【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电磁屏蔽，特别是涉及一种电磁屏蔽材料及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子通信以及人工智能技术的飞速发展，电子器件的发展趋于高度功能多样化与集成化，从而不可避免地产生了电磁干扰的问题。便携式、可穿戴薄膜电子器件的电磁干扰不但会扰乱电子器件及系统的正常运转，严重破坏信息交流的安全性和稳定性，而且损害人们的身体健康。因此，薄膜电磁屏蔽材料的研究对解决电子器件集成化中的信号干扰具有重要意义。然而，薄膜电磁屏蔽材料存在单位面积电磁屏蔽效率低、占用面积大、制备成本高的问题，因此，亟需发展工艺简单、低成本的制备方法，以提高单位面积电磁屏蔽材料的电磁屏蔽效率，适应精细化、集成化的薄膜电子器件的设计与生产。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种电磁屏蔽材料及其制备方法，以通过工艺简单、低成本的制备方法获得一种单位面积电磁屏蔽强度高的电磁屏蔽材料。具体技术方案如下：
2、本申请的第一方面提供了一种电磁屏蔽材料，其包括具有褶皱拓扑结构的可自支撑的导电薄膜，所述导电薄膜的厚度为20nm-500nm，优选为20nm-200nm。
3、在一些实施方案中，所述导电薄膜为单向褶皱拓扑结构或双向褶皱拓扑结构。
4、在一些实施方案中，所述导电薄膜的平面面积为所述导电薄膜表面积的10-50%。
5、在一些实施方案中，所述导电薄膜的材料选自金及其合金、银及其合金、铜及其合金、铝及其合金中的至少一种。
6、本申请的第二方面提供了一种本申请第一方面
7、s1.在经过预拉伸的形状记忆聚合物基底上制备牺牲层；
8、s2.在所述牺牲层表面制备平整导电薄膜；
9、s3.加热所述形状记忆聚合物基底，使所述平整导电薄膜收缩，形成具有褶皱拓扑结构的导电薄膜；
10、s4.溶解所述牺牲层，分离所述形状记忆聚合物基底，得到包括具有褶皱拓扑结构的可自支撑的导电薄膜的电磁屏蔽材料。
11、在一些实施方案中，步骤s3中，所述使所述平整导电薄膜收缩包括：固定所述形状记忆聚合物基底的一个方向，使所述平整导电薄膜沿与之垂直的另一个方向单向收缩；或，不固定所述形状记忆聚合物基底，使所述平整导电薄膜双向收缩。
12、在一些实施方案中，所述加热包括加热温度为120-160℃，加热时间为5-20min。
13、在一些实施方案中，所述平整导电薄膜的制备方法选自物理气相沉积、溶液法或原子层沉积。
14、在一些实施方案中，步骤s1中，所述经过预拉伸的形状记忆聚合物，预拉伸后的长度与预拉伸前的长度比m1为(2-5)：1，预拉伸后的宽度与预拉伸前的宽度比n1为(2-5)：1。
15、在一些实施方案中，所述形状记忆聚合物选自聚苯乙烯、聚氨酯或反式-1，4-聚异戊二烯。
16、在一些实施方案中，所述牺牲层的制备方法选自旋涂法或浸涂法。
17、在一些实施方案中，所述牺牲层的厚度≤1000nm。
18、在一些实施方案中，所述牺牲层材料为光刻胶，所述溶解的溶剂为丙酮；
19、或，所述牺牲层材料选自聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇中的至少一种，所述溶解的溶剂为水。
20、本申请提供了一种电磁屏蔽材料及其制备方法，所述电磁屏蔽材料包括具有褶皱拓扑结构的可自支撑的导电薄膜，所述导电薄膜的厚度为20nm-500nm。本申请提供的电磁屏蔽材料，单位面积电磁屏蔽强度高，比表面积小、易集成，单位面积电磁屏蔽强度可调节。本申请提供的电磁屏蔽材料的制备方法，制备步骤简单、制备成本低。
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1.一种电磁屏蔽材料，其包括具有褶皱拓扑结构的可自支撑的导电薄膜，所述导电薄膜的厚度为20nm-500nm，优选为20nm-200nm。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽材料，其中，所述导电薄膜为单向褶皱拓扑结构或双向褶皱拓扑结构。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽材料，其中，所述导电薄膜的平面面积为所述导电薄膜表面积的10-50%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的电磁屏蔽材料，其中，所述导电薄膜的材料选自金及其合金、银及其合金、铜及其合金、铝及其合金中的至少一种。
5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的电磁屏蔽材料的制备方法，其包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，步骤S3中，所述使所述平整导电薄膜收缩包括：固定所述形状记忆聚合物基底的一个方向，使所述平整导电薄膜沿与之垂直的另一个方向单向收缩；或，不固定所述形状记忆聚合物基底，使所述平整导电薄膜双向收缩。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其中，所述加热包括加热温度为120-160℃，加热时间为5-20min。
8.根
9.根据权利要求5-8中任一项所述的制备方法，其中，步骤S1中，所述经过预拉伸的形状记忆聚合物，预拉伸后的长度与预拉伸前的长度比M1为(2-5)：1，预拉伸后的宽度与预拉伸前的宽度比N1为(2-5)：1。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，所述形状记忆聚合物选自聚苯乙烯、聚氨酯或反式-1，4-聚异戊二烯。
11.根据权利要求5-8中任一项所述的制备方法，其中，所述牺牲层的制备方法选自旋涂法或浸涂法。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其中，所述牺牲层的厚度≤1000nm。
13.根据权利要求11所述的制备方法，其中，所述牺牲层材料为光刻胶，所述溶解的溶剂为丙酮；
...【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽材料，其包括具有褶皱拓扑结构的可自支撑的导电薄膜，所述导电薄膜的厚度为20nm-500nm，优选为20nm-200nm。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽材料，其中，所述导电薄膜为单向褶皱拓扑结构或双向褶皱拓扑结构。
3.根据权利要求1所述的电磁屏蔽材料，其中，所述导电薄膜的平面面积为所述导电薄膜表面积的10-50%。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的电磁屏蔽材料，其中，所述导电薄膜的材料选自金及其合金、银及其合金、铜及其合金、铝及其合金中的至少一种。
5.一种根据权利要求1-4中任一项所述的电磁屏蔽材料的制备方法，其包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的制备方法，其中，步骤s3中，所述使所述平整导电薄膜收缩包括：固定所述形状记忆聚合物基底的一个方向，使所述平整导电薄膜沿与之垂直的另一个方向单向收缩；或，不固定所述形状记忆聚合物基底，使所述平整导电薄膜双向收缩。
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