本公开涉及用于晶圆的最终抛光方法及抛光晶圆。在用于晶圆的最终抛光方法中，该晶圆包括第一待去除层和第二待去除层，第一待去除层和第二待去除层彼此邻接且材料不同，该最终抛光方法包括：对晶圆进行第一抛光以去除第一待去除层的一部分；以及对经过第一抛光的晶圆进行第二抛光以去除第一待去除层的剩余部分和第二待去除层，其中，第二抛光的材料去除速率小于第一抛光的材料去除速率。通过本公开的用于晶圆的最终抛光方法，能够避免或减轻晶圆在最终抛光工艺阶段的平坦度恶化。
【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，具体地，涉及用于晶圆的最终抛光方法及抛光晶圆。
技术介绍
1、作为半导体晶圆制造过程中的一种常用技术，背封工艺主要是利用气相沉积法在晶圆的背面形成一层背封膜例如多晶硅薄膜，以提升晶圆的质量。背封工艺特别适用于重掺杂晶圆，多晶硅薄膜具备良好的吸杂能力，能够有效地阻止掺杂剂向外扩散。在实际进行背封工艺时，某些设备可能由于设计或技术限制，无法确保仅在晶圆的背面形成薄膜，而是还可能在晶圆的正面也形成一层薄膜。
2、晶圆的最终抛光作为晶圆表面处理的关键工艺阶段，其目的是去除晶圆正面上的因前序加工工艺而引入的损伤层和表面不平整，以确保晶圆表面达到所需的光洁度和平坦度。随着半导体技术的发展，晶圆的直径不断增大，为了满足更高性能的器件制造需求，晶圆的最终抛光工艺需要达到更为严格的平坦度标准。
3、对于因经过背封工艺而在正面的损伤层上形成了一层薄膜层的晶圆而言，当对晶圆进行最终抛光工艺时，在对损伤层进行去除之前，需要先去除损伤层外侧的薄膜层。在这种情况下，采用常规的用于直接去除损伤层的抛光工序对于此类晶圆的表面形貌的可控性不佳，导致晶圆在最终抛光工艺阶段存在平坦度恶化的趋势，特别是导致晶圆的纳米形貌（nanotopography）恶化。
技术实现思路
1、本部分提供本公开的总体概要，而不是对本公开的全部范围或所有特征的全面公开。
2、本公开的目的在于提供一种能够避免或减轻晶圆在最终抛光工艺阶段的平坦度恶化的用于晶圆的最终抛光方法。
>3、为了实现上述目的，根据本公开的第一方面，提供了一种用于晶圆的最终抛光方法，晶圆包括第一待去除层和第二待去除层，第一待去除层和第二待去除层彼此邻接且材料不同，用于晶圆的最终抛光方法包括：4、对晶圆进行第一抛光以去除第一待去除层的一部分；以及
5、对经过第一抛光的晶圆进行第二抛光以去除第一待去除层的剩余部分和第二待去除层，其中，第二抛光的材料去除速率小于第一抛光的材料去除速率。
6、在一些实施方式中，用于晶圆的最终抛光方法还可以包括对经过第二抛光的晶圆进行第三抛光，第三抛光的材料去除速率小于第二抛光的材料去除速率。
7、在一些实施方式中，第二抛光可以以第二目标去除厚度进行，第三抛光可以以第三目标去除厚度进行，其中，第二目标去除厚度可以大于第三目标去除厚度。
8、在一些实施方式中，第二目标去除厚度中的单晶硅去除厚度与第三目标去除厚度的比值可以为6:1至4:1。
9、在一些实施方式中，第二目标去除厚度中的单晶硅去除厚度和第三目标去除厚度之和可以大于或等于待进行第一抛光的晶圆的损伤层的厚度的150%。
10、在一些实施方式中，第一抛光可以使用含有碱性添加剂的第一抛光液，第二抛光可以使用含有碱性添加剂的第二抛光液，第二抛光液中的碱性添加剂的添加比例可以小于第一抛光液中的碱性添加剂的添加比例。
11、在一些实施方式中，第一抛光可以使用含有碱性添加剂的第一抛光液，第二抛光可以使用含有碱性添加剂的第二抛光液，第三抛光可以使用不含碱性添加剂的第三抛光液，其中，第二抛光液中的碱性添加剂的添加比例可以小于第一抛光液中的碱性添加剂的添加比例。
12、在一些实施方式中，第一待去除层的一部分的厚度可以为第一待去除层的总厚度的85%至95%。
13、在一些实施方式中，第一待去除层的材料可以为多晶硅，第二待去除层的材料可以为单晶硅。
14、根据本公开的第二方面，提供了一种抛光晶圆，抛光晶圆是使用根据本公开的第一方面的用于晶圆的最终抛光方法获得的，抛光晶圆的nano 2mm×2mm小于15nm。
15、根据上述技术方案，对于具有彼此邻接且材料不同的第一待去除层和第二待去除层的晶圆，针对第一待去除层先后实施两种不同强度级别的抛光步骤，具体地，通过在材料去除速率较大的第一抛光步骤实施到晶圆的第一待去除层与第二待去除层的交界面之前切换成实施材料去除速率较小的第二抛光步骤，使得能够以相对更温和的方式对第一待去除层的包含交界面在内的剩余部分进行去除，由此避免或减轻晶圆在最终抛光工艺阶段的平坦度恶化，从而使经过最终抛光得到的抛光晶圆具有良好的表面平坦度，例如具有良好的纳米形貌。
