【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种移相全桥拓扑电路，特别是涉及一种sic mosfet移相全桥拓扑电路及控制方法，属于移相全桥拓扑电路。
技术介绍
1、随着我国社会经济的快速发展和国家对新能源行业的大力支持，开关电源被广泛应用在了各个领域。开关电源的大功率、高效率和小体积也成为其发展趋势。但是开关电源的高效率和小体积相互矛盾，减小开关电源体积的最直接有效的方法就是提高电源的工作频率，从而减小电感、电容及高频变压器等与频率相关且体积较大的器件的体积，不过频率的提高，意味着功率开关管在单位时间内开关次数的增加，这将直接导致其开关损耗的增加，电源的效率会随之降低，而软开关技术可以在提高开关频率的同时提高电源的效率。
2、在众多软开关拓扑中，移相全桥拓扑具有电路结构简单、参数易设计等优点，被广泛应用在中、高功率场合。移相全桥变换器具有拓扑结构简单，开关频率恒定，仅利用自身寄生参数便可实现零电压导通(zvs)，开关损耗低，效率高等优点，且随着第三代宽禁带材料sic的出现使得sic功率器件在高温、高压、高频、大功率场合具有较好的应用前景，但是，由于sic mosfet的高开关速度和寄生参数，移相全桥拓扑在引入sic mosfet后存在副边整流桥寄生电容引起的电压振荡问题，针对副边整流二极管寄生振荡问题，现有技术多采用增加rc吸收电路或rcd吸收电路吸收电压尖峰，针对环流损耗，现有技术方案采用了倍压整流方案，可以将环流减小到励磁电流，从而减小环流损耗，但是该方案的拓扑原边电流的峰值较大，开关管的电流应力大，为此设计一种sic mosfet移相全桥
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的是为了提供一种sic mosfet移相全桥拓扑电路及控制方法。
2、本专利技术的目的可以通过采用如下技术方案达到：
3、一种sic mosfet移相全桥拓扑电路，包括三相全桥整流器，三相全桥整流器分别耦合超前桥臂模块和滞后桥臂模块；
4、三相全桥整流器通过超前桥臂模块和滞后桥臂模块耦合高频变频器t，并通过高频变频器t耦合二极管组。
5、优选的，三相全桥整流器包括二极管d1至二极管d6，二极管d1的阳极电性连接交流电ua、二极管d4的阴极；
6、二极管d2的阳极电性连接交流电ub、二极管d5的阴极；
7、二极管d3的阳极电性连接交流电uc、二极管d6的阴极；
8、二极管d1至二极管d3的阴极电性连接超前桥臂模块和滞后桥臂模块；
9、二极管d4至二极管d6的阳极电性连接超前桥臂模块和滞后桥臂模块。
10、优选的，超前桥臂模块包括sic mosfet q1和sic mosfet q2；
11、sic mosfet q1的漏极电性连接二极管d1至二极管d3的阴极；
12、sic mosfet q2的源极电性连接二极管d4至二极管d6的阳极；
13、sic mosfet q1的源极与sic mosfet q2的漏极电性连接并连接电感lr，电感lr的另一端电性连接二极管dcl的阳极和二极管dc2的阴极以及高频变频器t的np一端。
14、优选的，二极管dc2的阳极电性连接sic mosfet q2的源极，sic mosfet q1的漏极还电性连接二极管dcl的阴极；
15、滞后桥臂模块包括sic mosfet q3的漏极电性连接高频变频器t的np另一端，sicmosfet q3的源极电性连接二极管dc2的阳极，sic mosfet q4的漏极电性连接高频变频器t的np另一端，sic mosfet q4的源极电性连接二极管dcl的阴极。
16、优选的，二极管组包括二极管dr1至二极管dr4；
17、二极管dr1的阳极电性连接二极管dr2的阴极，二极管dr1的阴极电性连接二极管dr4的阴极，二极管dr3的阴极电性连接二极管dr4的阳极，二极管dr4的阳极电性连接二极管dr2的阳极，二极管dr1的阳极电性连接高频变压器t的ns的一端，二极管dr3的阴极电性连接高频变压器t的ns的另一端。
18、优选的，二极管dr4的阴极电性连接二极管d7的阳极、电感lf的一端；
19、二极管d7的阴极电性连接电容ck的一端、sic mosfet q5的源极；
20、电容ck的另一端电性连接二极管dr3的阳极、sic mosfet q6的漏极、电容cf的一端和rload的负极；
21、rload的阳极电性连接电感lf的另一端、电感lk的另一端和电容cf的另一端。
22、一种sic mosfet移相全桥拓扑电路控制方法，包括如下步骤：
23、步骤一：发现当空载时，移相全桥拓扑中的sic mosfet关断属于零电压关断，其导通为硬导通，在直流母线电压200v下测试sic mosfet在空载时的导通过程；
24、步骤二：发现当漏源极电压vds下降时，驱动芯片的输入信号电压vin会下跌，vin的下跌导致sic mosfet被误关断，vds不再下降而是出现平台。
25、本专利技术的有益技术效果：
26、本专利技术提供的一种sic mosfet移相全桥拓扑电路及控制方法，本专利技术提出了一种副边采用有源吸收电路的sic mosfet移相全桥拓扑。
27、本专利技术提出了一种解决sic mosfet移相全桥拓扑在空载情况下层间电容干扰导致误关断问题的方法。
28、本专利技术提出了一种解决副边整流二极管寄生振荡问题的有源吸收电路，能够在吸收振荡电压的同时将吸收电容中的能量回馈至负载，基本不会产生额外的损耗。
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1.一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路，其特征在于：包括三相全桥整流器，三相全桥整流器分别耦合超前桥臂模块和滞后桥臂模块；
2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路，其特征在于：三相全桥整流器包括二极管D1至二极管D6，二极管D1的阳极电性连接交流电UA、二极管D4的阴极；
3.根据权利要求2所述的一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路，其特征在于：超前桥臂模块包括SiC MOSFET Q1和SiC MOSFET Q2；
4.根据权利要求3所述的一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路，其特征在于：二极管Dc2的阳极电性连接SiC MOSFET Q2的源极，SiC MOSFET Q1的漏极还电性连接二极管Dcl的阴极；
5.根据权利要求4所述的一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路，其特征在于：二极管组包括二极管Dr1至二极管Dr4；
6.根据权利要求5所述的一种SiC MOSFET移相全桥拓扑电路，其特征在于：二极管Dr4的阴极电性连接二极管D7的阳极、电感Lf的一端；
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...【技术特征摘要】
1.一种sic mosfet移相全桥拓扑电路，其特征在于：包括三相全桥整流器，三相全桥整流器分别耦合超前桥臂模块和滞后桥臂模块；
2.根据权利要求1所述的一种sic mosfet移相全桥拓扑电路，其特征在于：三相全桥整流器包括二极管d1至二极管d6，二极管d1的阳极电性连接交流电ua、二极管d4的阴极；
3.根据权利要求2所述的一种sic mosfet移相全桥拓扑电路，其特征在于：超前桥臂模块包括sic mosfet q1和sic mosfet q2；
4.根据权利要求3所述的一种sic mosfet移相全桥拓扑电路，其特征在于：二...
【专利技术属性】
技术研发人员：糜彤，
申请(专利权)人：北京亚华博信科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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