【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆加工，尤其涉及一种晶圆减薄加工系统及加工方法。
技术介绍
1、芯片加工过程中，用于制备芯片的晶圆需要经过多次的机械、物理场、化学场和热处理的作用，使晶圆内部产生大量应力，为防止晶圆在应力作用下产生裂纹和翘曲进而影响晶圆的平整度，以及避免晶圆碎裂，晶圆需要维持于一定厚度。目前常用的晶圆减薄方法主要是先通过磨削减薄晶圆厚度，再抛光去除晶圆的亚表面损伤层和应力集中层，磨削与抛光过程中加工装置的主轴通过加工头向晶圆施压，但晶圆的加工表面并不平整，导致加工头施加于晶圆的加工压力不稳定，目前的加工装置仅能通过气缸调节加工压力，气缸的压力调节精度较低，响应速度较慢，难以控制晶圆的减薄厚度，影响晶圆的加工效率。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种晶圆减薄加工系统，能够调节晶圆减薄过程中的加工压力，并控制晶圆的减薄厚度，提高加工效率。
2、本专利技术还提出一种采用上述晶圆减薄加工系统执行的晶圆减薄加工方法。
3、根据本专利技术的第一方面实施例的晶圆减薄加工系统，包括：
4、主轴，下端用于安装加工头；
5、加工平台，位于主轴的下方，并用于固定待加工的晶圆；
6、基架，所述主轴沿竖向滑动连接于所述基架，并能够相对所述基架升降；
7、电磁力模组，沿竖向相对设置有两个，其中一个所述电磁力模组连接于所述主轴，另一个所述电磁力模组连接于所述基架，两个所述电磁力模组
8、压力调节单元，包括控制模块、压力检测模块与电源，所述电源与所述电磁力模组电连接，并向所述电磁力模组供电，所述压力检测模块用于检测加工头与晶圆之间的加工压力，所述控制模块用于根据所述加工压力改变所述电源向所述电磁力模组的供电量，以调节两个所述电磁力模组之间的电磁力。
9、根据本专利技术实施例的晶圆减薄加工系统，至少具有如下有益效果：
10、本专利技术中，控制模块能够根据加工压力改变电源向电磁力模组的供电量，以调节两个电磁力模组之间的电磁力，进而改变加工头与晶圆之间的加工压力，实现了根据晶圆当前的加工情况对加工压力的实时调整，使加工头与晶圆之间的加工压力保持稳定，并且电磁力的调节通过改变电源向电磁力模组的供电量实现，响应速度快，调节精度高，能够精确控制晶圆的减薄厚度，提高晶圆的加工效率。
11、根据本专利技术的一些实施例，所述晶圆减薄加工系统还包括能够沿竖向弹性伸缩的弹性件，所述弹性件用于向所述主轴提供相向上的弹性力，所述弹性件连接于所述主轴的上端与所述基架的上端之间，和/或所述弹性件连接于所述主轴的下端与所述基架的上端之间。
12、根据本专利技术的一些实施例，所述电磁力模组包括线圈与磁体，所述线圈通电后能够产生磁场，至少部分所述磁体作用于所述线圈的磁场方向与线圈自身的磁场方向相同，所述电源用于向所述线圈供电。
13、根据本专利技术的一些实施例，两个所述电磁力模组中，高度较大的所述电磁力模组连接于所述基架，高度较小的所述电磁力模组连接于所述主轴，且两个所述电磁力模组之间具有相吸的电磁力；
14、或者，两个所述电磁力模组中，高度较小的所述电磁力模组连接于所述基架，高度较大的所述电磁力模组连接于所述主轴，且两个所述电磁力模组之间具有相斥的电磁力。
15、根据本专利技术的一些实施例，所述电磁力模组还包括铁芯，所述线圈套设于所述铁芯的外部。
16、根据本专利技术的一些实施例，所述电磁力模组包括一个所述线圈与多个所述磁体，多个所述磁体围设于所述线圈的外周，每一所述磁体沿所述竖向同一端的磁极相同。
17、根据本专利技术的一些实施例，同一所述电磁力模组内，位于所述电磁力模组的中心的所述线圈为第一线圈，其余所述线圈为第二线圈，所述第二线圈绕所述第一线圈的周向排布有至少一圈，所述磁体绕所述第一线圈的周向排布有至少一圈，所述线圈与所述磁体沿所述第一线圈的径向交替排布，所有所述线圈产生的磁场方向均相同，所有所述磁体沿所述竖向的同一端的磁极均相同；
18、或者，所述电磁力模组包括多个磁力单元，所述磁力单元沿第一方向和/或第二方向排布，每一所述磁力单元包括至少一个磁体与围设于所述磁体外周的多个所述线圈，每一所述磁力单元内，所述磁体作用于所述线圈的磁场方向与所述线圈自身的磁场方向相同，沿所述第一方向和/或所述第二方向相邻的所述磁力单元中的所述磁体沿所述第一方向的同一端的磁极相反，所述第一方向、所述第二方向、所述竖向两两垂直。
19、根据本专利技术的第二方面实施例的晶圆减薄加工方法，采用第一方面实施例中的晶圆减薄加工系统执行，包括：
20、晶圆置于所述加工平台的顶部，控制所述基架携载所述主轴下降至预设高度后，加工头工作，并对晶圆进行减薄；
21、所述压力检测模块检测加工头与晶圆之间的加工压力，所述控制模块根据所述加工压力向所述电源发送控制指令，所述电源根据所述控制指令改变向所述电磁力模组的供电量，以调节两个电磁力模组之间的电磁力。
