System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法、系统、装置及介质制造方法及图纸_技高网

一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法、系统、装置及介质制造方法及图纸

技术编号:44653734 阅读:5 留言:0更新日期:2025-03-17 18:44
本发明专利技术公开了一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法、系统、装置及介质,包括:基于声波时差曲线、密度曲线、中子测井原理差异,将声波时差曲线和密度曲线反向刻度,得到大孔隙指数SI;将补偿中子与密度曲线反向刻度,得到受残余烃影响的大孔隙指数SI2,两者的差异H与储层中残余烃的含量呈正比;通过多个试油水层进行刻度,可得不同地层水电阻率下的校正系数K;利用校正系数对常规电阻率‑孔隙度图版进行校正,在校正图版上应用底部水层法得到地层水电阻率。本发明专利技术克服了此类水层由于电阻率高,导致常规图版计算地层水电阻率值偏大的问题,实现对地层水电阻率的准确计算。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于测井储层评价,涉及一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法、系统、装置及介质


技术介绍

1、地层水电阻率作为测井解释中求取含水饱和度的一个关键参数,其计算的准确度直接影响含油气的定量解释。目前得到地层水电阻率的方法主要有三种:化学分析法、自然电位法及地层电阻率与孔隙度交会法。其中化学分析法根据地层水样测定,是最为直接和准确的,但由于样品数量有限和代表性问题,不满足实际解释需求。另外两种方法都是根据测井资料反算,结果具有连续性,可以广泛应用,但精度不同。根据李霞等人的研究电阻率-孔隙度交会图法计算结果最接近实验室水分析确定的地层水电阻率,该方法又叫底部水层法,即将解释层段内纯水层的电阻率和孔隙度读值投影到一系列地层水电阻率对应的电阻率-孔隙度图版中,这些点子的最底部对应的地层水电阻率即为该井段的地层水电阻率。目前的地层水电阻率求取方法在油水关系复杂、存在有机质复合体的储层中适用性不好。计算的地层水电阻率,往往与水分析得到的地层水电阻率差异较大。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于解决现有技术中地层水电阻率求取方法在油水关系复杂、存在有机质复合体的储层中适用性不好;计算的地层水电阻率,往往与水分析得到的地层水电阻率差异较大的问题,提供一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法、系统、装置及介质。

2、为达到上述目的,本专利技术采用以下技术方案予以实现:

3、一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,包括:

4、基于测井测量的声波时差曲线和密度曲线,得到大孔隙指数si;

5、基于测井测量补偿中子曲线和密度曲线,得到受残余烃影响的大孔隙指数si2;

6、基于大孔隙指数si与受残余烃影响的大孔隙指数si2,得到重烃指数h;

7、结合区域试油资料,通过多个水层刻度和重烃指数h,得到电阻率r0校;基于阿尔奇公式和区域岩电参数计算的纯水层电阻率r0;将r0校与r0进行相比,得到校正系数k;

8、通过校正系数图版,基于待求取地层水电阻率层段水层的重烃指数h,得到一系列地层水电阻率下的校正系数k,对常规电阻率-孔隙度图版进行校正得到校正后图版;

9、将待求取地层水电阻率井段的水层进行投影,通过底部水层法得到该井段地层水电阻率。

10、本专利技术的进一步改进在于:

11、进一步的,基于测井测量的声波时差曲线和密度曲线,得到大孔隙指数si,具体为:

12、

13、其中,δt为测井测量声波时差值;den为测井测量密度值;a为声波刻度的最小值,b为声波刻度的最大值,c为密度刻度的最小值,d为密度刻度的最大值。

14、进一步的,基于测井测量补偿中子曲线和密度曲线,得到受残余烃影响的大孔隙指数si2,具体为:

15、

16、其中,den和cnl分别为测井测量的密度和补偿中子值;si2为中子和密度曲线差异值,e为补偿中子刻度最小值,f为补偿中子刻度最大值。

17、同时测井测量的密度den为

18、

19、其中,denf为流体密度值;denma为骨架密度值;为孔隙度。

20、进一步的,基于大孔隙指数si与受残余烃影响的大孔隙指数si2,得到重烃指数h,具体为:

