英基板浸泡于超纯水中，通入气体进行鼓泡处理，利用气泡破裂产生的微冲击波进一步清除石英基板表面的氧化铝颗粒，鼓泡气是一种非接触式的清洁方式，避免了物理摩擦可能带来的损伤，气泡破裂时产生的微冲击波可以深入到石英基板的微小凹凸处，有效清除较小粒径的氧化铝颗粒，减少表面缺陷；接着排出用于浸泡石英基板的超纯水，通过水流快速流动产生的拉力进一步清理石英基板表面的氧化铝颗粒，水流拉力可以帮助带走已经松动但尚未完全脱离的氧化铝颗粒；将石英基板浸泡在一定浓度的氢氟酸溶液中，并施加超声波进行清洗，以去除剩余的氧化铝颗粒及石英基板表面的氧化层，氢氟酸具有强腐蚀性，能够与二氧化硅发生反应，溶解表面的氧化层，以及腐蚀掉细小的氧化铝颗粒，超声波振动进一步增强了清洗效果，确保表面洁净度达到高规格要求；最后，对石英基板进行二次超纯水喷淋、二次氮气鼓泡处理及二次超纯水排出，彻底去除石英基板上的氢氟酸溶液，进一步可以进行干燥处理，二次清洗是为了确保没有残留的氢氟酸或其他化学物质，避免对后续工艺或产品性能产生负面影响。综上所述，本申请实施例提供的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，可以有效地去除不同粒径范围内的氧化铝颗粒，并减少对石英基板表面的物理接触，避免了引入新的污染物，实现了对氧化铝研磨后石英基板的高效、低损清洗。
11、根据本申请的一个实施例，所述将氧化铝研磨后的石英基板浸没在包括有碱性清洗剂的碱性溶液中，以使所述石英基板表面的氧化铝颗粒沉淀，具体为：
12、将所述碱性清洗剂与超纯水进行混合，所述碱性清洗剂与所述超纯水的混合比例为1:3；
13、将所述碱性溶液加热至30℃至60℃，浸泡时长为3分钟至10分钟。
14、根据本申请的一个实施例，所述对所述石英基板进行超声辅助清洗以实现对所述氧化铝颗粒的第一次脱离处理，具体为：
15、控制超声频率范围为40khz至80khz，超声辅助清洗时长为5分钟至10分钟。
16、根据本申请的一个实施例，所述对所述石英基板进行超纯水喷淋处理，以清洗所述石英基板表面的残余碱性溶液，具体为：
17、控制所述超纯水的喷淋压力范围为0.3mpa至1mpa，喷淋时长为10秒至60秒。
18、根据本申请的一个实施例，所述将所述石英基板浸泡于超纯水中，采用鼓泡气处理工艺对所述石英基板表面的氧化铝颗粒进行第二次脱离处理，具体为：
19、在所述超纯水中通入氮气进行鼓泡，所述氮气压力范围为0.4mpa至0.8mpa，鼓泡时长为20秒至60秒。
20、根据本申请的一个实施例，所述排出用于浸泡所述石英基板的超纯水，通过水流流动产生的拉力对所述石英基板表面的氧化铝颗粒进行第三次脱离处理，具体为：
21、所述超纯水的排水时长为10秒至60秒。
22、根据本申请的一个实施例，所述将所述石英基板浸泡在氢氟酸溶液中，具体为：
23、所述氢氟酸溶液的浓度范围为0.1wt％至1wt％，所述氢氟酸溶液的温度范围为16℃至22℃。
24、根据本申请的一个实施例，所述将所述石英基板浸泡在氢氟酸溶液中，并对所述石英基板进行超声辅助清洗，具体为：
25、控制超声频率范围为100khz至130khz，超声辅助清洗时长为5分钟至15分钟。
26、根据本申请的一个实施例，方法还包括：
27、将清洗后的石英基板进行晾干处理；
28、将所述石英基板放置在暗室中，并使用20万lux光强照射所述石英基板的表面，当所述石英基板的表面无不低于5μm的氧化铝颗粒时，清洗合格。
29、根据本申请的一个实施例，所述碱性清洗剂包括无机碱、非离子表面活性剂及螯合剂，ph值为13-9。
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1.一种用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述将氧化铝研磨后的石英基板浸没在包括有碱性清洗剂的碱性溶液中，以使所述石英基板表面的氧化铝颗粒沉淀，具体为：
3.根据权利要求2所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述对所述石英基板进行超声辅助清洗以实现对所述氧化铝颗粒的第一次脱离处理，具体为：
4.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述对所述石英基板进行超纯水喷淋处理，以清洗所述石英基板表面的残余碱性溶液，具体为：
5.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述将所述石英基板浸泡于超纯水中，采用鼓泡气处理工艺对所述石英基板表面的氧化铝颗粒进行第二次脱离处理，具体为：
6.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述排出用于浸泡所述石英基板的超纯水，通过水流流动产生的拉力对所述石英基板表面的氧化铝颗粒进行第三次脱离
7.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述将所述石英基板浸泡在氢氟酸溶液中，具体为：
8.根据权利要求7所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述将所述石英基板浸泡在氢氟酸溶液中，并对所述石英基板进行超声辅助清洗，具体为：
9.根据权利要求1至8中任一项所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，方法还包括：
10.根据权利要求1至8中任一项所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述碱性清洗剂包括无机碱、非离子表面活性剂及螯合剂，PH值为13-9。
...【技术特征摘要】
1.一种用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述将氧化铝研磨后的石英基板浸没在包括有碱性清洗剂的碱性溶液中，以使所述石英基板表面的氧化铝颗粒沉淀，具体为：
3.根据权利要求2所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述对所述石英基板进行超声辅助清洗以实现对所述氧化铝颗粒的第一次脱离处理，具体为：
4.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述对所述石英基板进行超纯水喷淋处理，以清洗所述石英基板表面的残余碱性溶液，具体为：
5.根据权利要求1所述的用于氧化铝研磨后的石英基板的清洗方法，其特征在于，所述将所述石英基板浸泡于超纯水中，采用鼓泡气处理工艺对所述石英基板表面的氧化铝颗粒进行第二次脱离处理，具体...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘书常，李明骏，孟晗，单佩，杜加宝，芦可可，王瑞，关蕾，黄芸，
申请(专利权)人：济南光微半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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