【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于一种半导体元件工艺，且特别是有关于一种存储器元件的制造方法及钨层的制造方法。
技术介绍
1、随着科技日新月异，电子元件的进步增加了对更大储存能力的需要。为了满足高储存密度(high storage density)的需求，存储器元件尺寸变得更小而且积集度更高。因此，存储器元件的型态已从平面型栅极(planar gate)结构的二维存储器元件(2d memorydevice)发展到具有垂直通道(vertical channel，vc)结构的三维存储器元件(3d memorydevice)。
2、对于三维与非门式(3d nand)存储器元件来说，采用低氟钨(lfw)作为控制栅极(字元线)的材料，可提高驱动元件的效能。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种存储器元件的制造方法，可制造出晶粒尺寸较大、具有低电阻率和低氟浓度的低氟钨(lfw)作为字元线(控制栅极)材料，可以降低控制栅极驱动电压，降低氟损坏高介电常数材料和浮置栅极的风险，还可以缩小阈值电压(vth)分布并提高可靠性。
2、本专利技术提供一种钨层的制造方法，可制造出晶粒尺寸较大、具有低电阻率和低氟浓度的低氟钨(lfw)。
3、本专利技术提供一种存储器元件的制造方法，包括下列步骤。提供基底。在基底上形成叠层结构，其中叠层结构包括彼此交互叠层的多个第一材料层与多个第二材料层。图案化叠层结构，在叠层结构中形成第一开口。在第一开口的侧壁上形成电荷储存结构。在电荷储存结构上形成通道层。移
4、在本专利技术的一实施例中，在成核步骤之后，还包括进行至少一次的浸泡步骤，浸泡氮气(氢、氘或氨)。
5、在本专利技术的一实施例中，还包括进行多次的主体形成步骤。
6、在本专利技术的一实施例中，包括进行3次的主体形成步骤。
7、在本专利技术的一实施例中，在成核步骤之后，包括进行2次的所述浸泡步骤。
8、在本专利技术的一实施例中，其中在多个第二开口中形成所述钨层之前，还包括形成势垒层。
9、在本专利技术的一实施例中，在成核步骤中，氢的流量为4000sccm以上。
10、在本专利技术的一实施例中，在主体形成步骤中，氢的流量为5000sccm以上。
11、在本专利技术的一实施例中，在浸泡步骤中，氮气的流量为100～6000sccm。
12、本专利技术提一种钨层的制造方法，包括进行成核步骤以及进行主体形成步骤。成核步骤中的成核前驱体包括卤化钨、氢、和还原剂。主体形成步骤中的本体前驱体包含卤化钨、氢、和还原剂。在成核步骤与主体形成步骤中的至少一个步骤中，氢的流量为1000至20000sccm，以及所形成的钨层中的钨的晶粒尺寸为70nm以上。
13、在本专利技术的一实施例中，在成核步骤之后，还包括进行至少一次的浸泡步骤，浸泡氮气(氢、氘或氨)。
14、在本专利技术的一实施例中，还包括进行多次的主体形成步骤。
15、在本专利技术的一实施例中，包括进行3次的主体形成步骤。
16、在本专利技术的一实施例中，成核步骤之后，包括进行2次的所述浸泡步骤。
17、在本专利技术的一实施例中，在成核步骤中，氢的流量为4000sccm以上。
18、在本专利技术的一实施例中，在主体形成步骤中，氢的流量为5000sccm以上。
19、在本专利技术的一实施例中，在浸泡步骤中，氮气的流量为100～6000sccm。
20、在本专利技术的多个实施例中，成核步骤以及主体形成步骤中提高氢流量和在浸泡步骤中降低氮总浸泡流量都有利于获得大的钨晶粒尺寸；所形成的钨层，随着钨的晶粒尺寸变大，钨层中氟的含量会降低。钨层中钨的晶粒尺寸较大，则由于晶界较少，可以降低钨的电阻率，并降低容易损坏高介电常数材料和浮置栅极的杂质(氟)，可以缩小阈值电压(vth)分布并提高存储器元件的可靠性。
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1.一种存储器元件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤之后，还包括进行至少一次的浸泡步骤，浸泡氮气、氢、氘或氨。
3.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，还包括进行多次的所述主体形成步骤。
4.根据权利要求3所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，包括进行3次的所述主体形成步骤。
5.根据权利要求2所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤之后，还包括进行2次的所述浸泡步骤。
6.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述多个第二开口中形成所述钨层之前，还包括形成势垒层。
7.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤中，氢的流量为4000sccm以上。
8.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述主体形成步骤中，氢的流量为5000sccm以上。
9.根据权利要求2所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述浸泡步骤中，氮气
10.一种钨层的制造方法，其特征在于，包括：
11.根据权利要求10所述的钨层的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤之后，还包括进行至少一次的浸泡步骤，浸泡氮气、氢、氘或氨。
12.根据权利要求10所述的钨层的制造方法，其特征在于，包括进行3次的所述主体形成步骤。
13.根据权利要求11所述的钨层的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤之后，包括进行2次的所述浸泡步骤。
14.根据权利要求10所述的钨层的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤中，氢的流量为4000sccm以上。
15.根据权利要求10所述的钨层的制造方法，其特征在于，在所述主体形成步骤中，氢的流量为5000sccm以上。
16.根据权利要求11所述的钨层的制造方法，其特征在于，在所述浸泡步骤中，氮气的流量为100～6000sccm。
...【技术特征摘要】
1.一种存储器元件的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤之后，还包括进行至少一次的浸泡步骤，浸泡氮气、氢、氘或氨。
3.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，还包括进行多次的所述主体形成步骤。
4.根据权利要求3所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，包括进行3次的所述主体形成步骤。
5.根据权利要求2所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤之后，还包括进行2次的所述浸泡步骤。
6.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述多个第二开口中形成所述钨层之前，还包括形成势垒层。
7.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述成核步骤中，氢的流量为4000sccm以上。
8.根据权利要求1所述的存储器元件的制造方法，其特征在于，在所述主体形成步骤中，氢的流量为5000sccm以上。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：谢孟勋，骆统，陈光维，陈光剑，杨大弘，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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