【技术实现步骤摘要】
本技术涉及多晶硅生产工艺控制，尤其涉及一种用于两件套的石墨件。
技术介绍
1、多晶硅是太阳能组件中的硅片的主要原材料，尤其是电子级多晶硅纯度要求达到99.9999999％-99.9999999999％(统称九个九至十二个九)，改良西门子法还原工艺是将三硅转化为纯硅，该工艺是决定多晶硅纯度最为关键的步骤。还原过程中，硅芯利用石墨组件安装在还原炉内，石墨组件一般分为两种，三件套和两件套，本方案属于两件套中的一部分。
2、原有设计中采用专利号为202020535417.9多晶硅还原炉内连接固定硅芯组合装置中的石墨头，该石墨头为上下对称的结构，上锥体用于安装硅芯，该结构中存在石墨头整体高度高、上锥体高度高，在炉体内占用空间大，加工所耗用的硅料较多，且上锥体抱紧硅芯强度低、硅芯倾倒风险大等问题。如图7、8。
技术实现思路
1、鉴于以上缺陷，本技术提出一种用于两件套的石墨件，包括依次从上向下设置的上锥体、中间体、下锥体，中间体为圆柱体，所述上锥体的中心位置开设上通孔、用于安装硅芯，下锥体的中心位置开设下通孔，用于与石墨卡座连通，所述上通孔和下通孔连通，所述上锥体的锥度大于下锥体的锥度，所述上锥体的高度小于下锥体的高度。
2、本方案将石墨件设计为上下不对称结构，上锥体高度小于下锥体、上锥体的锥度加大，对硅芯抱紧力大，载荷力增强，抵抗硅芯倾倒能力增强。且上锥体高度降低，节约还原炉内空间，节约加工原材料，相较于原有设计上锥体高度与下锥体高度一致为42mm，现改进后上锥体高度为
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1.一种用于两件套的石墨件，其特征在于：包括依次从上向下设置的上锥体、中间体、下锥体，中间体为圆柱体，所述上锥体的中心位置开设上通孔、用于安装硅芯，下锥体的中心位置开设下通孔，用于与石墨卡座连通，所述上通孔和下通孔连通，所述上锥体的锥度大于下锥体的锥度，所述上锥体的高度小于下锥体的高度。
2.如权利要求1所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：所述上通孔的深度大于石墨件总高度的1/2。
3.如权利要求2所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：上锥体的锥度为39-42°。
4.如权利要求3所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：上锥体的锥度为40-41°。
5.如权利要求4所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：上锥体的锥度为40.45°。
6.如权利要求2所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：所述上通孔为台阶孔，所述台阶孔包括大径孔、小径孔，大径孔的直径大于小径孔的直径，大径孔、小径孔均为等径直孔，台阶孔的台阶处为直角过渡。
7.如权利要求6所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：大径孔的直径大于小径孔的直径1-2.5
8.如权利要求7所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：大径孔的直径φ外为17mm±0.05，小径孔的直径φ内为15.4mm±0.05。
9.如权利要求6所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：还在中锥体侧壁开设侧通孔，所述侧通孔与大径孔连通。
...【技术特征摘要】
1.一种用于两件套的石墨件，其特征在于：包括依次从上向下设置的上锥体、中间体、下锥体，中间体为圆柱体，所述上锥体的中心位置开设上通孔、用于安装硅芯，下锥体的中心位置开设下通孔，用于与石墨卡座连通，所述上通孔和下通孔连通，所述上锥体的锥度大于下锥体的锥度，所述上锥体的高度小于下锥体的高度。
2.如权利要求1所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：所述上通孔的深度大于石墨件总高度的1/2。
3.如权利要求2所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：上锥体的锥度为39-42°。
4.如权利要求3所述的用于两件套的石墨件，其特征在于：上锥体的锥度为40-41°。
5.如权利要求4所述的用于两件...
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜龙，李东东，杜文龙，黄贤光，冯晓春，白永成，
申请(专利权)人：宁夏润阳硅材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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