【技术实现步骤摘要】
本揭露涉及一种半导体元件的制作方法，尤其涉及一种发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置。
技术介绍
1、近年来，具有发光二极管的发光元件或应用发光元件的电子装置逐渐成为显示或照明趋势。发光二极管通常是使用激光将未掺杂的氮化镓层分解为镓层与氮层，从而使发光二极管与蓝宝石基板分离，其中镓层容易残留于发光二极管的表面上，从而影响发光二极管的有效出光效率和光型。为了去除发光二极管表面上的镓层，目前是采用氯化氢以酸洗的方式来去除。然而，酸洗的步骤除了会损坏基板或发光二极管的焊料/凸块材料，从而导致成品率下降或材料使用受限之外，且也会造成环境污染而不符合绿色生产（greenproduction）的趋势。因此，如何有效地去除发光二极管表面上的镓层，从而提高发光二极管的光萃取效率（light extraction efficiency），已成为目前亟待解决的问题之一。
技术实现思路
1、本揭露提供一种发光元件的制作方法及应用发光元件的电子装置，可提高光萃取效率，可具有较佳的出光效果。
2、根据本揭露的实施例，发光元件的制作方法其包括以下步骤。提供发光二极管。施加能量束于发光二极管的缓冲层上，以形成表面粗糙层于发光二极管上。表面粗糙层包括多个凸起微结构，且多个凸起微结构彼此分离。多个凸起微结构的高度在10纳米至100纳米的范围内。多个凸起微结构的宽度在10纳米至1000纳米的范围内。两个相邻多个凸起微结构之间的间距在10纳米至1000纳米的范围内。
3、根据本揭露的另一实
4、根据本揭露的另一实施例，电子装置包括发光元件及电性连接发光元件的驱动电路。发光元件包括发光二极管以及表面粗糙层。表面粗糙层形成于发光二极管上。表面粗糙层包括多个凸起微结构，且多个凸起微结构彼此分离。多个凸起微结构的高度在10纳米至100纳米的范围内。多个凸起微结构的宽度在10纳米至1000纳米的范围内。两个相邻多个凸起微结构之间的间距在10纳米至1000纳米的范围内。
5、综上所述，在本揭露的实施例中，通过施加能量束来处理发光二极管的表面，其中能量束的功率密度大于0 毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米，因此可提高发光元件及应用发光元件的电子装置的光萃取效率，可具有较佳的出光效果。
6、为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
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1.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，所述能量束的功率密度大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米。
3.根据权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，以剖面观之，所述多个凸起微结构的形状包括梯形、三角形、半圆形、半椭圆形或不规则形状。
4.根据权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材质包括氮化镓或铝。
5.一种发光元件，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，以剖面观之，所述多个凸起微结构的形状包括梯形、三角形、半圆形、半椭圆形或不规则形状。
7.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述发光二极管包括磊晶结构层、第一型电极与第二型电极，所述磊晶结构层包括第一型半导体层、发光层与第二型半导体层，所述第一型电极电性连接所述第一型半导体层，而所述第二型电极电性连接所述第二型半导体层。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，所述第一型电极与所述第二型电极
9.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述表面粗糙层的粗糙度在10纳米至100纳米的范围内。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括：
11.根据权利要求10所述的电子装置，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求11所述的电子装置，其特征在于，所述基板包括多个电极垫，分别电性连接所述发光元件的第一型电极与第二型电极。
13.根据权利要求12所述的电子装置，其特征在于，还包括：
14.根据权利要求13所述的电子装置，其特征在于，所述电性连接介质包括异方性导电胶。
...【技术特征摘要】
1.一种发光元件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，所述能量束的功率密度大于0毫焦耳/平方厘米且小于或等于2000毫焦耳/平方厘米。
3.根据权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，以剖面观之，所述多个凸起微结构的形状包括梯形、三角形、半圆形、半椭圆形或不规则形状。
4.根据权利要求1所述的发光元件的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材质包括氮化镓或铝。
5.一种发光元件，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，以剖面观之，所述多个凸起微结构的形状包括梯形、三角形、半圆形、半椭圆形或不规则形状。
7.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述发光二极管包括磊晶结构层、第一型电极与第二型电极，所述磊晶结构层包括第一型半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：石建中，谢朝桦，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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