【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片领域，尤其涉及一种电位箝位及增加转换率的控制电路。
技术介绍
1、一般用于显示器的放大器使用方式，在放大器正端(v+)输入参考电压，输出通过电阻分压并配合负反馈至放大器负端(v-)的机制，连接方法如示意图1所示。应用于全幅电压操作的放大器中，一般设计时会选择单一元件，如果电压范围超过5v，会选用高压元件。然而，高压元件的匹配性较差，且转换率也不佳。
技术实现思路
1、鉴于以上技术问题，本专利技术提供了一种电位箝位及增加转换率的控制电路，以解决现有技术中芯片内部的放大器在电压范围超过5v选用高压元件导致匹配性较差，转换率不佳问题。
2、本公开的其他特征和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
3、本专利技术公开一种电位箝位及增加转换率的控制电路，其特征在于，应用于芯片内部的放大器中，所述电路包括：
4、钳位及增速电路，所述钳位及增速电路包括多个mos管和分压电阻，用于接入放大器的正端和负端输入信号，通过对多个mos管的开关控制和多个分压电阻的比例调配，使得放大器的正端和负端输入信号在预设的耐压范围内；
5、快速转换电路，所述快速转换电路包括由低压元件成的第一转换模块和由高压元件构成的第二转换模块，所述第一转换模块和所述第二转换模块均包括两组漏极和源极相接的mos管，两组mos管的源极共接至一源极电流，以及，每组mos管的源极及块体之间接入一压差电阻，块体端点输入一偏置电流源，以使得两端点形成
6、放大电路，所述放大电路由共源放大器和共栅放大器构成，用于起到放大作用。
7、进一步的，所述钳位及增速电路具体包括m型mos管和p型mos管，所述p型mos管和所述m型mos管的栅极共接第一分压电阻，所述第一分压电阻接放大器的正端输入信号，所述p型mos管的漏极接第二分压电阻，所述第二分压电阻接电压电源，所述m型mos管的源极连接第三分压电阻，所述第三分压电阻连接另一电压电源，所述m型mos管的漏极和所述p型mos管的源极共接至一第四分压电阻，所述第四分压电阻接放大器的负端输入信号。
8、本公开的技术方案具有以下有益效果：
9、本专利技术的电路在切换时，元件能够有效地在不同的电位区间工作，实现线性化的快速转换，进而控制元件操作在所需的电压操作范围内，有效地避免元件老化速度过快，从而防止产品损坏。同时，减少高压元件的使用，大幅缩小芯片面积，以降低成本，并且利用低压元件匹配性较好的特性，以降低整体误差，提高放大器的准确率。
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1.一种电位箝位及增加转换率的控制电路，其特征在于，应用于芯片内部的放大器中，所述电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种电位箝位及增加转换率的控制电路，其特征在于，所述钳位及增速电路具体包括M型MOS管和P型MOS管，所述P型MOS管和所述M型MOS管的栅极共接第一分压电阻，所述第一分压电阻接放大器的正端输入信号，所述P型MOS管的漏极接第二分压电阻，所述第二分压电阻接电压电源，所述M型MOS管的源极连接第三分压电阻，所述第三分压电阻连接另一电压电源，所述M型MOS管的漏极和所述P型MOS管的源极共接至一第四分压电阻，所述第四分压电阻接放大器的负端输入信号。
【技术特征摘要】
1.一种电位箝位及增加转换率的控制电路，其特征在于，应用于芯片内部的放大器中，所述电路包括：
2.根据权利要求1所述的一种电位箝位及增加转换率的控制电路，其特征在于，所述钳位及增速电路具体包括m型mos管和p型mos管，所述p型mos管和所述m型mos管的栅极共接第一分压电阻，...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑子俞，黄弘安，许庆勋，
申请(专利权)人：灵犀视芯显示技术深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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