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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及图像传感器,具体涉及一种单斜adc装置及图像传感器、模数转换方法。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)图像传感器,是一种典型的固体成像传感器,具有集成度高、功耗低及成本低等优点,广泛应用于图像采集领域。
2、在cmos图像传感器中,由于工艺和温度等因素,各列像素中的晶体管之间存在着一定程度的失配,在相同的光照条件下,这些晶体管的失配会导致像素的输出值出现偏差,这个偏差值形成了像素内的固定模式噪声(fixed pattern noise,fpn)。固定模式噪声是导致图像质量下降的主要因素之一。
3、相关双采样(correlated double sampling,cds)技术可以消除像素内的固定模式噪声,即将像素复位电压vrst和曝光信号电压vsig做差以减小fpn。在cmos图像传感器中,像素复位电压减去曝光信号电压而获得的模拟值,作为像素的输出,传送至模数转换(adc)装置,由adc装置对像素的输出进行模数转换后,得到cds的数字结果。
4、目前,cmos图像传感器中,经常使用单斜adc装置对像素输出进行模数转换。单斜adc装置的结构简单,每个单斜adc装置只需要一个比较器及一个计数器,占用面积小,并且,各列像素共用一个斜坡信号,列间一致性更好。
5、然而,现有单斜adc装置的功耗较高,导致cmos图像传感器的整体功耗较高。
技术实现思路<
...【技术保护点】
1.一种单斜ADC装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的单斜ADC装置,其特征在于,所述信号处理器,适于对所述比较结果信号进行延时处理,得到所述计数停止信号。
3.如权利要求1所述的单斜ADC装置,其特征在于,所述计数时间内,所述计数停止信号翻转时刻较所述比较结果信号翻转时刻的延迟范围为[100ps,100ns]。
4.如权利要求1所述的单斜ADC装置,其特征在于,所述计数时间内,所述计数停止信号及所述比较结果信号均由高电平状态翻转至低电平状态。
5.如权利要求1所述的单斜ADC装置,其特征在于,所述计数时间内,所述计数停止信号及所述比较结果信号均由低电平状态翻转至高电平状态。
6.如权利要求1所述的单斜ADC装置,其特征在于,所述计数器包括:
7.如权利要求6所述的单斜ADC装置,其特征在于,所述低位计数时钟信号包括:三个第一频率的高速时钟信号,以及一个第二频率的低速时钟信号,所述第一频率为所述第二频率的两倍。
8.如权利要求1所述的单斜ADC装置,其特征在于,还包括:
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10.一种模数转换方法,其特征在于,包括:
...【技术特征摘要】
1.一种单斜adc装置,其特征在于,包括:
2.如权利要求1所述的单斜adc装置,其特征在于,所述信号处理器,适于对所述比较结果信号进行延时处理,得到所述计数停止信号。
3.如权利要求1所述的单斜adc装置,其特征在于,所述计数时间内,所述计数停止信号翻转时刻较所述比较结果信号翻转时刻的延迟范围为[100ps,100ns]。
4.如权利要求1所述的单斜adc装置,其特征在于,所述计数时间内,所述计数停止信号及所述比较结果信号均由高电平状态翻转至低电平状态。
5.如权利要求1所述的单斜adc装置,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜佳恒,张琦,
申请(专利权)人:锐芯微电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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