【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏发电，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。
技术介绍
1、目前太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。其中，光伏太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。具体的，太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。
2、然而，现有技术中太阳能电池片的光学损失较高，光电转换效率较低；并且，太阳能电池片的边缘以及侧面复合严重，极易造成边缘漏电。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种太阳能电池及光伏组件，以减少侧面复合的同时，提供光电转换效率。
2、为了实现上述目的，本申请提供如下技术方案：
3、一种太阳能电池，包括：
4、半导体基底，半导体基底包括相对的第一面和第二面，以及连接第一面和第二面的侧面；
5、沿由第一面至第二面的方向，侧面包括依次排布的第一区域和第二区域，第一区域具有第一纹理结构，第二区域具有第二纹理结构。
6、本申请提供的太阳能电池中，其侧面的第一区域内具有第一纹理结构，侧面的第二区域内具有第二纹理结构，其中第一纹理结构和第二纹理结构可以使入射至侧面的光进行多次反射和折射，改变了入射光在半导体基底的侧面的前进方向，延长了光程，产生陷光作用，增加光生载流子的产生，故当半导体基底的侧面具有第一纹理结构和第二纹理结构时，利于使更多光线被半导体基底的侧面吸收利用，利于提高该太阳能电池的光电转换效率。
7、在一种实现方式中，第一面具有第一纹理结
8、第二面具有第二纹理结构，且第二区域的第二纹理结构与第二面的第二纹理结构连续设置。如此设置，侧面和第二面相接位置的附近区域均设置第二纹理结构，第二纹理结构的表面积更大，利于分散太阳能电池边缘的应力，从而减少太阳能电池的边缘缺陷，提高太阳能电池的良率。
9、在一种实现方式中，第一纹理结构和第二纹理结构均为非抛光面，绒面结构可以为正金字塔型绒面结构、倒金字塔型绒面结构、削平顶部的金字塔型绒面或者虫孔型绒面结构等。采用该技术方案，第一纹理结构的表面凹凸程度更强，陷光效果更好，进一步使更多光线被半导体基底的侧面吸收利用。和/或，
10、第一纹理结构包括绒面结构，如此将第一金字塔的尺寸设定在合理的范围内，电池在制备过程中，既能兼顾第一金字塔绒面的陷光效果，又能使后续沉积在第一金字塔绒面上的膜层质量更好，膜层的致密性以及包覆性更好。和/或，
11、第二纹理结构包括类金字塔绒面结构，且类金字塔的侧棱的至少局部为曲线。采用该技术方案，类金字塔的侧棱的局部或全部为曲线，相对于直线状的侧棱，一方面可以更加有效的分散太阳能电池侧面的应力，有效的降低应力集中，从而提高太阳能电池的良率；另一方面，增大了第二纹理结构的表面积，与后续沉积膜层的接触面积更大，提高对于半导体基底边缘的钝化效果。
12、在一种实现方式中，第一纹理结构为第一金字塔绒面结构；第一金字塔的高度为1μm～5μm，第一金字塔的塔基边长为1μm～3μm。可以理解，当第一金字塔的高度过低时，会降低第一金字塔绒面的陷光效果；当第一金字塔的高度过高，则后续在第一金字塔绒面上沉积膜层时，会降低膜层的形成质量。如此将第一金字塔的尺寸设定在合理的范围内，电池在制备过程中，既能兼顾第一金字塔绒面的陷光效果，又能使后续沉积在第一金字塔绒面上的膜层质量更好，膜层的致密性以及包覆性更好。
13、在一种实现方式中，第二纹理结构包括类金字塔绒面结构，且类金字塔的侧棱的至少局部为曲线；
14、类金字塔的高度为0.1μm～5μm，类金字塔的塔基边长为1μm～3μm；可以理解，当类金字塔的高度过低时，会降低类金字塔绒面的陷光效果；当类金字塔的高度过高，则后续在类金字塔绒面上沉积膜层时，会降低膜层的形成质量。如此将类金字塔的尺寸设定在合理的范围内，电池在制备过程中，既能兼顾类金字塔的陷光效果，又能使后续沉积在类金字塔绒面上的膜层质量更好，膜层的致密性以及包覆性更好。
15、和/或，类金字塔的侧棱为向内凹陷的曲线；和/或，至少类金字塔的侧棱的底部为曲线，且类金字塔的侧棱底部的曲率半径为0.1μm～10μm；和/或，每个类金字塔包括3～6个侧棱。类金字塔的多个侧面朝向不同的方向，如此从不同角度入射至类金字塔的光线可以经类金字塔的不同侧面进行反射和折射，进一步提高了半导体基底的侧面对光线的吸收利用率；此外，类金字塔的表面积更大，有利于后续增大后续沉积膜层的接触面积，提高钝化效果。
16、在一种实现方式中，沿半导体厚度的方向，第一区域的延伸距离占侧面整体的延伸距离的比例为大于等于50％；和/或，
