【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及像素显示，特别是一种场序vth自补偿栅极控制电路及方法。
技术介绍
1、场序(field sequential)或者色序法(color sequential)显示驱动技术通过人类的视觉暂停残留效应，直接利用rgb三色光源混色，达到全彩显示效果。无需彩色滤光片，一方面提高了光源利用率，另一方面也降低了光源的功耗。在所有画面数据写入完成，并在液晶偏转到稳定状态后才可开启背光，否则会有画面混乱的现象发生，所以需要预留大量时间让液晶偏转后再点亮背光。这使得难以实现平均时间内的高亮度，高频率显示，同时对背光亮度规格和寿命要求增加，提高了成本。
2、由于晶体管的工艺制程的影响，不同空间位置的驱动晶体管的阈值电压很有可能不一样。对于 a-si,氢化非品硅晶体管的阈值电压随时间变化。驱动晶体管的阈值电压变化或不一致会造成液晶显示器显示的不均匀。当显示图像时，图像的亮度由电流决定，如果该电流与驱动管的阈值电压有关，则每个像素中各驱动管的阈值电压的差异将会导致显示图像亮度不是所期望达到的亮度。事实上,由于晶体管制作工艺的偏差，不可避免地，在各驱动晶体管的阈值电压各不相同，存在一定的偏差。因此，需要得到与阈值电压无关的驱动电流，以消除阈值电压的偏差对画面显示亮度的恶劣影响。
3、因此，本专利技术提出一种场序vth自补偿栅极控制电路及方法，以剔除阈值电压的影响，从而规避画面显示异常的影响。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出一种场序vth自补偿栅极控制电路及方
2、本专利技术的目的通过以下技术方案来实现一种场序vth自补偿栅极控制电路，包括补偿单元和驱动单元；
3、所述补偿单元包括第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管、第五晶体管和预存储电容；
4、所述第一晶体管的栅极耦接至复位信号线，所述第一晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线，所述第一晶体管的第二源漏极耦接至预存储电容的一端，所述预存储电容的另一端耦接至第四晶体管的第一源漏极 ，所述第四晶体管的栅极耦接至设置信号线，所述第四晶体管的第二源漏极耦接至第二晶体管的第二源漏极，所述第二晶体管的第一源漏极耦接至参考信号线，所述第二晶体管的栅极耦接至第一晶体管的第二源漏极；
5、所述第五晶体管的栅极耦接至行栅信号线，所述第五晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线，所述第五晶体管的第二源漏极耦接至第四晶体管的第二源漏极和驱动单元。
6、进一步地，所述驱动单元包括第三晶体管和像素电极；所述第三晶体管的栅极耦接至转移信号线，所述第三晶体管的第一源漏极耦接至第二晶体管的第二源漏极，所述第三晶体管的第二源漏极耦接至像素电极，所述像素电极的另一端耦接至公共信号线。
7、进一步地，所述驱动单元还包括存储电容，所述存储电容的一端耦接至第三晶体管的第二源漏极，所述存储电容的另一端耦接至公共信号线。
8、本专利技术还提供一种场序vth自补偿栅极控制电路控制方法，包括：
9、在背光开启阶段：
10、行栅信号线跳变为高电平，第五晶体管导通，设置信号线为高电平，第四晶体管导通；数据信号线通过第四晶体管和第五晶体管向预存储电容预写入数据信号电压；
11、根据电荷守恒原理，获得第一节点当前的电位为第一预设电位，第一预设电位为数据信号电压和阈值电压之和；
12、预写入完成后，行栅信号线跳变为低电平，第五晶体管关断，设置信号线为低电平，第四晶体管关断；
13、参考信号线现的电位为第一高电位，第一节点为第一预设电位，此时第一节点和参考信号线存在压差，第二晶体管导通；
14、当第二晶体管导通到截止区时，第二节点的电位为第二预设电位，第二预设电位为需要写入像素电极的标准数据信号电压；
15、在背光关闭阶段：
16、转移信号线跳变为高电平，第三晶体管导通；参考信号线跳变为公共电平，使得像素电极通过第三晶体管和第二晶体管进行复位；
17、复位完成后，参考信号线跳变为第二高电位，第二晶体管导通，使得参考信号线通过第二晶体管和第三晶体管向像素电极写入一高电平；
