【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、在电力控制用的半导体装置中，要求一定的短路耐量，以在从负载短路起至保护电路工作为止的期间中半导体装置不发生破损。
技术实现思路
1、实施方式的半导体装置具备：第一电极；第二电极；导电型为n型的第一半导体层，其包含成为施主的第一杂质及质子，在内部具有所述第一杂质的浓度取最大值的第一位置；导电型为n型的第二半导体层，其相对于所述第一半导体层配置在从所述第一电极朝向所述第二电极的第一方向侧，包含所述第一杂质及质子，所述质子的浓度比所述第一杂质的浓度高；以及导电型为n型的第三半导体层，其配置在所述第二半导体层的所述第一方向侧，包含所述第一杂质，所述第一杂质的浓度比所述质子的浓度高。在所述第一半导体层中的至少所述第二半导体层侧的部分，所述第一杂质的浓度比所述质子的浓度高。所述第一方向上的所述质子的浓度取最大值的第二位置相比于所述第一位置位于所述第一方向的相反侧。
2、实施方式的半导体装置的制造方法具备：向包含成为施主的第一杂质且导电型为n型的半导体部件，沿第一方向从所述半导体部件的第一面侧注入所述第一杂质，在所述半导体部件的内部形成所述第一杂质的浓度取最大值的第一位置的工序；在所述半导体部件的第一面侧配置吸收剂的工序；经由所述吸收剂沿所述第一方向向所述半导体部件注入质子，使所述质子的浓度取最大值的第二位置相比于所述第一位置位于所述第一方向的相反侧的工序；以及去除所述吸收剂的工序。
3、根据实施方式，能够提供短路耐量高
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1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还具备：
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：
11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特...
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