17、沿半导体厚度的方向，第二区域的延伸距离占侧面整体的延伸距离的比例为小于等于50％。由于光线一般从太阳能电池片的上方或斜上方向下照射，更靠近第一面的第一区域比更远离第一面的第二区域能接收更多的光线，因此可以使第一区域的延伸距离在侧面整体的延伸距离占比大于第二区域的延伸距离在侧面整体的延伸距离占比，以利于第一区域内的第一纹理结构吸收利用更多的光线。
18、在一种实现方式中，第一纹理结构的平均高度大于第二纹理结构的平均高度，如此第一纹理结构的陷光效果优于第二纹理结构的陷光效果，且光线一般从太阳能电池片的上方或斜上方向下照射，更靠近第一面的第一区域比更远离第一面的第二区域能接收更多的光线，如此提高了第一区域对光线的吸收利于率。和/或，
19、第一纹理结构与第二纹理结构沿垂直于侧面方向上具有高度差，高度差的范围大于0μm，小于等于3μm；和/或，
20、第一纹理结构的反射率小于第二纹理结构的反射率。如此设置，第二纹理结构可以对长波光线形成反射，提高光的吸收利用率。
21、在一种实现方式中，第一面为受光面，第二面为背光面
22、在一种实现方式中，侧面还包括第三区域，第三区域位于第一区域与第一面之间，第三区域具有第三纹理结构；
23、第三纹理结构的反射率大于第一纹理结构的反射率，如此，照射至第三纹理结构的光线可以经反射后被半导体基底二次吸收，增加了半导体基底对光线的吸收利用率。
24、在一种实现方式中，第三纹理结构包括绒面结构或抛光面或削平的塔基结构；和/或，
25、第一面具有第一纹理结构，第三区域的第三纹理结构与第一面的第一纹理结构连续设置，如此设置，第一面和第一区域之间通过第三区域及其第三纹理结构过渡连接，可以减少侧面和第一面相接的附近区域的缺陷，进一步减少边缘以及侧面复合，防止边缘漏电。和/或，
26、第三纹理结构与第一纹理结构形状相同且第三纹理结构的平均一维尺寸小于第一纹理结构的平均本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一面具有所述第一纹理结构，且所述第一区域的所述第一纹理结构与所述第一面的所述第一纹理结构连续设置；和/或，
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构和所述第二纹理结构均为非抛光面；和/或，
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构为第一金字塔绒面结构；所述第一金字塔的高度为1μm～5μm，第一金字塔的塔基边长为1μm～3μm。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二纹理结构包括类金字塔绒面结构，且类金字塔的侧棱的至少局部为曲线；
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述半导体基底厚度的方向，所述第一区域的延伸距离占所述侧面整体的延伸距离的比例为大于等于50％；和/或，
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构的平均高度大于所述第二纹理结构的平均高度；和/或，
8.根据权利要求1-7中任一项所述的太阳能电
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述侧面还包括第三区域，所述第三区域位于所述第一区域与所述第一面之间，所述第三区域具有第三纹理结构；
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三纹理结构包括绒面结构或抛光面或削平的塔基结构；和/或，
11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，还包括钝化减反层，所述钝化减反层覆盖所述第一区域和所述第三区域，且所述钝化减反层不覆盖所述第二区域；所述第三区域与所述钝化减反层之间还具有第二掺杂半导体层。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括钝化减反层，所述钝化减反层覆盖所述第一区域，且所述钝化减反层不覆盖所述第二区域。
13.根据权利要求11或12所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层覆盖所述第二区域，且至少部分覆盖位于所述侧面的所述钝化减反层。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体层为非晶硅或微晶硅，所述第二掺杂半导体层为多晶硅；所述第一掺杂半导体层和所述第二掺杂半导体层掺杂类型相反。
15.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一掺杂半导体层还设置于所述第二面上，且所述第一掺杂层半导体层从所述第二面上延伸至所述第二区域。
