【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，特别是涉及一种曲线掩膜版图的相似度判定方法、装置、介质、程序产品及终端。
技术介绍
1、掩模图形相似度判定是指在半导体制造过程中，对不同掩模图形之间的相似程度进行量化评估的过程。这种判定对于掩模版图设计优化、工艺控制以及良率提升具有重要意义。在半导体制造中，掩模图形相似度判定的重要性主要体现在以下几个方面：帮助识别可能导致制造缺陷的图形特征；优化版图设计，提高制造良率；评估工艺变化对产品性能的影响。
2、现有技术中，掩模图形相似度的判定方法主要基于纯几何参数进行比对。这种方法在处理传统的曼哈顿结构（即由正交线段构成的矩形图形）时表现较好，判定过程相对简单直接。具体判定参数通常包括：图形的边长面积大小边界轮廓拐角位置等几何特征。
3、然而，现有的判定方法存在如下不足，过度敏感性：对于曲线化图形，即使存在极小的几何差异，也会被判定为不同图案，这种判定结果往往过于严格；工艺相关性不足：纯几何参数的判定未能充分考虑半导体制造工艺的特点，难以反映图形差异对实际制造过程的影响程度；判定标准单一：现有方法过分依赖几何参数，缺乏对工艺敏感性的综合评估。这些问题在现代半导体制造中变得尤为突出，特别是随着工艺节点的不断推进，掩膜图形设计日趋复杂，曲线化图形的使用越来越普遍。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种曲线掩膜版图的相似度判定方法、装置、介质、程序产品及终端，用于解决现有技术中，掩模图形相似度判定方法过于依赖纯几何
2、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第一方面提供一种曲线掩膜版图的相似度判定方法，包括： 获取基准曲线版图和待测曲线版图；生成所述基准曲线版图的最小外接矩形，作为第一矩形；生成所述待测曲线版图的最小外接矩形，作为第二矩形；基于所述第一矩形和所述第二矩形，对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度初步判定操作；若判定结果为相似图形，则基于模拟光强对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度深度判定操作，以生成相似度判定结果。
3、于本申请的第一方面的一些实施例中，基于模拟光强对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度深度判定操作的过程包括：对所述第一矩形执行光强分布生成操作，以生成所述基准曲线版图的第一光强分布图；对所述第二矩形执行光强分布生成操作，以生成所述待测曲线版图的第二光强分布图；计算所述第一光强分布图与所述第二光强分布图的光强差值；若所述光强差值小于第二阈值，则判定所述基准曲线版图和所述待测曲线版图为相似图形；否则，判定为不相似图形。
4、于本申请的第一方面的一些实施例中，对目标矩形执行所述光强分布生成操作，以生成对应的光强分布图的过程包括如下步骤：基于所述目标矩形的短边线宽，生成对应的分辨率参数；按照预设采样间隔，从所述目标矩形的顶部至底部依次进行采样；所述采样过程包括：对每个采样位置基于所述分辨率参数执行光学模拟操作，以生成对应的光强参数值；以采样序号为横坐标，以所述光强参数值为纵坐标，建立二维坐标系，以生成光强分布图。
5、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述分辨率参数包括以下任意一种或多种：光源波长、物镜数值孔径、光刻工艺因子、相干系数。
6、于本申请的第一方面的一些实施例中，所述光强差值包括以下任意一个或多个：最大值差值、最小值差值和光强曲线斜率。
7、于本申请的第一方面的一些实施例中，对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度初步判定操作的过程包括：若所述第一矩形和所述第二矩形的长边和短边的相对差值均小于第一阈值，则判定所述第一矩形和所述第二矩形位为相似图形；否则，判定为不相似图形。
8、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第二方面提供一种曲线掩膜版图的相似度判定装置，包括：数据获取模块：用于获取基准曲线版图和待测曲线版图；初步判断模块：用于生成所述基准曲线版图的最小外接矩形，作为第一矩形；生成所述待测曲线版图的最小外接矩形，作为第二矩形；基于所述第一矩形和所述第二矩形，对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度初步判定操作；深度判断模块：用于若判定结果为相似图形，则基于模拟光强对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度深度判定操作，以生成相似度判定结果。
9、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第三方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述曲线掩膜版图的相似度判定方法。
10、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第四方面提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现所述曲线掩膜版图的相似度判定方法。
11、为实现上述目的及其他相关目的，本申请的第五方面提供一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序；所述处理器执行所述计算机程序以实现所述曲线掩膜版图的相似度判定方法。
12、如上所述，本申请的曲线掩膜版图的相似度判定方法、装置、介质、程序产品及终端，具有以下有益效果：通过初步判断矩形边的相对差值，迅速筛选出相似与不相似的图形，降低了计算量，提高了效率。此后，利用光强分布图进行深入分析，能够准确捕捉并比较光学特性的关键参数，从而大幅提升了相似度判定的精度和可靠性。此外，适配最短边宽度生成的光学分辨率匹配策略，确保了光强分布图的清晰度，避免了传统方法中的误判与偏差。不仅适用于光刻工艺优化与光学设计验证，显著提升了光学分析与设计的效率与精度。
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1.一种曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，基于模拟光强对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度深度判定操作的过程包括：
3.根据权利要求2所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，对目标矩形执行所述光强分布生成操作，以生成对应的光强分布图的过程包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，所述分辨率参数包括以下任意一种或多种：光源波长、物镜数值孔径、光刻工艺因子、相干系数。
5.根据权利要求2所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，所述光强差值包括以下任意一个或多个：最大值差值、最小值差值和光强曲线斜率。
6.根据权利要求1所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度初步判定操作的过程包括：
7.一种曲线掩膜版图的相似度判定装置，其特征在于，包括：
8.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机
9.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品中包括计算机程序代码，当所述计算机程序代码在计算机上运行时，使得所述计算机实现如权利要求1至6中任一项所述曲线掩膜版图的相似度判定方法。
10.一种电子终端，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1至6中任一项所述曲线掩膜版图的相似度判定方法。
...【技术特征摘要】
1.一种曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，基于模拟光强对所述基准曲线版图和待测曲线版图执行相似度深度判定操作的过程包括：
3.根据权利要求2所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，对目标矩形执行所述光强分布生成操作，以生成对应的光强分布图的过程包括如下步骤：
4.根据权利要求3所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，所述分辨率参数包括以下任意一种或多种：光源波长、物镜数值孔径、光刻工艺因子、相干系数。
5.根据权利要求2所述的曲线掩膜版图的相似度判定方法，其特征在于，所述光强差值包括以下任意一个或多个：最大值差值、最小值差值和光强曲线斜率。
6.根据权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：华芯程杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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