【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体涉及一种排气管的温控装置及温控方法。
技术介绍
1、半导体材料(如晶圆等)通常需要经过刻蚀、镀膜、测试等生产工序。其中，较为成熟的刻蚀、镀膜等工序大多采用等离子刻蚀(inductively coupled plasma，icp或者capavitively coupled plasma，ccp)与等离子增强化学气相沉积(plasma enhancedchemical vapor deposition，pecvd)，在沉积与刻蚀的过程中，会发生化学反应产生一些多余反应物。在工艺过程中，多余的反应气体和反应副产物从半导体设备的腔室进入排气管，并通过排气管排出半导体设备。如果排气管的温度过低，多余的反应气体和反应副产物会大量黏附于排气管的内壁而逐渐造成排气管堵塞。一旦排气管发生堵塞的情况，将会影响半导体设备的腔室的压强调控，使得工艺不稳定，影响沉积或刻蚀的工艺性能，容易造成反应气体和反应副产物回流至半导体设备的腔室，进而影响晶圆表面的清洁度，更严重地，如果工艺过程导致停机，将使晶圆报废，产生经济损失。
2、因此，在工艺过程中，通常使排气管的温度保持在一定温度以上，以避免由于排气管的温度过低而造成排气管堵塞。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种排气管的温控装置及温控方法，解决了当半导体设备进行工艺时，由于排气管的温度过低，导致排气管堵塞的问题。
2、第一方面，本公开的实施例提供了一种排气管的温控装置，应用于半导体设备，所述半导体设
3、在一些实施例中，所述控制组件在所述温度检测组件检测到的温度小于第一目标温度时，控制所述加热组件工作，且在所述温度检测组件检测到的温度大于第二目标温度时，控制所述加热组件不工作；所述控制组件在所述温度检测组件检测到的温度大于第三目标温度时，控制所述冷却组件工作；其中，所述第一目标温度、所述第二目标温度和所述第三目标温度依次增大。
4、在一些实施例中，当所述半导体设备中的所述反应腔体执行第一工艺时，所述控制组件指示所述加热组件工作，并实时接收所述温度检测组件发出的实时温度；当所述半导体设备中的所述反应腔体执行第二工艺时，所述控制组件指示所述加热组件不工作，且实时接收所述温度检测组件发出的实时温度，并指示所述冷却组件不工作或工作；其中，所述第二工艺位于所述第一工艺之后，所述第一工艺包括晶圆表面的沉积工艺、刻蚀工艺中的至少一个，所述第二工艺包括对所述反应腔体或/和所述排气管的等离子体清洗工艺。
5、在一些实施例中，当所述半导体设备中的所述反应腔体执行所述第二工艺时，所述控制组件被配置为接收所述温度检测组件发出的第一信号，并向所述冷却组件发出第一指令，所述第一信号用于表征所述排气管的温度小于第一预设温度，所述第一指令用于指示所述冷却组件不工作；或者，接收所述温度检测组件发出的第二信号，并向所述冷却组件发出第二指令，所述第二信号用于表征所述排气管的温度等于或大于所述第一预设温度，所述第二指令用于指示所述冷却组件开启。
6、在一些实施例中，所述加热组件包括：加热套，套装于所述排气管，且沿所述排气管的延伸方向延伸；其中，所述加热套具有多个容纳空间，多个所述容纳空间沿所述加热套的环绕方向依次排列，且所述容纳空间沿所述加热套的延伸方向延伸；所述加热套的耐受温度为300℃-400℃之间，优选的，所述加热套的耐受温度为350℃；多个加热棒，分别设置于多个所述容纳空间，所述加热棒沿所述加热套的延伸方向延伸，所述加热棒与电源电连接。
7、在一些实施例中，所述冷却组件包括：冷却管道，套装于所述加热组件，且具有介质输入口和介质输出口；冷却介质供给组件，设置于所述反应腔体的外部，且分别与所述介质输入口和所述介质输出口连通，被配置为提供冷却介质，所述冷却介质能够由所述介质输入口进入所述冷却管道，并由所述介质输出口流出所述冷却管道，以带走所述加热组件和所述排气管的部分热量。
8、在一些实施例中，所述冷却组件还包括：至少两个冷却介质输送管路，一个所述冷却介质输送管路被配置为连通所述介质输入口与所述冷却介质供给组件，另一个所述冷却介质输送管路被配置为连通所述介质输出口与所述冷却介质供给组件；其中，所述冷却介质输送管路能够与所述反应腔体密封连接。
9、在一些实施例中，所述冷却介质的形态包括气态或液态。
10、第二方面，本公开的实施例提供了一种排气管的温控方法，应用于半导体设备，所述半导体设备至少包括反应腔体和排气管，所述反应腔体内部在发生反应后会产生废气，所述排气管与所述反应腔体的底部连通并能够排出所述废气，所述排气管的温控方法应用于第一方面所述的排气管的温控装置，所述排气管的温控装置被配置为控制所述排气管的温度；所述排气管的温控方法包括：所述排气管的温控装置的控制组件在所述排气管的温控装置的温度检测组件检测到的温度小于第一目标温度时，控制所述排气管的温控装置的加热组件工作，且在所述温度检测组件检测到的温度大于第二目标温度时，控制所述加热组件不工作；所述控制组件在所述温度检测组件检测到的温度大于第三目标温度时，控制所述排气管的温控装置的冷却组件工作；其中，所述第一目标温度、所述第二目标温度和所述第三目标温度依次增大；或者，检测所述反应腔体内部执行的目标工艺，所述目标工艺为第一工艺或第二工艺；当为所述第一工艺时，指示所述加热组件工作，并实时接收所述温度检测组件发出的实时温度；当为所述第二工艺时，指示所述加热组件不工作，且实时接收所述温度检测组件发出的实时温度，并指示所述排气管的温控装置的冷却组件不工作或工作。
