【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，特别涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
1、随着电子产品需求的不断更新，产品越来越复杂，芯片封装技术得到快速发展。芯片封装的集成度越来越高，越来越多地走向系统级封装(system in package，简写为sip)结构。在系统级封装结构中，多颗射频芯片、模拟芯片或被动元器件被集成在一起，芯片及器件之间的距离逐渐减小，从而导致sip内器件之间的电磁干扰(electro magneticinterference，简写为emi)问题越来越突出。如何实现可靠的电磁屏蔽是本领域技术人员一直以来追求解决的问题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种半导体封装结构，以解决现有技术的封装结构中电磁干扰越来越严重的问题。
2、为了解决上述技术问题，本技术提供一种半导体封装结构，所述半导体封装结构包括：
3、基板，所述基板上具有多个引线键合焊垫；
4、至少一个引线键合焊球，所述引线键合焊球设置在所述引线键合焊垫上，所述引线键合焊球的高度介于10μm～50μm之间；
5、至少一根引线键合线，所述引线键合线的至少一端设置在所述引线键合焊球上；
6、塑封层，所述塑封层覆盖所述引线键合线以及所述基板，并暴露出所述引线键合线的部分表面；以及，
7、电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述塑封层并与所述引线键合线连接。
8、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为
9、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为n个，所述引线键合线的数量为n/2根，其中，所述引线键合线的两端分别设置在不同的所述引线键合焊球上，n为大于或等于2的自然数。
10、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述引线键合线为弧线。
11、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述引线键合线所在的平面垂直于所述基板所在的平面或者相对于所述基板所在的平面倾斜。
12、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为n个，所述引线键合线的数量为n根，其中，所述引线键合线的一端设置在所述引线键合焊球上且另一端为自由端，n为大于或等于2的自然数。
13、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述引线键合线的高度介于200μm～600μm之间。
14、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述电磁屏蔽层覆盖所述塑封层的顶面及侧面还延伸覆盖所述基板的侧面。
15、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述基板上形成有多个芯片和/或器件，至少两个所述芯片和/或器件之间设置有至少一根所述引线键合线。
16、可选的，在所述的半导体封装结构中，所述引线键合焊球为金属引线键合焊球，所述引线键合线为金属引线键合线。
17、在本技术提供的半导体封装结构中，包括至少一个引线键合焊球，所述引线键合焊球设置在引线键合焊垫上；至少一根引线键合线，所述引线键合线的至少一端设置在所述引线键合焊球上；电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层与所述引线键合线连接，由此，通过所述引线键合线可以实现电磁屏蔽。进一步的，所述引线键合线的至少一端通过引线键合焊球和引线键合焊垫连接，从而既便于所述引线键合线的形成，也提高了所述引线键合线和所述基板的连接可靠性，进而提高了电磁屏蔽的可靠性以及所述半导体封装结构的质量与可靠性。其中，所述引线键合焊球的高度介于10μm～50μm之间，由此，既能够便于所述引线键合焊球的形成，得到高质量的引线键合焊球，又能够便于后续引线键合线的形成，从而提高所述引线键合线的质量与可靠性。
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1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为n/2个，所述引线键合线的数量为n/2根，其中，所述引线键合线的一端设置在所述引线键合焊球上且另一端设置在所述引线键合焊垫上，n为大于或等于2的自然数。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为n个，所述引线键合线的数量为n/2根，其中，所述引线键合线的两端分别设置在不同的所述引线键合焊球上，n为大于或等于2的自然数。
4.如权利要求2或3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合线为弧线。
5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合线所在的平面垂直于所述基板所在的平面或者相对于所述基板所在的平面倾斜。
6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为n个，所述引线键合线的数量为n根，其中，所述引线键合线的一端设置在
7.如权利要求1至3和6中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合线的高度介于200μm～600μm之间。
8.如权利要求1至3和6中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述电磁屏蔽层覆盖所述塑封层的顶面及侧面还延伸覆盖所述基板的侧面。
9.如权利要求1至3和6中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述基板上形成有多个芯片和/或器件，至少两个所述芯片和/或器件之间设置有至少一根所述引线键合线。
10.如权利要求1至3和6中任一项所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合焊球为金属引线键合焊球，所述引线键合线为金属引线键合线。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为n/2个，所述引线键合线的数量为n/2根，其中，所述引线键合线的一端设置在所述引线键合焊球上且另一端设置在所述引线键合焊垫上，n为大于或等于2的自然数。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合焊垫的数量为n个，所述引线键合焊球的数量为n个，所述引线键合线的数量为n/2根，其中，所述引线键合线的两端分别设置在不同的所述引线键合焊球上，n为大于或等于2的自然数。
4.如权利要求2或3所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合线为弧线。
5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述引线键合线所在的平面垂直于所述基板所在的平面或者相对于所述基板所在的平面倾斜。
6.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘立筠，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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