21、h=si2-si (4)

22、进一步的,结合区域试油资料,通过多个水层刻度和重烃指数h,得到电阻率r0校,具体为:

23、r0校=10a×h+b (5)

24、其中,a和b均为常数。

25、进一步的,基于阿尔奇公式和区域岩电参数计算的纯水层电阻率r0;将r0校与r0进行相比,得到校正系数k,具体为:

26、

27、

28、其中,rw为试油层位通过水分析得到的地层水电阻率;a’、m为岩电参数,区块内为常数。

29、一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取系统,包括:

30、第一获取模块,所述第一获取模块基于测井测量的声波时差曲线和密度曲线,得到大孔隙指数si;

31、第二获取模块,所述第二获取模块基于测井测量补偿中子曲线和密度曲线,得到受残余烃影响的大孔隙指数si2;

32、重烃指数获取模块,所述重烃指数获取模块基于大孔隙指数si与受残余烃影响的大孔隙指数si2,得到重烃指数h;

33、对比模块,所述对比模块结合区域试油资料,通过多个水层刻度和重烃指数h,得到电阻率r0校;基于阿尔奇公式和区域岩电参数计算的纯水层电阻率r0;将r0校与r0进行相比,得到校正系数k;

34、校正模块,所述校正模块通过校正系数图版,基于待求取地层水电阻率层段水层的重烃指数h,得到一系列地层水电阻率下的校正系数k,对常规电阻率-孔隙度图版进行校正得到校正后图版;

35、地层水电阻率获取模块,所述地层水电阻率获取模块将待求取地层水电阻率井段的水层进行投影,通过底部水层法得到该井段地层水电阻率。

36、一种终端设备,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如上述方法的步骤。

37、一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时实现如上述方法的步骤。

38、与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:

39、本专利技术基于声波时差曲线、密度曲线、中子测井原理差异,将声波时差曲线和密度曲线反向刻度,得到大孔隙指数si;将补偿中子与密度曲线反向刻度,得到受残余烃影响的大孔隙指数si2,两者的差异h与储层中残余烃的含量呈正比;通过多个试油水层进行刻度,可得不同地层水电阻率下的校正系数k;利用校正系数对常规电阻率-孔隙度图版进行校正,在校正图版上应用底部水层法得到地层水电阻率。本专利技术克服了此类水层由于电阻率高,导致常规图版计算地层水电阻率值偏大的问题,实现对地层水电阻率的准确计算。

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【技术保护点】

1.一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述基于测井测量的声波时差曲线和密度曲线,得到大孔隙指数SI,具体为:

3.根据权利要求2所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述基于测井测量补偿中子曲线和密度曲线,得到受残余烃影响的大孔隙指数SI2,具体为:

4.根据权利要求3所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述基于大孔隙指数SI与受残余烃影响的大孔隙指数SI2,得到重烃指数H,具体为:

5.根据权利要求4所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述结合区域试油资料,通过多个水层刻度和重烃指数H,得到电阻率R0校,具体为:

6.根据权利要求5所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述基于阿尔奇公式和区域岩电参数计算的纯水层电阻率R0;将R0校与R0进行相比,得到校正系数K,具体为:

7.一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取系统,其特征在于,包括:

8.一种终端设备,包括存储器、处理器以及存储在所述存储器中并可在所述处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-6任一项所述方法的步骤。

9.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-6任一项所述方法的步骤。

...

【技术特征摘要】

1.一种消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述基于测井测量的声波时差曲线和密度曲线,得到大孔隙指数si,具体为:

3.根据权利要求2所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述基于测井测量补偿中子曲线和密度曲线,得到受残余烃影响的大孔隙指数si2,具体为:

4.根据权利要求3所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述基于大孔隙指数si与受残余烃影响的大孔隙指数si2,得到重烃指数h,具体为:

5.根据权利要求4所述的消除残余烃影响的地层水电阻率获取方法,其特征在于,所述结合区域试油资料,通过多...

【专利技术属性】
技术研发人员:单沙沙李震隋秀英周静萍许阳李宁赵毅
申请(专利权)人:中国石油天然气集团有限公司
类型:发明
国别省市:

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