22、根据本专利技术的一些实施例，所述电源根据所述控制指令改变所述电磁力模组的供电量步骤包括：
23、改变所述电源通入所述电磁力模组的电流大小；
24、和/或，所述电磁力模组包括线圈与磁体，所述线圈通电后能够产生磁场，至少部分所述磁体作用于所述线圈的磁场方向与线圈自身的磁场方向相同，所述电源用于向所述线圈供电，恢复或切断部分所述线圈与所述电源之间的电连接。
25、根据本专利技术的一些实施例，还包括：
26、所述主轴与所述基架之间设置有弹性件，并通过所述弹性件向所述主轴提供向上的弹性力；控制所述基架携载所述主轴下降至预设高度后，使加工头与晶圆之间的压力为第一压力f1，所述弹性件具有第一压缩量l1；然后，控制所述基架回退预设距离，使加工头与晶圆之间的压力为第二压力f2，所述弹性件具有第二压缩量l2，l1＞l2，f1＞f2；然后控制加工头以第二压力f2开始工作。
27、本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.晶圆减薄加工系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，所述晶圆减薄加工系统还包括能够沿竖向弹性伸缩的弹性件，所述弹性件用于向所述主轴提供相向上的弹性力，所述弹性件连接于所述主轴的上端与所述基架的上端之间，和/或所述弹性件连接于所述主轴的下端与所述基架的上端之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，所述电磁力模组包括线圈与磁体，所述线圈通电后能够产生磁场，至少部分所述磁体作用于所述线圈的磁场方向与线圈自身的磁场方向相同，所述电源用于向所述线圈供电。
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，两个所述电磁力模组中，高度较大的所述电磁力模组连接于所述基架，高度较小的所述电磁力模组连接于所述主轴，且两个所述电磁力模组之间具有相吸的电磁力；
5.根据权利要求3所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，所述电磁力模组还包括铁芯，所述线圈套设于所述铁芯的外部。
6.根据权利要求3所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，所述电磁力模组包括一个所述线圈与多个所述磁体，多个所述
7.根据权利要求3所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，同一所述电磁力模组内，位于所述电磁力模组的中心的所述线圈为第一线圈，其余所述线圈为第二线圈，所述第二线圈绕所述第一线圈的周向排布有至少一圈，所述磁体绕所述第一线圈的周向排布有至少一圈，所述线圈与所述磁体沿所述第一线圈的径向交替排布，所有所述线圈产生的磁场方向均相同，所有所述磁体沿所述竖向的同一端的磁极均相同；
8.晶圆减薄加工方法，其特征在于，采用权利要求1至7中任一项所述的晶圆减薄加工系统执行，包括：
9.根据权利要求8所述的晶圆减薄加工方法，其特征在于，所述电源根据所述控制指令改变所述电磁力模组的供电量步骤包括：
10.根据权利要求8所述的晶圆减薄加工方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.晶圆减薄加工系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，所述晶圆减薄加工系统还包括能够沿竖向弹性伸缩的弹性件，所述弹性件用于向所述主轴提供相向上的弹性力，所述弹性件连接于所述主轴的上端与所述基架的上端之间，和/或所述弹性件连接于所述主轴的下端与所述基架的上端之间。
3.根据权利要求1所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，所述电磁力模组包括线圈与磁体，所述线圈通电后能够产生磁场，至少部分所述磁体作用于所述线圈的磁场方向与线圈自身的磁场方向相同，所述电源用于向所述线圈供电。
4.根据权利要求3所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，两个所述电磁力模组中，高度较大的所述电磁力模组连接于所述基架，高度较小的所述电磁力模组连接于所述主轴，且两个所述电磁力模组之间具有相吸的电磁力；
5.根据权利要求3所述的晶圆减薄加工系统，其特征在于，所述电磁力模组还包括铁芯，所述线圈套设于所述铁芯的外部。
【专利技术属性】
技术研发人员：李庚卓，汪强，罗圣权，吴勇波，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。