【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施方式涉及绝缘设备以及绝缘设备的制造方法。
技术介绍
1、绝缘设备在切断电流的状态下，利用磁场或电场的变化来传递信号。对于该绝缘设备，要求兼顾绝缘寿命的提高和翘曲的抑制。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2022-046296号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本专利技术所要解决的课题是提供能够兼顾绝缘寿命的提高和翘曲的抑制的绝缘设备及绝缘设备的制造方法。
3、用于解决课题的手段
4、实施方式的绝缘设备具有绝缘部、第一线圈和第二线圈。所述第一线圈设置于所述绝缘部的内部。所述第二线圈设置于所述绝缘部的内部。所述第二线圈在第一方向上与所述第一线圈对置。所述绝缘部具有第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。所述第一线圈设置于所述第一绝缘层的内部。所述第二线圈设置于所述第二绝缘层的内部。所述第三绝缘层在所述第一方向上位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间。所述第一绝缘层具有第一中央绝缘区域和第一外周绝缘区域。所述第一线圈设置于所述第一中央绝缘区域的内部。所述第一外周绝缘区域沿着与所述第一方向垂直的第一面包围所述第一中央绝缘区域。所述第二绝缘层具有第二中央绝缘区域和第二外周绝缘区域。所述第二线圈设置于所述第二中央绝缘区域的内部。所述第二外周绝缘区域沿着所述第一面包围所述第二中央绝缘区域。所述第三绝缘层具有第三中央绝缘区域和第三外周绝缘区域。所述第三中央绝缘区域在所述第一
5、实施方式的绝缘设备的制造方法具有第一工序、第二工序、第三工序、第四工序、第五工序、第六工序、第七工序和第八工序。在所述第一工序中，在第一绝缘层上形成第一氧化硅膜。所述第一绝缘层具有第一中央绝缘区域和第一外周绝缘区域。第一线圈设置于所述第一中央绝缘区域的内部。所述第一外周绝缘区域包围所述第一中央绝缘区域。所述第一氧化硅膜具有第一部分和第二部分。所述第一部分与所述第一中央绝缘区域重叠。所述第二部分与所述第一外周绝缘区域重叠。在所述第二工序中，在所述第一氧化硅膜之上形成第一氮氧化硅膜。所述第一氮氧化硅膜具有第三部分和第四部分。所述第三部分与所述第一部分重叠。所述第四部分与所述第二部分重叠。在所述第三工序中，去除所述第三部分，使所述第一部分露出。在所述第四工序中，在所述第一部分之上形成第二氧化硅膜。在所述第五工序中，在第二氧化硅膜及所述第四部分之上形成第二氮氧化硅膜。所述第二氮氧化硅膜具有第五部分和第六部分。所述第五部分与所述第二氧化硅膜重叠。所述第六部分与所述第四部分重叠。在所述第六工序中，去除所述第五部分，使所述第二氧化硅膜露出。在所述第七工序中，在所述第二氧化硅膜之上形成第三氧化硅膜。在所述第八工序中，在所述第三氧化硅膜及所述第六部分之上形成第二绝缘层。所述第二绝缘层具有第二中央绝缘区域和第二外周绝缘区域。所述第二中央绝缘区域与所述第三氧化硅膜重叠。第二线圈设置于所述第二中央绝缘区域的内部。所述第二外周绝缘区域与所述第六部分重叠。所述第二外周绝缘区域包围所述第二中央绝缘区域。
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1.一种绝缘设备，其具有：
2.根据权利要求1所述的绝缘设备，其中，
3.根据权利要求1所述的绝缘设备，其中，
4.根据权利要求1所述的绝缘设备，其中，
5.一种绝缘设备的制造方法，其包含：
【技术特征摘要】
1.一种绝缘设备，其具有：
2.根据权利要求1所述的绝缘设备，其中，
3.根据权利要求1所述的绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤和幸，阿久津敏，楢崎将弘，菊地拓雄，牧野伸显，大黑达也，藤庆彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：
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