等离子处理方法技术

技术编号：44624135 阅读：15 留言：0更新日期：2025-03-17 18:22

本发明专利技术提供等离子处理方法。具有使用等离子对含钌膜进行蚀刻的第一蚀刻工序(S01)和在第一蚀刻工序后使用等离子对含钌膜进行蚀刻的第二蚀刻工序(S02)，第二蚀刻工序具有：第一步骤(S11)，使用由含卤素元素气体生成的等离子在含钌膜的表面形成改性层；以及第二步骤(S12)，使用由含氧元素气体生成的等离子使改性层脱离，交替地重复第一步骤和第二步骤。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及针对半导体基板的等离子处理方法。

技术介绍

1、随着半导体器件的微细加工的进展，要求微细线宽且高纵横比的加工。在布线工序中，作为与微细化对应的布线材料而广泛利用的是cu(铜)，但随着微细化的进行，cu的电阻率成为问题，作为cu的替代材料，列举ru(钌)作为候选材料。

2、在专利文献1中，公开了对ru等金属和/或它们的金属氧化膜一点点地进行蚀刻的高精细的金属膜的蚀刻方法。专利文献1的蚀刻方法具有：第一工序，不施加高频偏压等电场地使金属膜暴露于卤素原子的离子或自由基，并使之吸附；以及第二工序，通过施加弱的高频偏压等电场并暴露于氧的离子或自由基，来对吸附有卤素原子的金属膜进行蚀刻。通过在第一工序中，在金属膜表面形成金属与氯的等离子反应而成的二次生成物，由此，在第二工序中，即使在氧等离子的能量小的状态下，也能够进行蚀刻。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007-305892号公报

技术实现思路

1、-专利技术所要解决的课题-

2、半导体器件的构造越微细，则无法忽视由等离子处理形成的构造的表面状态对半导体器件的性能造成的影响。根据专利技术人的研究，通过专利文献1所公开的方法形成的ru膜的表面认为成为粗糙度大并且残留有暴露于氧等离子导致的损伤的状态，使半导体器件的性能降低。另一方面，需要避免等离子蚀刻工艺的生产率大幅降低。

3、本专利技术的目的在于提供一种在抑制等离子蚀刻工艺的生产率

4、-用于解决课题的手段-

5、本专利技术的一个实施方式的等离子处理方法是对具有含钌膜的被处理基板的所述含钌膜进行等离子蚀刻的离子体处理方法，具有如下工序：第一蚀刻工序，使用等离子对含钌膜进行蚀刻；以及第二蚀刻工序，在第一蚀刻工序后，使用等离子对含钌膜进行蚀刻，第二蚀刻工序具有：第一步骤，使用由含卤素元素气体生成的等离子在含钌膜的表面形成改性层；以及第二步骤，使用由含氧元素气体生成的等离子使改性层脱离，第二蚀刻工序交替地重复第一步骤和第二步骤。

6、-专利技术效果-

7、本专利技术提供一种含ru膜图案的表面状态良好的等离子处理方法。其他的课题和新的特征从本说明书的记述以及附图中变得明确。

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【技术保护点】

1.一种等离子处理方法，对具有含钌膜的被处理基板的所述含钌膜进行等离子蚀刻，

2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

5.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

6.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

7.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

8.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

【技术特征摘要】

1.一种等离子处理方法，对具有含钌膜的被处理基板的所述含钌膜进行等离子蚀刻，

2.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

3.根据权利要求1所述的等离子处理方法，其中，

4.根据权利要求1所述的等离子处理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：石井洋平，凯瑟琳·迈尔，卢卡斯·科瓦奇，三浦真，
申请(专利权)人：株式会社日立高新技术，
类型：发明
国别省市：

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