【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于细胞增殖，具体涉及一种基于特定磁场参数减缓淋巴瘤细胞增殖周期的方法。
技术介绍
1、现有技术提出可使用特殊波形、频率、脉冲时间等的低频脉冲磁场调控细胞增殖速度及增值周期，如本团队前期申请的专利技术专利：专利为基于低频脉冲磁场诱导trpc1促进及增强的方法，该专利通过具有特殊频率及等待时间的弱脉冲磁场施加于骨骼肌组织，激活trpc1瞬时受体电位离子通道，促进钙离子在肌细胞中的内流及线粒体呼吸，促进肌细胞的生长分化。
2、上述专利中通过将骨骼肌细胞置于固定参数的磁场中进行干预，干预后24h使用cck8试剂量化磁场干预下的细胞增殖速度，后与空白对照组进行对比，发现磁场干预可以加快骨骼肌细胞增殖速。
技术实现思路
1、本专利技术所采用的技术方案是：该基于特定磁场参数减缓淋巴瘤细胞增殖周期的方法，利用低频脉冲磁场打开细胞钙离子通路，从而促进胞内钙稳态来实现促进细胞各项生理过程的目的，而不同种类的细胞其内部钙离子通道以及胞内外对于钙离子含量的要求不同，即同样的磁场参数下，于细胞而言，钙离子内流的促进具有两面效果，即改善部分生理过程，而内流过于严重则会抑制某些生理活动。
2、通过对弥漫大b细胞淋巴瘤细胞系施以特殊的低频脉冲磁场，同时采用空白对照及药物联合抑制对照，通过对比弥漫大b细胞淋巴瘤细胞系的细胞周期来判断低频脉冲磁场干预对于其细胞增殖周期的抑制效果。
3、本专利技术的有益效果：
4、1、本专利技术使用低频脉冲磁场干预弥漫大b细胞
5、2、肿瘤细胞周期得到抑制，结合相关抑制药物可大大减缓肿瘤细胞的下游，为临床治疗减轻了压力。
6、3、限制磁场安全性：magnetostimulation limits in magnetic particleimaging一文中提出，在强度低于6mt，频率低于25khz的磁场下，可有效避免pns(外周神经刺激)与sar(组织发热)，进而人体于该强度及频率范围内的磁场下不会产生任何刺激性感觉，在绝对安全的情况下通过低频脉冲磁场进行相关疾病治疗。
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1.一种基于特定磁场参数减缓淋巴瘤细胞增殖周期的方法，其特征在于：利用低频脉冲磁场打开细胞钙离子通路，从而促进胞内钙稳态来实现促进细胞各项生理过程的目的，而不同种类的细胞其内部钙离子通道以及胞内外对于钙离子含量的要求不同，即同样的磁场参数下，于细胞而言，钙离子内流的促进具有两面效果，即改善部分生理过程，而内流过于严重则会抑制某些生理活动。
2.根据权利要求1所述的基于特定磁场参数减缓淋巴瘤细胞增殖周期的方法，其特征在于：通过对弥漫大B细胞淋巴瘤细胞系施以特殊的低频脉冲磁场，同时采用空白对照及药物联合抑制对照，通过对比弥漫大B细胞淋巴瘤细胞系的细胞周期来判断低频脉冲磁场干预对于其细胞增殖周期的抑制效果。
【技术特征摘要】
1.一种基于特定磁场参数减缓淋巴瘤细胞增殖周期的方法，其特征在于：利用低频脉冲磁场打开细胞钙离子通路，从而促进胞内钙稳态来实现促进细胞各项生理过程的目的，而不同种类的细胞其内部钙离子通道以及胞内外对于钙离子含量的要求不同，即同样的磁场参数下，于细胞而言，钙离子内流的促进具有两面效果，即改善部分生理过程，而内流...
【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，白石，郭大可，米峥，厉中山，孔维签，崔恩祈，侯福旭，崔豪，孙佳雯，
申请(专利权)人：沈阳工业大学，
类型：发明
国别省市：
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