System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 包括数字化器的电子装置制造方法及图纸_技高网

包括数字化器的电子装置制造方法及图纸

技术编号:44588095 阅读:5 留言:0更新日期:2025-03-14 12:47
可以提供一种电子装置。所述电子装置可以包括:壳体;显示器;设置在所述显示器下方的数字化器;设置在所述数字化器下方的吸收片;以及设置在所述吸收片下方的金属片。所述吸收片可以包括:含铁、硅和铝的第一颗粒;以及含铁和硅的第二颗粒。所述第二颗粒与所述第一颗粒的比例可以是3∶7或更大。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开的各种实施例涉及包括数字化器的电子装置


技术介绍

1、由于信息和通信技术以及半导体技术的进步,各种功能不断被集成到单个便携式电子装置中。例如,电子装置不仅可以实现通信功能,还可以实现诸如游戏的娱乐功能、诸如音乐/视频回放的多媒体功能、移动银行等的通信和安全功能、以及日程管理功能和电子钱包功能。这些电子装置正在小型化,以便于用户携带。

2、电子装置可以经由输入设备(例如,数字笔)接收来自用户的各种输入。电子装置可以识别由输入设备在电子装置上指定的位置,并且可以执行相应的功能。例如,电子装置可以通过使用电磁谐振(下文中称为“emr”)方法或有源静电(下文中称为“aes”)方法来识别由输入设备在电子装置上指定的位置。


技术实现思路

1、根据本公开的实施例,电子装置可以包括壳体、显示器、位于显示器下方的数字化器、位于数字化器下方的吸收片以及位于吸收片下方的金属片。吸收片可以包括:包含铁、硅和铝的第一颗粒,以及包含铁和硅的第二颗粒。第二颗粒与第一颗粒的比率可以是至少7:3。

2、根据本公开的实施例,一种可折叠电子装置可以包括:壳体,其包括第一壳体和第二壳体;显示器,其包括位于第一壳体上的第一显示区域、位于第二壳体上的第二显示区域以及位于第一显示区域与第二显示区域之间的折叠区域;铰链结构,其连接第一壳体和第二壳体,其中,铰链结构的至少一部分位于折叠区域的至少一部分下方;数字化器,其位于显示器下方;以及吸收片,其位于数字化器下方。吸收片可以包括:包含铁、硅和铝的第一颗粒,以及包含铁和硅的第二颗粒。第二颗粒与第一颗粒的比率可以是3∶7或更高。

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【技术保护点】

1.一种电子装置(101,300),所述电子装置包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述吸收片的在指定大小的磁场施加到所述吸收片的状态下的第一磁导率是所述吸收片的在未施加磁场的状态下的第二磁导率的至少20%。

3.根据权利要求1或2所述的电子装置,其中,所述第一颗粒的第一尺寸为90μm或更小,并且所述第二颗粒的第二尺寸为15μm或更大。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述吸收片位于所述数字化器与所述壳体之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,性能系数至少为3000,所述性能系数为所述吸收片的厚度和磁导率的乘积。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述金属片包括铜。

7.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述壳体包括第一壳体(210)和第二壳体(220),

8.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述铰链结构位于所述吸收片下方。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,所述电子装置还包括:

10.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,所述电子装置还包括:

11.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,所述电子装置还包括:

12.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述电子部件包括霍尔传感器(176)、相机模块(206)或接收器(170)中的至少一者。

13.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述第一颗粒的磁导率高于所述第二颗粒的磁导率,并且

14.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述第一颗粒和所述第二颗粒呈片状。

15.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述吸收片中的所述第二颗粒的重量比为80至90w%。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种电子装置(101,300),所述电子装置包括:

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述吸收片的在指定大小的磁场施加到所述吸收片的状态下的第一磁导率是所述吸收片的在未施加磁场的状态下的第二磁导率的至少20%。

3.根据权利要求1或2所述的电子装置,其中,所述第一颗粒的第一尺寸为90μm或更小,并且所述第二颗粒的第二尺寸为15μm或更大。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述吸收片位于所述数字化器与所述壳体之间。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,性能系数至少为3000,所述性能系数为所述吸收片的厚度和磁导率的乘积。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述金属片包括铜。

7.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中,所述壳体包括第一壳体(210)和第二壳体(220),

【专利技术属性】
技术研发人员:林宰德朴相一俞在炯尹喆孝赵奎泳朴惠仁
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:

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