18、参考信号线跳变为第一高电位，使得第二晶体管到达截止区，像素电极从高电平下降到像素电压；
19、像素电压写入完成后，转移信号线跳变为低电平，第三晶体管关断；复位信号线跳变为高电平，第一晶体管导通；设置信号线跳变为高电平，第四晶体管导通；参考信号线跳变为第一高电位；
20、数据信号线通过第一晶体管使得第一节点为第一高电位，直至第二晶体管的截止区，此时第二节点为第一节点的当前电位与第二晶体管的阈值电压之差。
21、本专利技术还提供一种场序vth自补偿栅极控制电路控制方法，包括：
22、在背光开启阶段：
23、行栅信号线跳变为高电平，第五晶体管导通，设置信号线为高电平，第四晶体管导通；数据信号线通过第四晶体管和第五晶体管向预存储电容预写入数据信号电压；
24、根据电荷守恒原理，第一节点a的电位为第一预设电位；
25、预写入完成后，行栅信号线跳变为低电平，第五晶体管关断，设置信号线为低电平，第四晶体管关断；
26、参考信号线为第一高电平，第二节点高电位，第一节点高电位，此时第一节点和参考信号线存在压差，第二晶体管导通；
27、当第二晶体管为截止区时，第二节点的电位为第二预设电位；
28、在背光关闭阶段：
29、行栅信号线跳变为高电平，第五晶体管导通；数据信号线输出第一高电位；
30、转移信号线跳变为高电平，第三晶体管导通；数据信号线向像素电极写入第一高电位；
31、行栅信号线跳变为低电平，第五晶体管关断，参考信号线跳变为公共电平；
32、第二晶体管持续导通，像素电极向参考信号线放电至像素电压
33、像素电压写入完成后，转移信号线跳变为低电平，第三晶体管关断；复位信号线跳变为高电平，第一晶体管导通；设置信号线跳变为高电平，第四晶体管导通；参考信号线跳变为第一高电位；
34、数据信号线通过第一晶体管使得第一节点的电位为第一高电位；同样，使得第二晶体管导通到截止区，此时第二节点为第一节点的当前电位与第二晶体管的阈值电压之差。
35、进一步地，在第一帧的背光开启阶段之前，还包括预提取阶段；
36、所述预提取阶段包括：
37、复位信号线跳变为高电平，第一晶体管导通；放置信号线跳变为高电平，第四晶体管导通；数据信号线向预存储电容输入一高电位信号；第一节点和第二节点的电位均为高电位；
38、复位信号线跳变为低电平，第一晶体管关断；放置信号线跳变为低电平，第四晶体管关断；
39、参考信号线跳变为公共电平，第一节点为高电位，第二节点为高电位，第二节点向参考信号线放电直至第二晶体管到达截至区，此时第二节点的电位低本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种场序Vth自补偿栅极控制电路，其特征在于：包括补偿单元和驱动单元；
2.根据权利要求1所述的一种场序Vth自补偿栅极控制电路，其特征在于，所述驱动单元包括第三晶体管（T3）和像素电极（Clc）;
3.根据权利要求2所述的一种场序Vth自补偿栅极控制电路，其特征在于，所述驱动单元还包括存储电容（Cs2），所述存储电容（Cs2）的一端耦接至第三晶体管（T3）的第二源漏极，所述存储电容（Cs2）的另一端耦接至公共信号线（Com）。
4.一种场序Vth自补偿栅极控制电路控制方法，应用于权利要求1~3所述的任一像素电路中，其特征在于，包括：
5.一种场序Vth自补偿栅极控制电路控制方法，应用于权利要求1~3所述的任一像素电路中，其特征在于，包括：
6.根据权利要求4或5所述的一种场序Vth自补偿栅极控制电路控制方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种场序vth自补偿栅极控制电路，其特征在于：包括补偿单元和驱动单元；
2.根据权利要求1所述的一种场序vth自补偿栅极控制电路，其特征在于，所述驱动单元包括第三晶体管（t3）和像素电极（clc）;
3.根据权利要求2所述的一种场序vth自补偿栅极控制电路，其特征在于，所述驱动单元还包括存储电容（cs2），所述存储电容（cs2）的一端耦接至第三晶体管（t3）的第二源漏极，...
【专利技术属性】
技术研发人员：张锦，张伟伟，沈翰宁，王东，任浩，
申请(专利权)人：成都九天画芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。