【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件加工领域，尤其是吸盘系统及半导体器件加工设备。
技术介绍
1、在晶圆减薄、切割、清洗等加工时时，需要通过吸盘来进行晶圆的吸附和搬运，授权公告号为cn217457851u、cn212826175u、cn218385148u等专利揭示了通过吸盘来进行晶圆搬运的具体结构。
2、吸盘通常通过真空泵或真空发生器来产生负压以实现吸附。
3、在晶圆加工时，常会存在多个吸盘同时工作，无论是单独使用真空泵，或是单独使用真空发生器来产生负压，都存在真空不稳的情况，这就给搬运中的晶圆的安全带来了一定的安全隐患。
技术实现思路
1、本技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种吸盘系统及半导体器件加工设备。
2、本技术的目的通过以下技术方案来实现：
3、吸盘系统，包括吸盘，所述吸盘连接负压产生管路，所述负压产生管路包括真空表及并联的第一负压生成管路和第二负压生成管路，所述第一负压生成管路由真空泵产生负压，所述第二负压生成管路由真空发生器产生负压。
4、优选的，所述吸盘系统中，所述第一负压生成管路包括与所述真空泵连接的真空控制阀，所述真空控制阀连接所述吸盘。
5、优选的，所述吸盘系统中，所述第二负压生成管路包括与所述真空发生器连接的真空通气阀，所述真空通气阀连接气源，所述真空发生器连接所述吸盘。
6、优选的，所述吸盘系统中，所述真空控制阀连接第一管道，所述真空发生器连接第二管道，所述第一管道和
7、优选的，所述吸盘系统中，所述气源还连接真空释放阀，所述真空释放阀通过第四管道连接所述第一管道或第二管道或第三管道。
8、优选的，所述吸盘系统中，所述吸盘包括由中心向边缘依次分布且相互独立的吸附区，每个吸附区连接第三管道的一个控制支路。
9、优选的，所述吸盘系统中，所述第一负压生成管路包括与真空泵连接的主负压管道，所述主负压管道连接多个第一负压支路；所述气源连接主供气管路，所述主供气管路连接多个第二负压支路；每个第一负压支路与一个第二负压支路连接同一吸盘及真空表。
10、优选的，所述吸盘系统中，每个所述第一负压支路与主负压管道的连接点和真空控制阀之间设置有真空逻辑阀单向阀。
11、半导体器件加工设备，包括如上任一所述的吸盘系统。
12、本技术技术方案的优点主要体现在：
13、本技术使吸盘连接并联的第一负压生成管路和第二负压生成管路，第一负压生成管路采用真空泵来产生负压，第二负压生成管路采用真空发生器来产生负压，常态下由真空泵产生负压，同时通过真空表来检测负压生成管路的真空状况，在真空不稳时，通过发生器来进行补偿，能够有效地提高真空的稳定性，提高晶圆搬运的安全性，增加了控制的冗余度。
14、本技术在有气源的情况下，使气源通过破真空管路来连接吸盘，从而在放料时，能够通过已有的气源来破开吸盘的真空，从而保证放料的稳定实现，丰富了功能，有利于改善上下料的安全性。
15、本技术采用多个并联的第一负压支路从而可以共用一套真空泵和气源，有利于在保证每路真空稳定的情况下，节约设备成本。
16、本技术在每个第一负压支路上设置真空逻辑阀单向阀，能够在某路第一负压支路漏真空时，尽可能避免对真空泵和其他第一负压支路的影响。
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1.吸盘系统，包括吸盘（100），其特征在于：所述吸盘（100）连接负压产生管路，所述负压产生管路包括真空表（200）及并联的第一负压生成管路（300）和第二负压生成管路（400），所述第一负压生成管路（300）由真空泵（310）产生负压，所述第二负压生成管路（400）由真空发生器（410）产生负压。
2.根据权利要求1所述的吸盘系统，其特征在于：所述第一负压生成管路（300）包括与所述真空泵（310）连接的真空控制阀（320），所述真空控制阀（320）连接所述吸盘（100）。
3.根据权利要求2所述的吸盘系统，其特征在于：所述第二负压生成管路（400）包括与所述真空发生器（410）连接的真空通气阀（420），所述真空通气阀（420）连接气源（430），所述真空发生器（410）连接所述吸盘（100）。
4.根据权利要求3所述的吸盘系统，其特征在于：所述真空控制阀连接第一管道（330），所述真空发生器连接第二管道（440），所述第一管道（330）和第二管道（440）均连接第三管道（500），所述第三管道（500）连接所述吸盘（100）。
<...【技术特征摘要】
1.吸盘系统，包括吸盘（100），其特征在于：所述吸盘（100）连接负压产生管路，所述负压产生管路包括真空表（200）及并联的第一负压生成管路（300）和第二负压生成管路（400），所述第一负压生成管路（300）由真空泵（310）产生负压，所述第二负压生成管路（400）由真空发生器（410）产生负压。
2.根据权利要求1所述的吸盘系统，其特征在于：所述第一负压生成管路（300）包括与所述真空泵（310）连接的真空控制阀（320），所述真空控制阀（320）连接所述吸盘（100）。
3.根据权利要求2所述的吸盘系统，其特征在于：所述第二负压生成管路（400）包括与所述真空发生器（410）连接的真空通气阀（420），所述真空通气阀（420）连接气源（430），所述真空发生器（410）连接所述吸盘（100）。
4.根据权利要求3所述的吸盘系统，其特征在于：所述真空控制阀连接第一管道（330），所述真空发生器连接第二管道（440），所述第一管道（330）和第二管道（440）均连接第三管道（500），所述第三管道（500）连接所述吸盘（100）...
【专利技术属性】
技术研发人员：周鑫，胡小波，孙志超，袁伟刚，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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