System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种高鲁棒性分布式放大器制造技术_技高网

一种高鲁棒性分布式放大器制造技术

技术编号:44653584 阅读:9 留言:0更新日期:2025-03-17 18:44
本发明专利技术公开了一种高鲁棒性分布式放大器,属于通讯电路设计技术领域,分布式放大器为四级放大电路的Cascode架构,在每级放大电路中,共栅晶体管的栅极通过一个栅极电感与可重构电容的一端连接,可重构电容的另一端接地;可重构电容在不同工艺角、电源电压和温度下调节为不同电容值。本发明专利技术中的可重构电容在不同的工艺角、电源电压和温度下可以调节为不同的电容值,可以和栅极电感共同作用,对劈裂的极点位置进行调整,使得放大器工作在增益最高、带宽最宽并且不发生振荡的区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于通讯电路设计,具体涉及一种高鲁棒性分布式放大器


技术介绍

1、分布式放大器用于无线通讯、光纤通讯领域,在分布式放大器中,cascode架构的栅极电感被广泛的用于提升增益和带宽。然而,不合适的栅极电感取值又有可能造成电路工作在不稳定的状况,尤其是在不同电源电压、不同工艺角和不同温度下,很难找到一个满足所有条件的合适取值。即使不采用栅极电感,分布式放大器电源地的寄生电感也会起到相同的作用,使得难以获得高鲁棒性高性能的。


技术实现思路

1、针对现有技术中的上述不足,本专利技术提供的高鲁棒性分布式放大器解决了现有分布式放大器共栅晶体管栅极电容无法在大多数工作状态下取值为其最佳工作状态,进而难以获得高鲁棒性的问题

2、为了达到上述专利技术目的,本专利技术采用的技术方案为:一种高鲁棒性分布式放大器,所述分布式放大器为四级放大电路的cascode架构,在每级放大电路中,共栅晶体管的栅极通过一个栅极电感与可重构电容的一端连接,所述可重构电容的另一端接地;

3、所述可重构电容在不同工艺角、电源电压和温度下调节为不同电容值。

4、进一步地,所述分布式放大器包括依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路和第四级放大电路;

5、每级放大电路包括共栅晶体管、共源晶体管、输入电感、第一偏置电阻、第二偏置电阻、栅极电感、输出电感以及可重构电容;

6、在第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路中:

7、所述共栅晶体管的栅极与栅极电感的一端连接,所述栅极电感的另一端分别与第一偏置电阻的一端和可重构电容的一端连接,所述可重构电容的另一端接地,所述第一偏置电阻的另一端分别与偏置电压20和后一级放大电路中第一偏置电阻的另一端连接;

8、所述共栅晶体管的漏极分别与输出电感的另一端和后一级放大电路中输出电感的一端连接;

9、所述共栅晶体管的源极与共源晶体管的漏极连接,所述共源晶体管的源极接地,所述共源晶体管的栅极分别与第二偏置电阻的一端、输入电感的另一端以及后一级放大电路中输入电感的一端连接,所述第二偏置电阻的另一端与后一级放大电路中第二偏置电阻的另一端和偏置电压10连接;

10、在所述第一级放大电路中,输入电感的一端与隔直电容cb1的一端连接,所述隔直电容cb1的另一端作为所述分布式放大器的输入端,所述输出电感的一端与特征阻抗电阻ro2的一端连接,所述特征阻抗电阻ro2的另一端与隔直电容cb3的一端连接,所述隔直电容cb3的另一端接地。

11、进一步地,在第四级放大电路中,所述共栅晶体管的栅极与栅极电感的一端连接,所述栅极电感的另一端分别与第一偏置电阻的一端和可重构电容的一端连接,所述可重构电容的另一端接地,所述第一偏置电阻的另一端分别与偏置电压20连接;

12、所述共栅晶体管的漏极分别与输出电感的另一端和输出电感ld5的一端连接,所述输出电感ld5的另一端分别与隔直电容cb4的一端和交流扼流电感lb1的一端连接,所述交流扼流电感lb1另一端与电源连接,所述隔直电容cb4的另一端作为所述分布式放大器的输出端。

