【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，特别是涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触电池（tunnel oxide passivated contact，topcon）电池光伏领域的主流电池。如何降低topcon电池的反射光损失，提高topcon电池的光电转换效率，提高topcon电池的发电能力是topcon电池研发的重要课题。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对现有技术中的topcon电池的反射光损失的问题提供一种太阳能电池及其制作方法。
2、为了实现上述目的，第一方面，本申请提供了一种太阳能电池，包括：
3、基底，所述基底的正面包括交替的第一金属化区和第一非金属化区，所述第一金属化区具有第一金字塔结构，所述第一非金属化区具有第二金字塔结构，自所述基底的背面向所述基底的正面的方向，所述第一金字塔结构的塔尖高于所述第二金字塔结构的塔尖，所述第一金属化区具有第一扩散掺杂区；所述基底的背面包括交替的第二金属化区和第二非金属化区，所述第二金属化区远离所述基底的一侧依次层叠有隧穿层和半导体掺杂层，所述第二非金属化区具有第三金字塔结构；
4、第一电极，设置在所述第一金属化区，所述第一电极与所述第一扩散掺杂区电连接；
5、第二电极，设置在所述第二金属化区，所述第二电极与所述半导体掺杂层电连接。
6、可选地，还包括：
7、正面钝化层，设置在所述基底的正面，所述正面钝化层覆盖所述第一金属化区的所述第一扩散掺杂区以及所述第
8、背面钝化层，设置在所述基底的背面，所述背面钝化层覆盖所述第二金属化区的所述半导体掺杂层以及所述第二非金属化区的所述基底。
9、可选地，所述第一金属化区在所述基底上形成的投影与所述第二非金属化区在所述基底上形成的投影存在交叠区域，所述第一非金属化区在所述基底上形成的投影与所述第二金属化区在所述基底上形成的投影存在交叠区域。
10、可选地，所述第一金属化区的宽度为80μm-300μm，所述第一非金属化区的宽度为450μm-900μm，所述第二金属化区的宽度为80μm-300μm，所述第二非金属化区的宽度为450μm-900μm。
11、可选地，所述第一金属化区的宽度与所述第一非金属化区的宽度的比值为1 : 1-9，所述第一金属化区的宽度与所述第二非金属化区的宽度的比值为1 : 1-9。
12、可选地，所述第一金字塔结构的塔基的尺寸大于所述第二金字塔结构的塔基的尺寸，所述第一金字塔结构的塔高大于所述第二金字塔结构的塔高。
13、可选地，所述第三金字塔结构的塔基的尺寸为0.5μm-4μm，所述第三金字塔结构的塔高为0.5μm-3μm。
14、第二方面，本公开提供了一种太阳能电池的制作方法，包括：
15、提供基底，对所述基底的正面制绒形成第一金字塔结构；
16、在所述基底的正面形成初始掺杂区；
17、间隔的去除部分所述初始掺杂区，所述初始掺杂区保留的区域作为第一金属化区，所述初始掺杂区被去除的区域作为第一非金属化区，并对所述第一非金属化区制绒，在所述第一非金属化区形成第二金字塔结构，自所述基底的背面向所述基底的正面的方向，所述第一金字塔结构的塔尖高于所述第二金字塔结构的塔尖；
18、对所述初始掺杂区推结，在所述第一金字塔结构形成第一扩散掺杂区；
19、在所述基底的背面依次形成隧穿层、本征半导体层和第二硅玻璃层；
20、掺杂所述本征半导体层，形成半导体掺杂层；
21、间隔的去除所述基底的背面层叠的部分所述隧穿层、所述半导体掺杂层和所述第二硅玻璃层，所述隧穿层、所述半导体掺杂层和所述第二硅玻璃层保留的区域作为第二金属化区，所述隧穿层、所述半导体掺杂层和所述第二硅玻璃层被去除的区域作为第二非金属化区；
22、对所述第二非金属化区制绒，在所述第二非金属化区形成第三金字塔结构；
23、去除所述第二金属化区的所述第二硅玻璃层；
24、形成正面钝化层覆盖所述第一金属化区的所述第一扩散掺杂区以及所述第一非金属化区的所述基底，形成背面钝化层覆盖所述第二金属化区的所述半导体掺杂层以及所述第二非金属化区的所述基底；
25、在所述第一金属化区上形成第一电极，所述第一电极与所述第一扩散掺杂区电连接；
26、在所述第二金属化区上形成第二电极，所述第二电极与所述半导体掺杂层电连接。
27、可选地，间隔的去除部分所述初始掺杂区，包括：激光照射所述第一非金属化区的所述初始掺杂区，然后对所述第一非金属化区的制绒，去除所述第一非金属化区的所述初始掺杂区，同时在所述第一非金属化区形成所述第二金字塔结构；
