【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种环承载器(carrier)和包括该环承载器的容器。
技术介绍
1、半导体器件制造工艺可以包括蚀刻工艺，以使用等离子体去除形成在衬底(例如，晶片)上的薄膜。通过等离子体中的离子和/或自由基与衬底上的薄膜碰撞或反应来执行蚀刻工艺。
2、使用等离子体处理衬底的装置包括工艺腔室、在工艺腔室内支承衬底并连接到rf电源的支承卡盘(例如，esc)、以及围绕位于支承卡盘中的衬底的外周的聚焦环。安装聚焦环以将高均匀性的等离子体分布在衬底的表面上，并通过等离子体与衬底一起被蚀刻。
3、当重复蚀刻衬底时，聚焦环也被蚀刻，因此聚焦环的形状逐渐改变。随着聚焦环的形状改变，离子和/或自由基进入衬底的方向改变，从而改变衬底的蚀刻特性。因此，如果在衬底上的蚀刻工艺被执行超过预定次数，或者如果聚焦环的形状改变并且落在允许的范围之外，则聚焦环需要被更换。
4、通过从工艺腔室中取出用过的聚焦环并将未用过的聚焦环安装到工艺腔室中，可以实现聚焦环的更换。聚焦环的更换可以由转移机器人来执行。
5、同时，聚焦环的转移可以由转移衬底的转移机器人来执行。尽管转移机器人将聚焦环转移到工艺腔室内的预定位置，但是由于转移机器人的位置可能由于工作误差和/或重复工作而从正确位置偏移，存在当更换聚焦环时聚焦环可能不被放置在正确位置的风险。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问题是提供一种环承载器，当环(例如，聚焦环)被转移到诸如前开口统一吊舱(foup)的容器时，该环承载器能
2、本专利技术要解决的另一个问题是提供一种容器，其中，当环被转移到容器时，可以促进环承载器的对准。
3、本专利技术的技术目的不限于上述技术目的，并且本领域技术人员从下面的描述将清楚地理解未提及的其它技术目的。
4、为了实现上述目的，本专利技术的容器的一个方面容纳用于支承设置在衬底处理装置中的环的环承载器，并且包括：壳体，在所述壳体中形成容纳空间；狭槽(slot)，设置在所述壳体中，并且具有形成在其中的插入槽；以及块，位于所述插入槽中，其中，所述块从所述狭槽突出，并且延伸至所述环承载器，以及具有支承表面和第一倾斜表面，所述支承表面用于支承所述环承载器的下周向，所述第一倾斜表面在所述环承载器的法线方向上从所述支承表面向上倾斜，并且具有大于所述环承载器的弧的直径的直径，其中，所述支承表面与所述第一倾斜表面之间的边界线具有至少与所述环承载器的所述弧的直径相同的直径。
5、本专利技术的容器的另一个方面包括：壳体，在所述壳体中形成容纳空间；狭槽，设置在所述壳体中，并且具有形成在其中的插入槽；块，位于所述插入槽中，并且从所述狭槽突出；以及环承载器，支承在所述块上，并且支承设置在衬底处理装置中的环，其中，所述块包括：第一延伸部分，以沿所述环承载器的弧延伸的形状在顺时针方向或逆时针方向上延伸，第二延伸部分，在与所述第一延伸部分相反的方向上延伸，并且具有比所述第一延伸部分短的长度，联接突起，朝向所述狭槽突出，凹槽(concave groove)，在从一侧到另一侧的方向上凹入，以及第一螺栓孔，在所述狭槽的方向上从所述凹槽穿透；其中，所述第一延伸部分和所述第二延伸部分在长度上延伸到不超过端部执行器的宽度的区域，以便在其中设置有承载所述环承载器的端部执行器的状态下不与所述端部执行器干涉，其中，所述狭槽具有与所述第一螺栓孔相对的第二螺栓孔、以及导向槽，所述联接突起能够滑动地插入所述导向槽中，其中，所述块设置为第一块和第二块，所述第一块和所述第二块在所述壳体中彼此面对，并且形成一对以支承所述环承载器的两侧，其中，所述第一块和所述第二块中的每个：具有支承表面和第一倾斜表面，所述支承表面用于支承所述环承载器的下周向，所述第一倾斜表面在所述环承载器的法线方向上从所述支承表面向上倾斜，并且具有大于所述环承载器的弧的直径的直径，并且所述支承表面与所述第一倾斜表面之间的边界线具有与所述环承载器的所述弧的直径相同的直径，以及具有第二倾斜表面和键，所述第二倾斜表面在逆时针方向上从所述支承表面向上倾斜到所述第一倾斜表面的顶部，所述键设置有在所述第二倾斜表面的相对表面上垂直于底表面的竖直表面，其中，所述第一块和所述第二块中的每个的所述第二倾斜表面在所述壳体内在逆时针方向向上倾斜，以在相同方向上引导所述环承载器，其中，所述环承载器包括基部，所述环位于所述基部上，所述基部具有与所述边界线相同的直径，其中，所述基部具有键槽，所述键槽从边缘朝向中心凹入，并且所述键插入所述键槽中，其中，所述键的底部具有与所述键槽的底部相同的宽度，并且所述键的顶部具有比所述键槽的底部小的宽度。