16.根据权利要求11或12所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化减反层还设置于第一面上，且所述钝化减反层从所述第一面上延伸至所述第一区域。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，还包括位于所述第一面与所述钝化减反层之间的第二掺杂半导体层。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池，其特征在于，还包括所述第一面与所述第二掺杂半导体层之间的界面层；所述第一面上的界面层和第二掺杂半导体层呈指状分布。
19.根据权利要求11所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三区域与第二掺杂半导体层之间还具有界面层，所述界面层为氧化硅。
20.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，还包括位于第一掺杂半导体层下的本征非晶硅层，覆盖所述第二区域，且至少部分覆盖位于所述侧面的所述钝化减反层。
21.根据权利要求20所述的太阳能电池，其特征在于，在所述第二区域内，所述本征非晶硅层与所述半导体基底的表面直接接触。
22.根据权利要求13所述的太阳能电池，其特征在于，沿着由所述第二面至第一面的方向，所述侧面上的所述第一掺杂半导体层的厚度逐渐减小。
23.根据权利要求11或12所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化减反层与所述半导体基底侧面的第一区域直接接触。
24.根据权利要求11或12所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化减反层为单层或至少两层的叠层结构，所述叠层结构包括沿着远离侧面方向上依次设置的钝化层和减反层。
25.根据权利要求11或12所述的太阳能电池，其特征在于，沿着由所述第一面至第二面的方向，所述侧面上的所述钝化减反层的厚度逐渐减小。
26.一种光伏组件，其特征在于，如权利要求1-25中任一项所述的太阳能电池。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一面具有所述第一纹理结构，且所述第一区域的所述第一纹理结构与所述第一面的所述第一纹理结构连续设置；和/或，
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构和所述第二纹理结构均为非抛光面；和/或，
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构为第一金字塔绒面结构；所述第一金字塔的高度为1μm～5μm，第一金字塔的塔基边长为1μm～3μm。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二纹理结构包括类金字塔绒面结构，且类金字塔的侧棱的至少局部为曲线；
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿所述半导体基底厚度的方向，所述第一区域的延伸距离占所述侧面整体的延伸距离的比例为大于等于50％；和/或，
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一纹理结构的平均高度大于所述第二纹理结构的平均高度；和/或，
8.根据权利要求1-7中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一面为受光面，所述第二面为背光面。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述侧面还包括第三区域，所述第三区域位于所述第一区域与所述第一面之间，所述第三区域具有第三纹理结构；
10.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，所述第三纹理结构包括绒面结构或抛光面或削平的塔基结构；和/或，
11.根据权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，还包括钝化减反层，所述钝化减反层覆盖所述第一区域和所述第三区域，且所述钝化减反层不覆盖所述第二区域；所述第三区域与所述钝化减反层之间还具有第二掺杂半导体层。
12.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括钝化减反层，所述钝化减反层覆盖所述第一区域，且所述钝化减反层不覆盖所述第二区域。
13.根据权利要求11或12所述的太阳能电池，其特征在于，还包括第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层覆盖所述第二区域，且至少部分覆盖位于所述侧面的所述钝化减反层。
14....
【专利技术属性】
技术研发人员：刘道猛，龙永灯，周海花，唐茜，武禄，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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