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【技术保护点】
1.一种用于晶圆的最终抛光方法，所述晶圆包括第一待去除层和第二待去除层，所述第一待去除层和所述第二待去除层彼此邻接且材料不同，其特征在于，所述最终抛光方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，还包括对经过所述第二抛光的所述晶圆进行第三抛光，所述第三抛光的材料去除速率小于所述第二抛光的材料去除速率。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第二抛光以第二目标去除厚度进行，所述第三抛光以第三目标去除厚度进行，其中，所述第二目标去除厚度大于所述第三目标去除厚度。
4.根据权利要求3所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第二目标去除厚度中的单晶硅去除厚度与所述第三目标去除厚度的比值为6:1至4:1。
5.根据权利要求3或4所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第二目标去除厚度中的单晶硅去除厚度和所述第三目标去除厚度之和大于或等于待进行所述第一抛光的所述晶圆的损伤层的厚度的150%。
6.根据权利要求1所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第一抛光使用含有碱性添加剂的第一抛光液，所述第二抛光使用含有碱性添加剂的第二抛光液，所述第二抛光液中的碱性添加剂的添加比例小于所述第一抛光液中的碱性添加剂的添加比例。
7.根据权利要求2所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第一抛光使用含有碱性添加剂的第一抛光液，所述第二抛光使用含有碱性添加剂的第二抛光液，所述第三抛光使用不含碱性添加剂的第三抛光液，其中，所述第二抛光液中的碱性添加剂的添加比例小于所述第一抛光液中的碱性添加剂的添加比例。
8.根据权利要求1所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第一待去除层的所述一部分的厚度为所述第一待去除层的总厚度的85%至95%。
9.根据权利要求1所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第一待去除层的材料为多晶硅，所述第二待去除层的材料为单晶硅。
10.一种抛光晶圆，其特征在于，所述抛光晶圆是使用根据权利要求1至9中的任一项所述的用于晶圆的最终抛光方法获得的，所述抛光晶圆的Nano 2mm×2mm小于15nm。
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【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆的最终抛光方法，所述晶圆包括第一待去除层和第二待去除层，所述第一待去除层和所述第二待去除层彼此邻接且材料不同，其特征在于，所述最终抛光方法包括：
2.根据权利要求1所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，还包括对经过所述第二抛光的所述晶圆进行第三抛光，所述第三抛光的材料去除速率小于所述第二抛光的材料去除速率。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第二抛光以第二目标去除厚度进行，所述第三抛光以第三目标去除厚度进行，其中，所述第二目标去除厚度大于所述第三目标去除厚度。
4.根据权利要求3所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第二目标去除厚度中的单晶硅去除厚度与所述第三目标去除厚度的比值为6:1至4:1。
5.根据权利要求3或4所述的用于晶圆的最终抛光方法，其特征在于，所述第二目标去除厚度中的单晶硅去除厚度和所述第三目标去除厚度之和大于或等于待进行所述第一抛光的所述晶圆的损伤层的厚度的150%。
6.根据权利要求1所述的用于晶圆的最终抛...
【专利技术属性】
技术研发人员：张越，王明，张静，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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