11、在一些实施例中，当为所述第二工艺时，所述排气管的温控方法还包括：接收所述温度检测组件发出的第一信号，并向所述冷却组件发出第一指令，其中，所述第一信号用于表征所述排气管的温度小于第一预设温度，所述第一指令用于指示所述冷却组件不工作；或者，接收所述温度检测组件发出的第二信号，并向所述冷却组件发出第二指令，其中，所述第二信号用于表征所述排气管的温度等于或大于所述第一预设温度，所述第二指令用于指示所述冷却组件开启。
12、在一些实施例中，在所述向所述冷却组件发出第二指令之后，还包括：向所述冷却组件发出第三指令，所述第三指令用于指示所述冷却组件逐渐增加提供的冷却介质的流量；实时接收所述温度检测组件发出的实时温度；在所述冷却介质的流量达到第一流量后，判断所述实时本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种排气管的温控装置，应用于半导体设备，所述半导体设备至少包括反应腔体和排气管，所述反应腔体内部在发生反应后会产生废气，所述排气管与所述反应腔体的底部连通并能够排出所述废气，其特征在于，所述排气管的温控装置被配置为控制所述排气管的温度；
2.根据权利要求1所述的排气管的温控装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的排气管的温控装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的排气管的温控装置，其特征在于，当所述半导体设备中的所述反应腔体执行所述第二工艺时，所述控制组件被配置为接收所述温度检测组件发出的第一信号，并向所述冷却组件发出第一指令，所述第一信号用于表征所述排气管的温度小于第一预设温度，所述第一指令用于指示所述冷却组件不工作；或者，接收所述温度检测组件发出的第二信号，并向所述冷却组件发出第二指令，所述第二信号用于表征所述排气管的温度等于或大于所述第一预设温度，所述第二指令用于指示所述冷却组件开启。
5.根据权利要求1-4任一项所述的排气管的温控装置，其特征在于，所述加热组件包括：
6.根据权利要求1-4任一项所述的
7.根据权利要求6所述的排气管的温控装置，其特征在于，所述冷却组件还包括：
8.根据权利要求7所述的排气管的温控装置，其特征在于，所述冷却介质的形态包括气态或液态。
9.一种排气管的温控方法，应用于半导体设备，所述半导体设备至少包括反应腔体和排气管，所述反应腔体内部在发生反应后会产生废气，所述排气管与所述反应腔体的底部连通并能够排出所述废气，其特征在于，所述排气管的温控方法应用于权利要求1至8任一项所述的排气管的温控装置，所述排气管的温控装置被配置为控制所述排气管的温度；
10.根据权利要求9所述的排气管的温控方法，其特征在于，当为所述第二工艺时，所述排气管的温控方法还包括：
11.根据权利要求10所述的排气管的温控方法，其特征在于，在所述向所述冷却组件发出第二指令之后，还包括：
12.根据权利要求11所述的排气管的温控方法，其特征在于，还包括：
13.根据权利要求12所述的排气管的温控方法，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的排气管的温控方法，其特征在于，
...【技术特征摘要】
1.一种排气管的温控装置，应用于半导体设备，所述半导体设备至少包括反应腔体和排气管，所述反应腔体内部在发生反应后会产生废气，所述排气管与所述反应腔体的底部连通并能够排出所述废气，其特征在于，所述排气管的温控装置被配置为控制所述排气管的温度；
2.根据权利要求1所述的排气管的温控装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的排气管的温控装置，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的排气管的温控装置，其特征在于，当所述半导体设备中的所述反应腔体执行所述第二工艺时，所述控制组件被配置为接收所述温度检测组件发出的第一信号，并向所述冷却组件发出第一指令，所述第一信号用于表征所述排气管的温度小于第一预设温度，所述第一指令用于指示所述冷却组件不工作；或者，接收所述温度检测组件发出的第二信号，并向所述冷却组件发出第二指令，所述第二信号用于表征所述排气管的温度等于或大于所述第一预设温度，所述第二指令用于指示所述冷却组件开启。
5.根据权利要求1-4任一项所述的排气管的温控装置，其特征在于，所述加热组件包括：
6.根据权利要求1-4任一项所述的排气管的温控装...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁德富，林佳继，
申请(专利权)人：江苏无锡经纬天地半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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