【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种减少切割后晶片晶向偏差的方法。
技术介绍
1、随着大尺寸半导体硅片的国产化逐步推广，国内的硅片衬底技术要求越来越高，逐渐与国际接轨，硅片晶向作为硅片控制中非常重要的一项技术参数，其良率和能力提升愈发显得重要。
2、晶向主要由粘棒和线切割控制，目前主流的技术主要是控制粘棒机的粘接晶向，并对线切割机的切割水平进行一定的调整，达到控制硅片晶向的目的，但是只能加工晶片规格≥±0.15°以上的产品，对于加工晶片规格≤±0.1°的产品，不良率居高不下。
3、因此，如何提供一种减少切割后晶片晶向偏差的方法，以提升高规格晶片的加工良率，降低成本，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种减少切割后晶片晶向偏差的方法，用于解决现有技术中切割高规格晶片的晶向不良率偏高的问题。
2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种减小切割后晶片晶向偏差的方法，包括以下步骤：
3、s1：将线切割机划分为多组，至少一组线切割机的水平零位目标范围大于零度，至少一组线切割机的水平零位目标范围小于零度，至少一组线切割机的水平零位目标范围包含零度；
4、s2：搜集数据，晶棒粘接于粘棒机后晶棒切角相对于初始定位的旋转角度为φ，搜集的数据包括在-90°≤φ≤90°范围内不同旋转角度区间对应的切割数据，其中，切割数据包括每组线切割机的x轴切割偏差和y轴切割偏差；
5、s3：以φ为横坐标，分别以每组线切割机的x轴切割偏差和y轴切割偏差为纵坐标，建立每组线切割机的x轴切割偏差图和y轴切割偏差表图；
6、s4：提供待切割晶棒，获取待切割晶棒粘接于粘棒机后晶棒切角相对于初始定位的旋转角度φ'、x轴复检偏差和y轴复检偏差，判断待切割晶棒的x轴复检偏差和y轴复检偏差是否在预设范围，若在预设范围，执行下一步，若不在预设范围，则将待切割晶棒从粘棒机脱离，重新粘棒；
7、s5：根据x轴切割偏差图和y轴切割偏差图，以匹配在φ'时x轴切割偏差与待切割晶棒的x轴复检偏差之和位于x轴目标晶向合格范围、y轴切割偏差与待切割晶圆的y轴复检偏差之和位于y轴目标晶向合格范围的线切割机作为目标线切割机。
8、可选地，步骤s1中，水平零位为线切割机在-5°≤φ≤5°时的x轴切割偏差，线切割机划分为五组，第一组线切割机的水平零位目标范围为0.04°～0.05°，第二组线切割机的水平零位目标范围为0.02°～0.04°，第三组线切割机的水平零位目标范围为-0.02°～0.02°，第四组线切割机的水平零位目标范围为-0.04°～-0.02°，第五组线切割机的水平零位目标范围为-0.05°～-0.04°。
9、可选地，步骤s2中，不同旋转角度区间包括-90°～-80°、-80°～-70°、······、70°～80°、80°～90°。
10、可选地，步骤s2中，x轴切割偏差为x轴切割后晶向与x轴复检晶向之间的差值，其中，x轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片x轴实际晶向，x轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的x轴实际晶向；y轴切割偏差为y轴切割后晶向与y轴复检晶向之间的差值，其中，y轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片y轴实际晶向，y轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的y轴实际晶向。
11、可选地，步骤s4中，x轴复检偏差为x轴复检晶向与x轴目标晶向之间的差值，其中，x轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的x轴实际晶向，x轴目标晶向为切割后晶片的x轴晶向目标值；y轴复检偏差为y轴复检晶向与y轴目标晶向之间的差值，其中，y轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的y轴的实际晶向，y轴目标晶向为切割后晶片的y轴晶向目标值。
12、可选地，步骤s4中，x轴切割后晶向与x轴目标晶向之间的差值范围在-0.1°～0.1°、y轴切割后晶向与y轴目标晶向之间的差值范围在-0.1°～.01°为晶片晶向合格标准，所述预设范围为-0.065°～0.065°，其中，x轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片x轴实际晶向，x轴目标晶向为切割后晶片的x轴晶向目标值，y轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片y轴实际晶向，y轴目标晶向为切割后晶片的y轴晶向目标值。
13、可选地，步骤s5中，在φ'时，目标线切割机的x轴切割偏差和待切割晶棒的x轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值；和/或目标线切割机的y轴切割偏差和待切割晶棒的y轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值。
14、可选地，步骤s4中，x轴切割后晶向与x轴目标晶向之间的差值范围在-0.05°～0.05°、y轴切割后晶向与y轴目标晶向之间的差值范围在-0.05°～0.05°为晶片晶向合格标准，所述预设范围为-0.045°～0.045°，其中，x轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片x轴实际晶向，x轴目标晶向为切割后晶片的x轴晶向目标值，y轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片y轴实际晶向，y轴目标晶向为切割后晶片的y轴晶向目标值。
15、可选地，步骤s5中，在φ'时，目标线切割机的x轴切割偏差和待切割晶棒的x轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值，且目标线切割机的y轴切割偏差和待切割晶棒的y轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值。
16、可选地，步骤s5中，若匹配不到在φ'时x轴切割偏差与待切割晶棒的x轴复检偏差之和位于x轴目标晶向合格范围、y轴切割偏差与待切割晶圆的y轴复检偏差之和位于y轴目标晶向合格范围的线切割机，则将待切割晶棒从粘棒机脱离，重新粘棒。
17、如上所述，本专利技术的减小切割后晶片晶向偏差的方法中，将线切割机划分为多组，获取不同水平零位目标范围的线切割机的切割偏差规律，根据切割偏差规律匹配对应的线切割机对待切割晶棒切割，减小切割后晶片晶向偏差；对于晶片规格≤±0.1°的产品，不良率从3.5％降低至0.5％以下，对于晶片规格≤±0.05°的超高规格产品，良率达到98.5％以上。
