【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及led照明，具体涉及一种类太阳光灯珠封装结构及其封装方法。
技术介绍
1、随着生活品质的不断提高，室内室外照明的光品质也越来越受到重视。目前，业内光品质的获取方法大多是采用单峰蓝光led激发荧光粉获得白光。该方法具有成本低和工艺成熟的优点，但是其带来的问题是光谱不连续、显色性差以及蓝光危害大，无法满足健康照明的需求。
2、综上所述，需要提供一种类太阳光灯珠封装结构及其封装方法，用于解决现有技术中存在的光谱不连续、显色性差以及蓝光危害大的问题。
技术实现思路
1、本专利技术目的在于提供一种类太阳光灯珠封装结构及其封装方法，具体技术方案如下：
2、在第一方面，本专利技术提供了一种类太阳光灯珠封装结构的封装方法，包括：
3、步骤s1、在灯珠支架内旋涂第一胶水形成第一胶水层；将单晶多波长led芯片固晶在所述第一胶水层上；所述单晶多波长led芯片的峰波数量至少为两个；
4、步骤s2、采用引线将所述单晶多波长led芯片与外界电源连接；
5、步骤s3、将荧光粉和第二胶水按照所需质量比混匀后形成配粉体系，并旋涂到所述灯珠支架内，得到预制品；
6、步骤s4、将所述预制品经烘烤、测试合格且编带后得到类太阳光灯珠封装结构。
7、可选的，所述单晶多波长led芯片的峰波数量至多为五个。
8、可选的，所述单晶多波长led芯片的数量至多为三十个。
9、可选的，当所述单晶多波长led芯片的数量
10、可选的，所述第一胶水层的数量与所述单晶多波长led芯片的数量相同，且二者一一对应设置；各所述单晶多波长led芯片通过对应所述第一胶水层固定在所述灯珠支架的内壁上；
11、采用所述引线将所有的所述单晶多波长led芯片串联或并联或一部分串联和另一部分并联在外界电源上；当采用并联时，对并联的不同所述单晶多波长led芯片分别采用同一色温的配粉体系或不同色温的配粉体系。
12、可选的，所述灯珠支架包括smd支架、陶瓷支架或pcb支架。
13、可选的，所述配粉体系的色温范围为2000-6500k。
14、如配粉体系的色温在3000k左右时，其采用的质量比配方如下：
15、
16、如配粉体系的色温在5700k左右时，其采用的质量比配方如下：
17、
18、可选的，所述单晶多波长led芯片的峰波波长包括437nm、447nm和464nm。
19、可选的，所述单晶多波长led芯片的峰波波长包括439、449nm和467nm。
20、在第二方面，本专利技术提供了一种类太阳光灯珠封装结构，其采用所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法制备得到。
21、应用本专利技术的技术方案，至少具有以下有益效果：
22、本专利技术提供的一种类太阳光灯珠封装结构及其封装方法，能够解决现有技术中存在的光谱不连续、显色性差以及蓝光危害大的问题，满足健康照明的需求。具体的，本专利技术采用峰波数量至少为两个的单晶多波长led芯片，能够发出不同的峰波，能够适当拉宽峰波宽度，进而使得制备的类太阳光灯珠封装结构实现光谱连续，与太阳光光谱在420-710nm拟合度大于0.98；显色指数ra大于95，特殊显色指数(即r1到r15)大于90，表现出优良的显色性；其中，在波段为400-480nm范围内的光谱相对强度低于0.6，能够保证蓝光危害低。另外，本专利技术提供的一种类太阳光灯珠封装结构的封装方法，能够批量化生产类太阳光灯珠封装结构，具有很强的实用性。
23、除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本专利技术还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本专利技术作进一步详细的说明。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述单晶多波长LED芯片(1)的峰波数量至多为五个。
3.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述单晶多波长LED芯片(1)的数量至多为三十个。
4.根据权利要求3所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，当所述单晶多波长LED芯片(1)的数量为多个时，每相邻两所述单晶多波长LED芯片(1)之间的各峰波波长的差值均大于等于2nm；每相邻两所述单晶多波长LED芯片(1)之间设置间隙。
5.根据权利要求4所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述第一胶水层(3)的数量与所述单晶多波长LED芯片(1)的数量相同，且二者一一对应设置；各所述单晶多波长LED芯片(1)通过对应所述第一胶水层(3)固定在所述灯珠支架(2)的内壁上；
6.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述灯珠支架(2)包括SMD支架、陶瓷支架或PCB支架。>
7.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述配粉体系的色温范围为2000-6500K。
8.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述单晶多波长LED芯片(1)的峰波波长包括437nm、447nm和464nm。
9.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述单晶多波长LED芯片(1)的峰波波长包括439、449nm和467nm。
10.一种类太阳光灯珠封装结构，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述单晶多波长led芯片(1)的峰波数量至多为五个。
3.根据权利要求1所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述单晶多波长led芯片(1)的数量至多为三十个。
4.根据权利要求3所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，当所述单晶多波长led芯片(1)的数量为多个时，每相邻两所述单晶多波长led芯片(1)之间的各峰波波长的差值均大于等于2nm；每相邻两所述单晶多波长led芯片(1)之间设置间隙。
5.根据权利要求4所述的类太阳光灯珠封装结构的封装方法，其特征在于，所述第一胶水层(3)的数量与所述单晶多波长led芯片(1)的数量相同，且二者一一对应设置；各所述单晶多波长led芯片(...
【专利技术属性】
技术研发人员：周智斌，季辉，李超，黄仁义，周佐华，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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