6、为了实现另一个目的，本专利技术的环承载器的一个方面容纳在容器中，并且包括：基部，环位于基部上，其中，基部包括键槽，块的键插入键槽中，键槽形成在周向表面上。
7、其它实施方式的具体细节包括在详细描述和附图中。
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1.一种容器，容纳用于支承设置在衬底处理装置中的环的环承载器，所述容器包括：
2.根据权利要求1所述的容器，其中，所述块还包括：
3.根据权利要求2所述的容器，其中，所述键包括：
4.根据权利要求3所述的容器，其中，所述键与所述第一倾斜表面的顶部的高度相同。
5.根据权利要求3所述的容器，其中，所述块设置为第一块和第二块，所述第一块和所述第二块在所述壳体中彼此面对，并且形成一对以支承所述环承载器的两侧，
6.根据权利要求5所述的容器，其中，所述键还包括竖直表面，所述竖直表面在与所述第二倾斜表面相对的表面上垂直于底表面。
7.根据权利要求6所述的容器，其中，所述第一块和所述第二块设置在所述壳体内的水平平面中彼此旋转150°至200°的位置。
8.根据权利要求3所述的容器，其中，所述块还包括第一延伸部分，所述第一延伸部分沿所述环承载器的所述弧在顺时针方向或逆时针方向上延伸。
9.根据权利要求8所述的容器，其中，所述块还包括：
10.根据权利要求9所述的容器，其中，所述第一延伸部
11.根据权利要求1所述的容器，其中，所述块具有从定位有所述支承表面和所述第一倾斜表面的一侧向另一侧凹入地形成的凹槽。
12.根据权利要求11所述的容器，其中，所述块具有在所述狭槽的方向上从所述凹槽穿透的第一螺栓孔，
13.根据权利要求1所述的容器，其中，所述块还包括朝向所述狭槽突出的联接突起，
14.根据权利要求2所述的容器，其中，所述环承载器包括基部，所述环位于所述基部上，所述基部具有与所述边界线相同的直径，
15.一种容器，包括：
16.一种环承载器，容纳在权利要求2-10中任一项所述的容器中，包括：
17.根据权利要求16所述的环承载器，还包括：
18.根据权利要求17所述的环承载器，其中，所述指状部包括：
19.根据权利要求18所述的环承载器，其中，在所述多个指状部中的一个指状部中，所述引导突起不形成周向，而是在水平平面上形成直线部分。
...【技术特征摘要】
1.一种容器，容纳用于支承设置在衬底处理装置中的环的环承载器，所述容器包括：
2.根据权利要求1所述的容器，其中，所述块还包括：
3.根据权利要求2所述的容器，其中，所述键包括：
4.根据权利要求3所述的容器，其中，所述键与所述第一倾斜表面的顶部的高度相同。
5.根据权利要求3所述的容器，其中，所述块设置为第一块和第二块，所述第一块和所述第二块在所述壳体中彼此面对，并且形成一对以支承所述环承载器的两侧，
6.根据权利要求5所述的容器，其中，所述键还包括竖直表面，所述竖直表面在与所述第二倾斜表面相对的表面上垂直于底表面。
7.根据权利要求6所述的容器，其中，所述第一块和所述第二块设置在所述壳体内的水平平面中彼此旋转150°至200°的位置。
8.根据权利要求3所述的容器，其中，所述块还包括第一延伸部分，所述第一延伸部分沿所述环承载器的所述弧在顺时针方向或逆时针方向上延伸。
9.根据权利要求8所述的容器，其中，所述块还包括：
10.根据权利要求9所述的容器，其中，所述第一延伸部分和所...
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