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1.一种减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S1中，水平零位为线切割机在-5°≤Φ≤5°时的X轴切割偏差，线切割机划分为五组，第一组线切割机的水平零位目标范围为0.04°～0.05°，第二组线切割机的水平零位目标范围为0.02°～0.04°，第三组线切割机的水平零位目标范围为-0.02°～0.02°，第四组线切割机的水平零位目标范围为-0.04°～-0.02°，第五组线切割机的水平零位目标范围为-0.05°～-0.04°。
3.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S2中，不同旋转角度区间包括-90°～-80°、-80°～-70°、······、70°～80°、80°～90°。
4.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S2中，X轴切割偏差为X轴切割后晶向与X轴复检晶向之间的差值，其中，X轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片X轴实际晶向，X轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的X轴实际晶向；Y轴切割
5.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S4中，X轴复检偏差为X轴复检晶向与X轴目标晶向之间的差值，其中，X轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的X轴实际晶向，X轴目标晶向为切割后晶片的X轴晶向目标值；Y轴复检偏差为Y轴复检晶向与Y轴目标晶向之间的差值，其中，Y轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的Y轴实际晶向，Y轴目标晶向为切割后晶片的Y轴晶向目标值。
6.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S4中，X轴切割后晶向与X轴目标晶向之间的差值范围在-0.1°～0.1°、Y轴切割后晶向与Y轴目标晶向之间的差值范围在-0.1°～.01°为晶片晶向合格标准，所述预设范围为-0.065°～0.065°，其中，X轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片X轴实际晶向，X轴目标晶向为切割后晶片的X轴晶向目标值，Y轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片Y轴实际晶向，Y轴目标晶向为切割后晶片的Y轴晶向目标值。
7.根据权利要求6所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S5中，在Φ'时，目标线切割机的X轴切割偏差和待切割晶棒的X轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值；和/或目标线切割机的Y轴切割偏差和待切割晶棒的Y轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值。
8.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S4中，X轴切割后晶向与X轴目标晶向之间的差值范围在-0.05°～0.05°、Y轴切割后晶向与Y轴目标晶向之间的差值范围在-0.05°～0.05°为晶片晶向合格标准，所述预设范围为-0.045°～0.045°，其中，X轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片X轴实际晶向，X轴目标晶向为切割后晶片的X轴晶向目标值，Y轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片Y轴实际晶向，Y轴目标晶向为切割后晶片的Y轴晶向目标值。
9.根据权利要求8所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S5中，在Φ'时，目标线切割机的X轴切割偏差和待切割晶棒的X轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值，且目标线切割机的Y轴切割偏差和待切割晶棒的Y轴复检偏差中一个为正值，另一个为负值。
10.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤S5中，若匹配不到在Φ'时X轴切割偏差与待切割晶棒的X轴复检偏差之和位于X轴目标晶向合格范围、Y轴切割偏差与待切割晶圆的Y轴复检偏差之和位于Y轴目标晶向合格范围的线切割机，则将待切割晶棒从粘棒机脱离，重新粘棒。
...【技术特征摘要】
1.一种减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤s1中，水平零位为线切割机在-5°≤φ≤5°时的x轴切割偏差，线切割机划分为五组，第一组线切割机的水平零位目标范围为0.04°～0.05°，第二组线切割机的水平零位目标范围为0.02°～0.04°，第三组线切割机的水平零位目标范围为-0.02°～0.02°，第四组线切割机的水平零位目标范围为-0.04°～-0.02°，第五组线切割机的水平零位目标范围为-0.05°～-0.04°。
3.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤s2中，不同旋转角度区间包括-90°～-80°、-80°～-70°、······、70°～80°、80°～90°。
4.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤s2中，x轴切割偏差为x轴切割后晶向与x轴复检晶向之间的差值，其中，x轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片x轴实际晶向，x轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的x轴实际晶向；y轴切割偏差为y轴切割后晶向与y轴复检晶向之间的差值，其中，y轴切割后晶向为切割完成后检测的晶片y轴实际晶向，y轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的y轴实际晶向。
5.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤s4中，x轴复检偏差为x轴复检晶向与x轴目标晶向之间的差值，其中，x轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的x轴实际晶向，x轴目标晶向为切割后晶片的x轴晶向目标值；y轴复检偏差为y轴复检晶向与y轴目标晶向之间的差值，其中，y轴复检晶向为晶棒粘接于粘棒机后复检得到的y轴实际晶向，y轴目标晶向为切割后晶片的y轴晶向目标值。
6.根据权利要求1所述的减小切割后晶片晶向偏差的方法，其特征在于：步骤s4中，x轴切割后晶向与x轴目标...
【专利技术属性】
技术研发人员：周骁航，马翔，严添悦，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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