【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及重布线，尤其涉及一种用于芯片封装的高密度重布线方法。
技术介绍
1、传统的重布线方法只适用于低密度重布线方法，其原因在于在传统的重布线方法流程中，若需要在总布线面积以及电镀层厚度、面积均不变的情况下排布更多的线路，则在光刻胶上形成电镀图案后，布线数量越多，则未被电镀图案周围的光刻胶隔层越薄，这就导致光刻胶隔层容易坍塌，最终无法形成高质量重布线层。
2、为了解决上述问题，本申请人研发出一种用于芯片封装的高密度重布线方法来解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术提出一种用于芯片封装的高密度重布线方法，以解决现有重布线方法无法保证高密度重布线较高重布线质量的问题。
2、本专利技术通过以下技术方案来实现上述目的：
3、一种用于芯片封装的高密度重布线方法，包括：
4、在衬底层上铺设一层种子层；
5、在所述种子层上涂覆第一光刻胶层；
6、对所述第一光刻胶层进行第一次曝光和显影操作，在所述第一光刻胶层上形成第一电镀图案；
7、对所述第一电镀图案进行电镀操作，在所述种子层上形成第一电镀层；
8、在所述第一光刻胶层和所述第一电镀层上涂覆一层光刻胶层，形成第二光刻胶层，或者，去掉剩余所述第一光刻胶层并在所述种子层和所述第一电镀层上涂覆一层光刻胶层，形成第二光刻胶层；
9、对所述第二光刻胶层进行第二次曝光和显影操作，在所述第二光刻胶层上形成第二电镀图案，所述第二电镀图案位于所述第
10、对所述第二电镀图案进行电镀操作，在所述种子层上形成第二电镀层；
11、去掉剩余所述第二光刻胶层以及未被所述第一电镀层、第二电镀层覆盖的种子层，得到重布线层。
12、进一步地，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电镀层和所述第一电镀层之间的距离之比大于1:1。
13、进一步地，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电镀层和所述第一电镀层之间的距离之比大于3:1。
14、进一步地，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电镀层和所述第一电镀层之间的距离之比大于5:1。
15、进一步地，所述第二电镀层的高度大于所述第一电镀层的高度。
16、本专利技术的有益效果在于：
17、本专利技术提出的一种用于芯片封装的高密度重布线方法解决了现有重布线方法无法保证高密度重布线较高重布线质量的问题，能够在同等面积条件下，排布下更多的线路，并且在重布线过程中不会出现光刻胶坍塌情况。
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1.一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电镀层和所述第一电镀层之间的距离之比大于1:1。
3.根据权利要求2所述的一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电镀层和所述第一电镀层之间的距离之比大于3:1。
4.根据权利要求3所述的一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电镀层和所述第一电镀层之间的距离之比大于5:1。
5.根据权利要求1所述的一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，所述第二电镀层的高度大于所述第一电镀层的高度。
【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电镀层和所述第一电镀层之间的距离之比大于1:1。
3.根据权利要求2所述的一种用于芯片封装的高密度重布线方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的高度与所述第二电...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴冰，
申请(专利权)人：成都奕成集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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