晶圆传送装置及半导体设备制造方法及图纸

本技术涉及一种晶圆传送装置及半导体设备。晶圆传送装置包括：支撑轴和多对水平式插齿；多对水平式插齿沿支撑轴的周向间隔排布；各水平式插齿均包括一体连接的第一部分及第二部分；第一部分远离第二部分的一端与支撑轴相连接；第二部分的宽度小于第一部分的宽度。本技术的晶圆传送装置，水平式插齿的宽度较小且重量较轻，即使长时间使用以后，支撑轴也不容易发生形变，水平式插齿不会下垂，在支撑轴带动水平式插齿上下运动或转动的时候，不会容易蹭到加热器，从而减少甚至避免颗粒缺陷的产生或滑片现象的发生，避免晶圆的报废，提高半导体设备的产能和良率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体设备，特别是涉及一种晶圆传送装置及半导体设备。

技术介绍

1、在一些半导体设备（譬如，sequel机台）的工艺腔室内会设有多个工艺位置（譬如，加热器的多个加热区域），通过安装在支撑轴（spindle）上的水平式插齿（fork）在不同工艺位置之间传送需要工艺处理的晶圆。然而，现有的水平式插齿为宽度均匀的结构，整体宽度较宽且重量较大，当长时间使用以后，支撑轴会发生形变，从而造成水平式插齿下垂；此时，支撑轴带动水平式插齿上下运动或转动的时候，就很容易蹭到加热器，从而导致颗粒缺陷（particle）的产生或者滑片现象，进而造成晶圆的报废。

技术实现思路

1、基于此，有必要针对上述
技术介绍
中的问题，提供一种晶圆传送装置及半导体设备，晶圆传送装置中，由于水平式插齿包括一体连接的第一部分和第二部分，且第二部分的宽度小于第一部分的宽度，可以使得水平式插齿的宽度较小且重量较轻，即使长时间使用以后，支撑轴也不容易发生形变，水平式插齿不会下垂，在支撑轴带动水平式插齿上下运动或转动的时候，不会容易蹭到加热器，从而减少甚至避免颗粒缺陷的产生或滑片现象的发生，避免晶圆的报废，提高半导体设备的产能和良率。

2、为了解决上述技术问题及其他问题，第一方面，本技术提供一种晶圆传送装置，晶圆传送装置包括：支撑轴和多对水平式插齿；多对水平式插齿沿支撑轴的周向间隔排布；各水平式插齿均包括一体连接的第一部分及第二部分；第一部分远离第二部分的一端与支撑轴相连接；第二部分的宽度小于第一部分的宽度。p>

3、在上述实施例的晶圆传送装置中，通过将水平式插齿设置为包括一体连接的第一部分和第二部分，且第二部分的宽度小于第一部分的宽度，可以使得水平式插齿的宽度较小且重量较轻，即使长时间使用以后，支撑轴也不容易发生形变，水平式插齿不会下垂，在支撑轴带动水平式插齿上下运动或转动的时候，不会容易蹭到加热器，从而减少甚至避免颗粒缺陷的产生或滑片现象的发生，避免晶圆的报废，提高半导体设备的产能和良率。

4、在一些实施例中，第二部分的厚度小于第一部分的厚度。

5、在上述实施例中，通过将第二部分的厚度设置为小于第一部分的厚度，可以进一步减轻水平式插齿的重量，可以进一步避免支撑轴由于长时间使用导致的形变，避免水平式插齿下垂，进而进一步减少甚至避免颗粒缺陷的产生或滑片现象的发生，避免晶圆的报废，提高半导体设备的产能和良率。

6、在一些实施例中，第一部分的中心轴与第二部分的中心轴位于同一直线上。

7、在一些实施例中，各水平式插齿的上表面均位于同一平面内。

8、在一些实施例中，多对水平式插齿沿支撑轴的周向均匀间隔排布。

9、在一些实施例中，水平式插齿的对数为六对。

10、在一些实施例中，晶圆传送装置还包括：第一驱动器和第二驱动器；第一驱动器与支撑轴相连接，用于驱动支撑轴带动水平式插齿旋转；第二驱动器与支撑轴相连接，用于驱动支撑轴带动水平式插齿上下移动。

11、第二方面，本技术还提供一种半导体设备，半导体设备包括如第一方面中所述的晶圆传送装置。

12、在上述实施例的半导体设备中，由于晶圆传送装置中的水平式插齿设置为包括一体连接的第一部分和第二部分，且第二部分的宽度小于第一部分的宽度，可以使得水平式插齿的宽度较小且重量较轻，即使长时间使用以后，支撑轴也不容易发生形变，水平式插齿不会下垂，在支撑轴带动水平式插齿上下运动或转动的时候，不会容易蹭到加热器，从而减少甚至避免颗粒缺陷的产生或滑片现象的发生，避免晶圆的报废，提高半导体设备的产能和良率。

13、在一些实施例中，半导体设备还包括：加热器，位于支撑轴的外围；加热器包括多个沿支撑轴的周向排布的加热区域；各加热区域均设置有一对容纳槽，容纳槽与水平式插齿一一对应设置；容纳槽的长度大于水平式插齿的长度，容纳槽的宽度大于第一部分的宽度；其中，支撑轴升至最高位置时，水平式插齿的下表面高于加热区域的上表面；支撑轴复位时，水平式插齿位于容纳槽内，且水平式插齿的上表面不高于加热区域的上表面。

14、在一些实施例中，半导体设备还包括：工艺腔室；晶圆传送装置和加热器均位于工艺腔室内。

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【技术保护点】

1.一种晶圆传送装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述第一部分的中心轴与所述第二部分的中心轴位于同一直线上。

4.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，各所述水平式插齿的上表面均位于同一平面内。

5.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，多对所述水平式插齿沿所述支撑轴的周向均匀间隔排布。

6.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述水平式插齿的对数为六对。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶圆传送装置，其特征在于，还包括：

8.一种半导体设备，其特征在于，包括：如权利要求1至7中任一项所述的晶圆传送装置。

9.根据权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述半导体设备包括如权利要求7所述的晶圆传送装置；所述半导体设备还包括：

10.根据权利要求9所述的半导体设备，其特征在于，还包括：

【技术特征摘要】

1.一种晶圆传送装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述第二部分的厚度小于所述第一部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，所述第一部分的中心轴与所述第二部分的中心轴位于同一直线上。

4.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，各所述水平式插齿的上表面均位于同一平面内。

5.根据权利要求1所述的晶圆传送装置，其特征在于，多对所述水平式插齿沿所述支撑轴的周向均匀间隔排...

【专利技术属性】
技术研发人员：高健，浦杰民，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：