13、所述共栅晶体管的源极与共源晶体管的漏极连接,所述共源晶体管的源极接地,所述共源晶体管的栅极分别与第二偏置电阻的一端、输入电感的另一端以及输入电感li5的一端连接,所述第二偏置电阻的另一端与偏置电压10连接,所述输入电感li5的另一端与特征阻抗电阻ro1的一端连接,所述特征阻抗电阻ro1的另一端与隔直电容cb2的一端连接,所述隔直电容cb2的另一端接地。

14、进一步地,在第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路和第四级放大电路中,所述可重构电容包括电容开关mr1、电容开关mr2和电容开关mr3;

15、电容开关mr1的栅极通过栅极电阻rr1与控制信号ct1连接,所述电容开关mr1的漏极分别与固定电容cr0的一端、电容开关mr2的漏极和电容开关mr3的漏极连接,并作为所述可重构电容的输入端与对应栅极电感的另一端连接,所述电容开关mr1的源极与可调节电容cr1的一端连接;

16、所述电容开关mr2的栅极通过栅极电阻rr2与控制信号ct2连接,所述电容开关mr2的源极与可调节电容cr2的一端连接,所述电容开关mr2的栅极通过栅极电阻rr3与控制信号ct3连接,所述电容开关mr3的源极与可调节电容cr3的一端连接;

17、所述可调节电容cr1、cr2和cr3的另一端均与固定电容cr0的另一端连接,并作为所述可重构电容的输出端接地。

18、进一步地,在所述可重构电容中,所述控制信号ct1、ct2和ct3为数字信号1或0,当为1时,对应的电容开关导通,当为0时,对应的电容开关关断。

19、本专利技术的有益效果为:

20、(1)本专利技术提供的放大器结构,在栅极电感的另一端则和可重构电容相连然后接地,此可重构电容在不同的工艺角、电源电压和温度下可以调节为不同的电容值,可以使得分布式放大器在不同工艺角、电源电压和温度下都能通过栅极电感实现高增益宽带宽而不发生振荡,提升了分布式放大器的鲁棒性。

21、(2)本专利技术中基于可重构电容和电感谐振,可以抑制电感造成的极点劈裂,从而实现电路的稳定工作。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,所述分布式放大器为四级放大电路的Cascode架构,在每级放大电路中,共栅晶体管的栅极通过一个栅极电感与可重构电容的一端连接,所述可重构电容的另一端接地;

2.根据权利要求1所述的高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,所述分布式放大器包括依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路和第四级放大电路;

3.根据权利要求2所述的高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,在第四级放大电路中,所述共栅晶体管的栅极与栅极电感的一端连接,所述栅极电感的另一端分别与第一偏置电阻的一端和可重构电容的一端连接,所述可重构电容的另一端接地,所述第一偏置电阻的另一端分别与偏置电压20连接;

4.根据权利要求3所述的高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,在第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路和第四级放大电路中,所述可重构电容包括电容开关Mr1、电容开关Mr2和电容开关Mr3;

5.根据权利要求4所述的高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,在所述可重构电容中,所述控制信号CT1、CT2和CT3为数字信号1或0,当为1时,对应的电容开关导通,当为0时,对应的电容开关关断。

...

【技术特征摘要】

1.一种高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,所述分布式放大器为四级放大电路的cascode架构,在每级放大电路中,共栅晶体管的栅极通过一个栅极电感与可重构电容的一端连接,所述可重构电容的另一端接地;

2.根据权利要求1所述的高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,所述分布式放大器包括依次连接的第一级放大电路、第二级放大电路、第三级放大电路和第四级放大电路;

3.根据权利要求2所述的高鲁棒性分布式放大器,其特征在于,在第四级放大电路中,所述共栅晶体管的栅极与栅极电感的一端连接,所述栅极电感的另一端分别与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨陈辰胡晓雪张振宁陶健姜丹丹马文英李东芳叶松
申请(专利权)人:成都信息工程大学
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1