28、间隔的去除所述基底的背面层叠的部分所述隧穿层、所述半导体掺杂层和所述第二硅玻璃层，包括：激光照射所述第二非金属化区的所述隧穿层、所述半导体掺杂层和所述第二硅玻璃层，酸洗去除所述第二非金属化区的所述第二硅玻璃层，对所述第二非金属化区制绒的过程去除所述第二非金属化区的所述隧穿层和所述半导体掺杂层。
29、可选地，对所述初始掺杂区推结之后，在所述第一非金属化区的表面形成氧化层，同时在所述第一扩散掺杂区远离所述基底的一侧形成第一硅玻璃层；
30、去除所述第二非金属化区的所述隧穿层和所述半导体掺杂层的同时，去除所述氧化层和所述第一硅玻璃层。
31、本申请的太阳能电池及其制作方法，通过在正面的第一金属化区设置第一金字塔结构，第一非金属化区设置第二金字塔结构，并使第一金字塔结构高于第二金字塔结构，降低了正面的反射光损失，通过在背面的第二非金属化区设置第三金字塔结构，降低了背面的反射光损失，提高了太阳能电池短路电流输出与整体的光电转换效率，提高了太阳能电池的双面率。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属化区在所述基底上形成的投影与所述第二非金属化区在所述基底上形成的投影存在交叠区域，所述第一非金属化区在所述基底上形成的投影与所述第二金属化区在所述基底上形成的投影存在交叠区域。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属化区的宽度为80μm-300μm，所述第一非金属化区的宽度为450μm-900μm，所述第二金属化区的宽度为80μm-300μm，所述第二非金属化区的宽度为450μm-900μm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属化区的宽度与所述第一非金属化区的宽度的比值为1 : 1-9，所述第一金属化区的宽度与所述第二非金属化区的宽度的比值为1 : 1-9。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金字塔结构的塔基的尺寸大于所述第二金字塔结构的塔基的尺寸，所述第一金字塔结构的塔高大于所述第二金字塔结
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三金字塔结构的塔基的尺寸为0.5μm-4μm，所述第三金字塔结构的塔高为0.5μm-3μm。
8.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，间隔的去除部分所述初始掺杂区，包括：激光照射所述第一非金属化区的所述初始掺杂区，然后对所述第一非金属化区的制绒，去除所述第一非金属化区的所述初始掺杂区，同时在所述第一非金属化区形成所述第二金字塔结构；
10.根据权利要求9所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，对所述初始掺杂区推结之后，在所述第一非金属化区的表面形成氧化层，同时在所述第一扩散掺杂区远离所述基底的一侧形成第一硅玻璃层；
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属化区在所述基底上形成的投影与所述第二非金属化区在所述基底上形成的投影存在交叠区域，所述第一非金属化区在所述基底上形成的投影与所述第二金属化区在所述基底上形成的投影存在交叠区域。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属化区的宽度为80μm-300μm，所述第一非金属化区的宽度为450μm-900μm，所述第二金属化区的宽度为80μm-300μm，所述第二非金属化区的宽度为450μm-900μm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一金属化区的宽度与所述第一非金属化区的宽度的比值为1 : 1-9，所述第一金属化区的宽度与所述第二非金属化区的宽度的比值为1 : 1-9。
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕岩锋，张远方，王钊，郑霈霆，杨洁，张昕宇，方灵新，顾文贤，
申请(专利权)人：晶科能源上饶有限公司，
类型：发明
国别省市：
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